Merkmale:
· Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
· Hervorragende physikalische Stoßfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
·Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre
Anwendung:
Produktmerkmale und Vorteile:
1. Überlegener Wärmewiderstand:Mit einem hochreinenSiC-BeschichtungDas Substrat hält extremen Temperaturen stand und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen wie der Epitaxie und Halbleiterfertigung.
2. Verbesserte Haltbarkeit:Die mit SiC beschichteten Graphitkomponenten sind so konzipiert, dass sie chemischer Korrosion und Oxidation widerstehen und so die Lebensdauer des Substrats im Vergleich zu Standardgraphitsubstraten verlängern.
3. Glasartig beschichteter Graphit:Die einzigartige Glasstruktur desSiC-Beschichtungbietet eine hervorragende Oberflächenhärte und minimiert den Verschleiß bei der Hochtemperaturverarbeitung.
4. Hochreine SiC-Beschichtung:Unser Substrat gewährleistet minimale Verunreinigungen in empfindlichen Halbleiterprozessen und bietet Zuverlässigkeit für Branchen, die strenge Materialreinheit erfordern.
5. Breite Marktanwendung:DerSiC-beschichteter GraphitsuszeptorDer Markt wächst weiterhin, da die Nachfrage nach fortschrittlichen SiC-beschichteten Produkten in der Halbleiterherstellung zunimmt und dieses Substrat zu einem wichtigen Akteur sowohl auf dem Markt für Graphit-Waferträger als auch auf dem Markt für mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitschalen macht.
Typische Eigenschaften des Graphit-Basismaterials:
| Scheinbare Dichte: | 1,85 g/cm³ |
| Elektrischer Widerstand: | 11 μΩm |
| Biegefestigkeit: | 49 MPa (500 kgf/cm²) |
| Shore-Härte: | 58 |
| Asche: | <5 ppm |
| Wärmeleitfähigkeit: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
| Herz-Kreislauf-Erkrankungen SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | Die FCC-β-Phase ist nicht zugelassen (111). |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2 bis 10 μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / Wärmeleitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| Wärmeausdehnung / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
VET Energy ist der eigentliche Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern.
Unser technisches Team kommt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann Ihnen professionellere Materiallösungen bieten.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um noch fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns das weiter besprechen!
