SiC Coating/Coated Graphite Substrate/Tray mo Semiconductor

SiC Coating/Coated Graphite Substrate/Tray mo le Semiconductor Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le VET Energy SiC Coated Graphite Susceptor mo le Epitaxial Growth o se oloa maualuga le fa'atinoga ua mamanuina e tu'uina atu ai le fa'atinoga tumau ma fa'atuatuaina i se vaitaimi umi. E matua'i lelei lava lona tete'e atu i le vevela ma le tutusa o le vevela, maualuga le mama, tete'e atu i le ele, ma avea ai ma fofo atoatoa mo fa'aoga fa'agasologa o le wafer.

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Fa'amatalaga o le oloa

Fa'ailoga o Oloa

Ufiufi SiC/ufiufi i le susceptor Graphite mo Semiconductor

O leSiC Ufiufi Graphite Substrateo se fofo e matuā tumau ma lelei ua mamanuina e faʻafetaui ai manaʻoga faigata o le alamanuia o le faʻagasologa o semiconductor. O loʻo i ai se vaega o le mama maualugaufiufi silicon carbide (SiC), o lenei mea fa'apipi'i e tu'uina atu ai le mautu lelei i le vevela, tete'e atu i le fa'aleagaina o le 'ele'ele, ma fa'aumiumi ai le ola tautua, ma avea ai ma mea lelei mo fa'aoga i faiga MOCVD, mea e feavea'i ai le graphite wafer, ma isi siosiomaga e maualuga le vevela.

Fa'amatalaga:
· Tete'e Sili Ona Lelei i le Te'i Fa'avevela
· Tete'e Lelei i Te'i Fa'aletino
· Tete'e Sili Ona Lelei i Vailaau Fa'akemikolo
· Mama Maualuga
· Mauaina i Foliga Faigata
·E mafai ona fa'aaogaina i lalo o le Oxidizing Atmosphere

Talosaga：

Vaega ma Fa'amanuiaga o le Oloa:

1. Tete'e Sili Atu i le Vevela:Faatasi ai ma le mama maualugaUfiufi SiC, e tatalia e le substrate le vevela tele, ma mautinoa ai le lelei o le faʻatinoga i siosiomaga faigata e pei o le epitaxy ma le semiconductor fabrication.

2. Fa'aleleia le Tumau:O vaega o le karapite ua ufiufi i le SiC ua mamanuina e tete'e atu i le 'ele ma le 'okeseneina o vaila'au, ma fa'ateleina ai le umi e ola ai le substrate pe a fa'atusatusa i substrates karapite masani.

3. Karapite Ufiufi Vitreous:O le fausaga tulaga ese o le vitreous o leUfiufi SiCe maua ai le ma'a'a lelei o le fogā'ele'ele, e fa'aitiitia ai le ofuina ma le masae i le taimi o le gaosiga i le vevela maualuga.

4. Ufiufi SiC Mama Maualuga:E fa'amautinoa e le matou substrate le fa'aitiitia o le fa'aleagaina i faiga fa'agasologa ma'ale'ale o semiconductor, ma ofoina atu le fa'atuatuaina mo alamanuia e mana'omia ai le mama atoatoa o meafaitino.

5. Fa'aoga Lautele i le Maketi:O leFa'asusu karapite ua ufiufiina i le SiCO loʻo faʻaauau pea ona tuputupu aʻe le maketi aʻo faʻateleina le manaʻoga mo oloa faʻaonaponei ua ufiufiina i le SiC i le gaosiga o semiconductor, ma tuʻuina ai lenei substrate o se tagata taʻalo autu i le maketi o le graphite wafer carrier ma le maketi o le silicon carbide coated graphite trays.

Uiga Masani o le Meafaitino Fa'avae o le Graphite:

Mafiafia e Vaaia:	1.85 kalama/cm3
Tete'e Fa'aeletise:	11 μΩm
Malosiaga Fa'alava:	49 MPa (500kgf/cm2)
Ma'a'a o le Matafaga:	58
Lefulefu:	<5ppm
Fa'avevela o le Tafega:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Uiga faaletino faavae o le CVD SiCufiufi
性质 / Meatotino	典型数值 / Taua masani
晶体结构 / Fa'a tioata	FCC β phase 多晶，主要为（111）取向
密度 / Density	3.21 kalama/cm³
硬度 / Malosi	2500 维氏硬度（500g uta）
晶粒大小 / Saito SiZe	2~10μm
纯度 / Vailaau Mama	99.99995%
热容 / Malosiaga vevela	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sulimation Temperature	2700℃
抗弯强度 / Malosi Fa'afoliga	415 MPa RT 4-point
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt pi'o, 1300℃
导热系数 / Fa'avevela vevela	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le vevela(CTE)	4.5×10^-6K^-1

O le VET Energy o le kamupani gaosi oloa fa'apitoa mo le graphite ma le silicon carbide ma oloa vali eseese e pei o le SiC coating, TaC coating, glassy carbon coating, pyrolytic carbon coating, ma isi, e mafai ona sapalai vaega eseese fa'apitoa mo le alamanuia semiconductor ma le photovoltaic.

O la matou 'au fa'apitoa e sau mai fa'alapotopotoga su'esu'e sili ona lelei i totonu o le atunu'u, e mafai ona tu'uina atu ni fofo fa'apitoa mo oe.

Matou te faʻaauau pea ona atiaʻe ni faiga faʻaonaponei e tuʻuina atu ai meafaitino e sili atu ona faʻaonaponei, ma ua matou faia se tekinolosi faʻapitoa ua pateniina, lea e mafai ona faʻamautu ai le pipii i le va o le ufiufi ma le mea e fai ai ma faʻaitiitia ai le faigofie ona motusia.

Faafeiloa'i atu ma le agalelei oe e asiasi mai i la matou fale gaosimea, se'i o tatou faia nisi talanoaga!