Características:
• Excelente resistência ao choque térmico
• Excelente resistência a impactos físicos
• Excelente resistência química
• Pureza super elevada
• Disponibilidade em formatos complexos
• Pode ser usado em atmosfera oxidante.
Aplicativo:
Características e vantagens do produto:
1. Resistência térmica superior:Com alta purezarevestimento de SiCO substrato suporta temperaturas extremas, garantindo um desempenho consistente em ambientes exigentes, como epitaxia e fabricação de semicondutores.
2. Maior durabilidade:Os componentes de grafite revestidos com SiC são projetados para resistir à corrosão química e à oxidação, aumentando a vida útil do substrato em comparação com os substratos de grafite padrão.
3. Grafite Revestido Vitrificado:A estrutura vítrea única dorevestimento de SiCProporciona excelente dureza superficial, minimizando o desgaste durante o processamento em altas temperaturas.
4. Revestimento de SiC de alta pureza:Nosso substrato garante contaminação mínima em processos semicondutores sensíveis, oferecendo confiabilidade para indústrias que exigem pureza rigorosa dos materiais.
5. Ampla aplicação no mercado:Osusceptor de grafite revestido com SiCO mercado continua a crescer à medida que aumenta a procura por produtos avançados revestidos com SiC na fabricação de semicondutores, posicionando este substrato como um interveniente fundamental tanto no mercado de suportes de wafers de grafite como no mercado de bandejas de grafite revestidas com carbeto de silício.
Propriedades típicas do material base de grafite:
| Densidade aparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistividade elétrica: | 11 μΩm |
| Resistência à flexão: | 49 MPa (500 kgf/cm²) |
| Dureza da costa: | 58 |
| Cinzas: | <5 ppm |
| Condutividade térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
| DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento | |
| 性质 / Propriedade | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 / Estrutura Cristalina | Fase β da FCC |
| Densidade / Densidade | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 unidades (carga de 500g) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2~10μm |
| 纯度 / Pureza Química | 99,99995% |
| 热容 / Capacidade de Calor | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de Sublimação | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistência à Flexão | 415 MPa RT 4 pontos |
| Módulo de Young | 430 GPa, curvatura de 4 pontos, 1300 °C |
| 导热系数 / Condutividade Térmica | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
A VET Energy é uma fabricante de produtos personalizados de grafite e carbeto de silício com diferentes revestimentos, como revestimento de SiC, revestimento de TaC, revestimento de carbono vítreo, revestimento de carbono pirolítico, etc., podendo fornecer diversas peças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica.
Nossa equipe técnica é formada por profissionais das principais instituições de pesquisa nacionais, podendo oferecer soluções de materiais mais especializadas.
Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais sofisticados e criamos uma tecnologia patenteada exclusiva que torna a adesão entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa a desprendimento.
Será um prazer recebê-lo(a) em nossa fábrica. Vamos conversar mais sobre o assunto!
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