Revestimento de SiC/Substrato de grafite revestido/Bandeja para semicondutores

Descrição resumida:

O Susceptor de Grafite Revestido com SiC da VET Energy para Crescimento Epitaxial é um produto de alto desempenho projetado para fornecer desempenho consistente e confiável por um longo período. Possui excelente resistência ao calor e uniformidade térmica, alta pureza e resistência à erosão, tornando-o a solução perfeita para aplicações de processamento de wafers.

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Revestimento de SiC/revestimento de grafite para semicondutores

OSubstrato de grafite revestido com SiCÉ uma solução altamente durável e eficiente, projetada para atender às rigorosas exigências da indústria de processamento de semicondutores. Apresenta uma camada de alta purezarevestimento de carbeto de silício (SiC)Este substrato oferece estabilidade térmica excepcional, resistência à oxidação e vida útil prolongada, tornando-o ideal para aplicações em processos MOCVD, suportes de wafers de grafite e outros ambientes de alta temperatura.

Características:
• Excelente resistência ao choque térmico
• Excelente resistência a impactos físicos
• Excelente resistência química
• Pureza super elevada
• Disponibilidade em formatos complexos
• Pode ser usado em atmosfera oxidante.

Aplicativo:

Características e vantagens do produto:

1. Resistência térmica superior:Com alta purezarevestimento de SiCO substrato suporta temperaturas extremas, garantindo um desempenho consistente em ambientes exigentes, como epitaxia e fabricação de semicondutores.

2. Maior durabilidade:Os componentes de grafite revestidos com SiC são projetados para resistir à corrosão química e à oxidação, aumentando a vida útil do substrato em comparação com os substratos de grafite padrão.

3. Grafite Revestido Vitrificado:A estrutura vítrea única dorevestimento de SiCProporciona excelente dureza superficial, minimizando o desgaste durante o processamento em altas temperaturas.

4. Revestimento de SiC de alta pureza:Nosso substrato garante contaminação mínima em processos semicondutores sensíveis, oferecendo confiabilidade para indústrias que exigem pureza rigorosa dos materiais.

5. Ampla aplicação no mercado:Osusceptor de grafite revestido com SiCO mercado continua a crescer à medida que aumenta a procura por produtos avançados revestidos com SiC na fabricação de semicondutores, posicionando este substrato como um ator fundamental tanto no mercado de suportes de wafers de grafite quanto no mercado de bandejas de grafite revestidas com carbeto de silício.

Propriedades típicas do material base de grafite:

Densidade aparente:	1,85 g/cm³
Resistividade elétrica:	11 μΩm
Resistência à flexão:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Dureza da costa:	58
Cinzas:	<5 ppm
Condutividade térmica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento
性质 / Propriedade	典型数值 / Valor típico
晶体结构 / Estrutura Cristalina	Fase β da FCC
Densidade / Densidade	3,21 g/cm³
硬度 / Dureza	2500 unidades (carga de 500g)
晶粒大小 / Grain SiZe	2~10μm
纯度 / Pureza Química	99,99995%
热容 / Capacidade de Calor	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura de Sublimação	2700℃
抗弯强度 / Resistência à Flexão	415 MPa RT 4 pontos
Módulo de Young	430 GPa, curvatura de 4 pontos, 1300 °C
导热系数 / Condutividade Térmica	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

A VET Energy é uma fabricante de produtos personalizados de grafite e carbeto de silício com diferentes revestimentos, como revestimento de SiC, revestimento de TaC, revestimento de carbono vítreo, revestimento de carbono pirolítico, etc., podendo fornecer diversas peças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica.

Nossa equipe técnica é formada por profissionais das principais instituições de pesquisa nacionais, podendo oferecer soluções de materiais mais especializadas.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais sofisticados e criamos uma tecnologia patenteada exclusiva que torna a adesão entre o revestimento e o substrato mais forte e menos propensa a desprendimento.

Será um prazer recebê-lo(a) em nossa fábrica. Vamos conversar mais sobre o assunto!