को मुख्य कार्यहरूसिलिकन कार्बाइड डुङ्गासमर्थन र क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थन समान छन्।सिलिकन कार्बाइड डुङ्गासमर्थनमा उत्कृष्ट प्रदर्शन छ तर उच्च मूल्य छ। यसले कठोर काम गर्ने अवस्थाहरू (जस्तै LPCVD उपकरण र बोरोन प्रसार उपकरण) भएका ब्याट्री प्रशोधन उपकरणहरूमा क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थनसँग वैकल्पिक सम्बन्ध गठन गर्दछ। सामान्य काम गर्ने अवस्था भएका ब्याट्री प्रशोधन उपकरणहरूमा, मूल्य सम्बन्धका कारण, सिलिकन कार्बाइड र क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थन सहअस्तित्व र प्रतिस्पर्धी कोटीहरू बन्छन्।
① LPCVD र बोरोन प्रसार उपकरणहरूमा प्रतिस्थापन सम्बन्ध
LPCVD उपकरण ब्याट्री सेल टनेलिङ अक्सिडेशन र डोप गरिएको पोलिसिलिकन तह तयारी प्रक्रियाको लागि प्रयोग गरिन्छ। कार्य सिद्धान्त:
कम-दबावयुक्त वातावरणमा, उपयुक्त तापक्रमसँग मिलाएर, रासायनिक प्रतिक्रिया र निक्षेपण फिल्म गठन गरी अल्ट्रा-थिन टनेलिङ अक्साइड तह र पोलिसिलिकन फिल्म तयार गरिन्छ। टनेलिङ अक्सिडेशन र डोप्ड पोलिसिलिकन तह तयारी प्रक्रियामा, डुङ्गा समर्थनमा उच्च कार्य तापक्रम हुन्छ र सतहमा सिलिकन फिल्म जम्मा हुनेछ। क्वार्ट्जको थर्मल विस्तार गुणांक सिलिकनको भन्दा धेरै फरक छ। माथिको प्रक्रियामा प्रयोग गर्दा, सिलिकनबाट फरक थर्मल विस्तार गुणांकको कारण थर्मल विस्तार र संकुचनका कारण क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थन फुट्नबाट रोक्नको लागि सतहमा जम्मा भएको सिलिकनलाई नियमित रूपमा अचार बनाउनु र हटाउनु आवश्यक छ। बारम्बार अचार र कम उच्च-तापमान शक्तिको कारणले गर्दा, क्वार्ट्ज डुङ्गा होल्डरको आयु छोटो हुन्छ र सुरुङ अक्सिडेशन र डोप्ड पोलिसिलिकन तह तयारी प्रक्रियामा बारम्बार प्रतिस्थापन गरिन्छ, जसले ब्याट्री सेलको उत्पादन लागतमा उल्लेखनीय वृद्धि गर्दछ। को विस्तार गुणांकसिलिकन कार्बाइडसिलिकनको नजिक छ। एकीकृतसिलिकन कार्बाइड डुङ्गाहोल्डरलाई सुरुङ अक्सिडेशन र डोप गरिएको पोलिसिलिकन तह तयारी प्रक्रियामा अचारको आवश्यकता पर्दैन। यसमा उच्च उच्च-तापमान शक्ति र लामो सेवा जीवन छ। यो क्वार्ट्ज डुङ्गा होल्डरको लागि राम्रो विकल्प हो।
बोरन विस्तार उपकरण मुख्यतया ब्याट्री सेलको N-प्रकार सिलिकन वेफर सब्सट्रेटमा बोरन तत्वहरू डोपिङ गर्ने प्रक्रियाको लागि प्रयोग गरिन्छ जसले P-प्रकार उत्सर्जकलाई PN जंक्शन बनाउन तयार गर्दछ। कार्य सिद्धान्त भनेको उच्च-तापमान वायुमण्डलमा रासायनिक प्रतिक्रिया र आणविक निक्षेप फिल्म गठनलाई महसुस गर्नु हो। फिल्म बनेपछि, सिलिकन वेफर सतहको डोपिङ प्रकार्यलाई महसुस गर्न उच्च-तापमान तापद्वारा यसलाई फैलाउन सकिन्छ। बोरन विस्तार उपकरणको उच्च कार्य तापक्रमको कारण, क्वार्ट्ज डुङ्गा होल्डरमा कम उच्च-तापमान शक्ति र बोरन विस्तार उपकरणमा छोटो सेवा जीवन हुन्छ। एकीकृतसिलिकन कार्बाइड डुङ्गाहोल्डरमा उच्च-तापमान शक्ति हुन्छ र बोरोन विस्तार प्रक्रियामा क्वार्ट्ज डुङ्गा होल्डरको लागि यो राम्रो विकल्प हो।
② अन्य प्रक्रिया उपकरणहरूमा प्रतिस्थापन सम्बन्ध
SiC डुङ्गा समर्थनहरूमा कडा उत्पादन क्षमता र उत्कृष्ट प्रदर्शन छ। तिनीहरूको मूल्य निर्धारण सामान्यतया क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थनहरू भन्दा बढी हुन्छ। सेल प्रशोधन उपकरणहरूको सामान्य कार्य अवस्थाहरूमा, SiC डुङ्गा समर्थनहरू र क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थनहरू बीचको सेवा जीवनमा भिन्नता कम हुन्छ। डाउनस्ट्रीम ग्राहकहरूले मुख्यतया आफ्नो प्रक्रिया र आवश्यकताहरूको आधारमा मूल्य र प्रदर्शन बीच तुलना गर्छन् र छनौट गर्छन्। SiC डुङ्गा समर्थनहरू र क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थनहरू सहअस्तित्व र प्रतिस्पर्धी भएका छन्। यद्यपि, हाल SiC डुङ्गा समर्थनहरूको कुल नाफा मार्जिन अपेक्षाकृत उच्च छ। SiC डुङ्गा समर्थनहरूको उत्पादन लागतमा गिरावटसँगै, यदि SiC डुङ्गा समर्थनहरूको बिक्री मूल्य सक्रिय रूपमा घट्यो भने, यसले क्वार्ट्ज डुङ्गा समर्थनहरूको लागि ठूलो प्रतिस्पर्धात्मकता पनि खडा गर्नेछ।
उपयोग अनुपात
सेल प्रविधि मार्ग मुख्यतया PERC प्रविधि र TOPCon प्रविधि हो। PERC प्रविधिको बजार हिस्सा ८८% छ, र TOPCon प्रविधिको बजार हिस्सा ८.३% छ। यी दुईको संयुक्त बजार हिस्सा ९६.३०% छ।
तलको चित्रमा देखाइए अनुसार:
PERC प्रविधिमा, अगाडिको फस्फोरस प्रसार र एनिलिङ प्रक्रियाहरूको लागि डुङ्गा समर्थन आवश्यक पर्दछ। TOPCon प्रविधिमा, अगाडिको बोरोन प्रसार, LPCVD, पछाडिको फस्फोरस प्रसार र एनिलिङ प्रक्रियाहरूको लागि डुङ्गा समर्थन आवश्यक पर्दछ। हाल, सिलिकन कार्बाइड डुङ्गा समर्थनहरू मुख्यतया TOPCon प्रविधिको LPCVD प्रक्रियामा प्रयोग गरिन्छ, र बोरोन प्रसार प्रक्रियामा तिनीहरूको प्रयोग मुख्यतया प्रमाणित गरिएको छ।
चित्र कोष प्रशोधन प्रक्रियामा डुङ्गा समर्थनको प्रयोग
नोट: PERC र TOPCon प्रविधिहरूको अगाडि र पछाडि कोटिंग पछि, स्क्रिन प्रिन्टिङ, सिन्टरिङ र परीक्षण र क्रमबद्ध गर्ने जस्ता लिङ्कहरू अझै पनि छन्, जसमा डुङ्गा समर्थनको प्रयोग समावेश छैन र माथिको चित्रमा सूचीबद्ध छैनन्।
पोस्ट समय: अक्टोबर-१५-२०२४