Esasy funksiýalarykremniý karbid gaýygydaýanç we kwars gaýyk daýançlary birmeňzeşdir.Silikon karbid gaýygygoldaw ajaýyp öndürijilige eýedir, ýöne bahasy ýokary. Ol agyr iş şertleri bolan batareýa gaýtadan işleýän enjamlarda (meselem, LPCVD enjamlary we bor diffuziýa enjamlary) kwarts gaýyk goldawy bilen alternatiw gatnaşygy emele getirýär. Adaty iş şertleri bolan batareýa gaýtadan işleýän enjamlarda, baha gatnaşyklary sebäpli, kremniý karbidi we kwarts gaýyk goldawy bilelikde ýaşaýan we bäsleşýän kategoriýalara öwrülýär.
① LPCVD we bor diffuziýa enjamlarynda çalyşma gatnaşygy
LPCVD enjamlary batareýa öýjükleriniň tunel oksidlenmesi we lehimlenen polisilikon gatlagyny taýýarlamak prosesi üçin ulanylýar. Iş prinsipi:
Pes basyşly atmosferada, degişli temperatura bilen utgaşdyrylyp, himiki reaksiýa we çökündi plýonkasynyň emele gelmegi amala aşyrylýar, bu bolsa ultra inçe tunnel oksid gatlagyny we polisilikon plýonkasyny taýýarlaýar. Tunel oksidlenmesinde we lehimlenen polisilikon gatlagyny taýýarlamak prosesinde gaýyk daýanjy ýokary iş temperaturasyna eýe bolýar we ýüzüne kremniý plýonkasy çökýär. Kwarsyň termiki giňelme koeffisiýenti kremniýiňkiden düýpgöter tapawutlanýar. Ýokardaky prosesde ulanylanda, kremniýden tapawutly termiki giňelme koeffisiýenti sebäpli termiki giňelme we gysylma sebäpli kwars gaýyk daýanjynyň döwülmeginiň öňüni almak üçin ýüzüne çöken kremniýi yzygiderli duzlamak we aýyrmak zerurdyr. Ýygy-ýygydan duzlamak we ýokary temperatura berkliginiň pes bolmagy sebäpli, kwars gaýyk saklaýjysynyň ömrü gysga we tunnel oksidlenmesinde we lehimlenen polisilikon gatlagyny taýýarlamak prosesinde ýygy-ýygydan çalşyrylýar, bu bolsa batareýa öýjükleriniň önümçilik çykdajylaryny ep-esli ýokarlandyrýar. Giňelme koeffisiýentikremniý karbidikremniýiňkine ýakyndyr. Integrasiýa edilenkremniý karbid gaýygyTunel oksidlenmesinde we lehimlenen polisilikon gatlagyny taýýarlamak prosesinde saklaýjyny duzlamak gerek däl. Ol ýokary temperatura berkligine we uzak hyzmat möhletine eýedir. Ol kwars gaýyk saklaýjysyna gowy alternatiwadyr.
Bor giňeldiş enjamy, esasan, P-tipli emitenti PN birikmesini emele getirmek üçin taýýarlamak maksady bilen batareýa öýjükleriniň N-tipli kremniý wafer substratyna bor elementlerini lehimlemek prosesi üçin ulanylýar. Iş prinsipi ýokary temperatura atmosferasynda himiki reaksiýany we molekulýar çökündi plýonkasynyň emele gelmegini amala aşyrmakdyr. Plýonka emele gelenden soň, kremniý wafer ýüzüniň lehimlemek funksiýasyny amala aşyrmak üçin ýokary temperatura gyzdyrmak arkaly ýaýradylyp bilner. Bor giňeldiş enjamynyň ýokary iş temperaturasy sebäpli, kwars gaýyk saklaýjysy bor giňeldiş enjamynda pes ýokary temperatura berkligine we gysga hyzmat möhletine eýedir. Integrasiýa edilenkremniý karbid gaýygytutujy ýokary ýokary temperatura berkligine eýedir we bor giňeltme prosesinde kwars gaýyk tutujysyna gowy alternatiwa bolup durýar.
2 Beýleki proses enjamlarynda çalyşma gatnaşygy
SiC gaýyk daýançlary berk önümçilik kuwwatyna we ajaýyp öndürijilige eýedir. Olaryň bahasy, adatça, kwars gaýyk daýançlaryndan has ýokarydyr. Öýjük gaýtadan işleýän enjamlaryň umumy iş şertlerinde SiC gaýyk daýançlary bilen kwars gaýyk daýançlarynyň arasyndaky hyzmat ömrüniň tapawudy az. Aşakdaky müşderiler esasan öz proseslerine we zerurlyklaryna esaslanyp, bahany we öndürijiligi deňeşdirýärler we saýlaýarlar. SiC gaýyk daýançlary we kwars gaýyk daýançlary bilelikde bar we bäsdeşlige ukyply boldy. Şeýle-de bolsa, SiC gaýyk daýançlarynyň umumy girdeji derejesi häzirki wagtda deňeşdirme boýunça ýokary. SiC gaýyk daýançlarynyň önümçilik çykdajylarynyň pese gaçmagy bilen, eger SiC gaýyk daýançlarynyň satuw bahasy işjeň pese gaçsa, bu kwars gaýyk daýançlaryna has uly bäsdeşlik döreder.
Ulanyş gatnaşygy
Öýjük tehnologiýasynyň ugry esasan PERC tehnologiýasy we TOPCon tehnologiýasydyr. PERC tehnologiýasynyň bazar paýy 88%, TOPCon tehnologiýasynyň bolsa bazar paýy 8.3%. Ikisiniň umumy bazar paýy 96.30% -e deňdir.
Aşakdaky suratda görkezilişi ýaly:
PERC tehnologiýasynda gaýyk daýançlary öň fosfor diffuziýasy we ýumşatmak prosesleri üçin zerurdyr. TOPCon tehnologiýasynda gaýyk daýançlary öň bor diffuziýasy, LPCVD, yzky fosfor diffuziýasy we ýumşatmak prosesleri üçin zerurdyr. Häzirki wagtda kremniý karbid gaýyk daýançlary esasan TOPCon tehnologiýasynyň LPCVD prosesinde ulanylýar we olaryň bor diffuziýasy prosesinde ulanylyşy esasan tassyklanyldy.
Surat Gaýyk daýançlarynyň öýjük işlemegi prosesinde ulanylyşy
Bellik: PERC we TOPCon tehnologiýalarynyň öň we arka örtüginden soň, gaýyk daýançlaryny ulanmaýan we ýokardaky suratda görkezilmedik ekran çap etmek, sinterlemek we synagdan geçirmek we tertiplemek ýaly baglanyşyklar henizem bar.
Ýerleşdirilen wagty: 2024-nji ýylyň 15-nji oktýabry