ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေထောက်ပံ့မှု၏ အားသာချက်များနှင့် ကွာ့ဇ်လှေထောက်ပံ့မှုနှိုင်းယှဉ်ခြင်း

ရဲ့ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်တွေကတော့ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေsupport နှင့် quartz boat support တို့သည် အတူတူပင်ဖြစ်သည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေအထောက်အပံ့သည် အလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော်လည်း ဈေးနှုန်းမြင့်မားသည်။ ၎င်းသည် ပြင်းထန်သောအလုပ်လုပ်သည့်အခြေအနေများရှိသော ဘက်ထရီလုပ်ဆောင်သည့်ပစ္စည်းကိရိယာများ (ဥပမာ LPCVD ပစ္စည်းကိရိယာများနှင့် ဘိုရွန်ပျံ့နှံ့မှုပစ္စည်းကိရိယာများ) တွင် ကွာ့ဇ်လှေအထောက်အပံ့နှင့် အခြားရွေးချယ်စရာဆက်ဆံရေးတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပုံမှန်အလုပ်လုပ်သည့်အခြေအနေများရှိသော ဘက်ထရီလုပ်ဆောင်သည့်ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်၊ ဈေးနှုန်းဆက်နွယ်မှုများကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် ကွာ့ဇ်လှေအထောက်အပံ့သည် တွဲဖက်တည်ရှိပြီး ယှဉ်ပြိုင်သည့်အမျိုးအစားများဖြစ်လာသည်။

① LPCVD နှင့် ဘိုရွန်ပျံ့နှံ့မှုပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အစားထိုးဆက်ဆံရေး

LPCVD ပစ္စည်းကိရိယာများကို ဘက်ထရီဆဲလ်ဥမင်လိုဏ်ခေါင်းအောက်ဆီဒေးရှင်းနှင့် doped polysilicon အလွှာပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွက် အသုံးပြုသည်။ အလုပ်လုပ်ပုံမူ-

ဖိအားနည်းသောလေထုအောက်တွင်၊ သင့်လျော်သောအပူချိန်နှင့်ပေါင်းစပ်ပြီး အလွန်ပါးလွှာသော tunneling oxide အလွှာနှင့် polysilicon ဖလင်ကိုပြင်ဆင်ရန် ဓာတုဓာတ်ပြုမှုနှင့် deposition film ဖွဲ့စည်းမှုကို ရရှိသည်။ tunneling oxidation နှင့် doped polysilicon အလွှာပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ လှေအထောက်အပံ့သည် မြင့်မားသောအလုပ်လုပ်အပူချိန်ရှိပြီး silicon ဖလင်ကို မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံလိမ့်မည်။ quartz ၏ thermal expansion coefficient သည် silicon နှင့် အတော်လေးကွာခြားသည်။ အထက်ပါလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသောအခါ၊ silicon နှင့်ကွဲပြားသော thermal expansion coefficient ကြောင့် thermal expansion နှင့် contraction ကြောင့် quartz လှေအထောက်အပံ့ကွဲသွားခြင်းမှကာကွယ်ရန် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်စုပုံနေသော silicon ကိုပုံမှန် pickle လုပ်ရန်နှင့်ဖယ်ရှားရန်လိုအပ်သည်။ မကြာခဏ pickling နှင့် အပူချိန်မြင့်အစွမ်းသတ္တိနိမ့်ခြင်းကြောင့် quartz လှေကိုင်ဆောင်သူသည်သက်တမ်းတိုတောင်းပြီး tunnel oxidation နှင့် doped polysilicon အလွှာပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် မကြာခဏအစားထိုးလေ့ရှိပြီး ဘက်ထရီဆဲလ်၏ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို သိသိသာသာတိုးစေသည်။ expansion coefficient ၏ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဆီလီကွန်နှင့် နီးစပ်ပါသည်။ ပေါင်းစပ်ထားသောဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေကိုင်ဆောင်သူသည် tunnel oxidation နှင့် doped polysilicon layer ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် pickling မလိုအပ်ပါ။ ၎င်းတွင် မြင့်မားသော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ကြာရှည်ခံသည်။ ၎င်းသည် quartz boat ကိုင်ဆောင်သူအတွက် ကောင်းမွန်သော အစားထိုးတစ်ခုဖြစ်သည်။

ဘိုရွန်ချဲ့ထွင်ရေးပစ္စည်းကိရိယာများကို အဓိကအားဖြင့် ဘက်ထရီဆဲလ်၏ N-အမျိုးအစား ဆီလီကွန်ဝေဖာအလွှာပေါ်တွင် ဘိုရွန်ဒြပ်စင်များကို doping လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် အသုံးပြုပြီး P-အမျိုးအစား emitter ကို PN junction ဖွဲ့စည်းရန် ပြင်ဆင်သည်။ အလုပ်လုပ်ပုံမှာ အပူချိန်မြင့်သောလေထုတွင် ဓာတုဗေဒတုံ့ပြန်မှုနှင့် မော်လီကျူးငွေစုဖလင်ဖွဲ့စည်းခြင်းကို သဘောပေါက်ရန်ဖြစ်သည်။ ဖလင်ဖွဲ့စည်းပြီးနောက် ဆီလီကွန်ဝေဖာမျက်နှာပြင်၏ doping လုပ်ဆောင်ချက်ကို သဘောပေါက်ရန် အပူချိန်မြင့်သောအပူပေးခြင်းဖြင့် ပျံ့နှံ့နိုင်သည်။ ဘိုရွန်ချဲ့ထွင်ရေးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ မြင့်မားသောအလုပ်လုပ်အပူချိန်ကြောင့် ကွာ့ဇ်လှေကိုင်ဆောင်သူသည် ဘိုရွန်ချဲ့ထွင်ရေးပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အပူချိန်မြင့်သောအစွမ်းသတ္တိနိမ့်ပြီး ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းတိုသည်။ ပေါင်းစပ်ထားသောဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေကိုင်ဆောင်ထားသူသည် အပူချိန်မြင့်မားသော ခိုင်ခံ့မှုမြင့်မားပြီး ဘိုရွန်ချဲ့ထွင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ကွာ့ဇ်လှေကိုင်ဆောင်ထားသူအတွက် ကောင်းမွန်သော အစားထိုးတစ်ခုဖြစ်သည်။

② အခြားလုပ်ငန်းစဉ်ပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အစားထိုးဆက်ဆံရေး

SiC လှေထောက်တိုင်များသည် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည် တင်းကျပ်ပြီး စွမ်းဆောင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ ဈေးနှုန်းသည် ယေဘုယျအားဖြင့် quartz လှေထောက်တိုင်များထက် ပိုမိုမြင့်မားပါသည်။ ဆဲလ်ပြုပြင်သည့် စက်ပစ္စည်းများ၏ ယေဘုယျလုပ်ငန်းခွင်အခြေအနေများတွင် SiC လှေထောက်တိုင်များနှင့် quartz လှေထောက်တိုင်များအကြား ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း ကွာခြားချက်မှာ အလွန်နည်းပါးပါသည်။ အောက်ပိုင်းဖောက်သည်များသည် ၎င်းတို့၏ကိုယ်ပိုင်လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် လိုအပ်ချက်များအပေါ် အခြေခံ၍ ဈေးနှုန်းနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို အဓိကအားဖြင့် နှိုင်းယှဉ်ရွေးချယ်ကြသည်။ SiC လှေထောက်တိုင်များနှင့် quartz လှေထောက်တိုင်များသည် တစ်ပြိုင်နက်တည်းတည်ရှိပြီး ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းရှိလာပါသည်။ သို့သော် SiC လှေထောက်တိုင်များ၏ အသားတင်အမြတ်အစွန်းသည် လက်ရှိတွင် အတော်လေးမြင့်မားပါသည်။ SiC လှေထောက်တိုင်များ၏ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ် ကျဆင်းလာခြင်းနှင့်အတူ SiC လှေထောက်တိုင်များ၏ ရောင်းချမှုဈေးနှုန်း တက်ကြွစွာကျဆင်းသွားပါက quartz လှေထောက်တိုင်များနှင့် ပိုမိုယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းရှိလာမည်ဖြစ်သည်။

အသုံးပြုမှုအချိုး

ဆဲလ်နည်းပညာလမ်းကြောင်းမှာ အဓိကအားဖြင့် PERC နည်းပညာနှင့် TOPCon နည်းပညာဖြစ်သည်။ PERC နည်းပညာ၏ ဈေးကွက်ဝေစုမှာ ၈၈% ရှိပြီး TOPCon နည်းပညာ၏ ဈေးကွက်ဝေစုမှာ ၈.၃% ရှိသည်။ နှစ်ခုပေါင်း ဈေးကွက်ဝေစုမှာ ၉၆.၃၀% ရှိသည်။

အောက်ပါပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း-

PERC နည်းပညာတွင် ရှေ့ပိုင်းဖော့စဖရပ်စ်ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အပူပေးလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် လှေအထောက်အပံ့များ လိုအပ်ပါသည်။ TOPCon နည်းပညာတွင် ရှေ့ပိုင်းဘိုရွန်ပျံ့နှံ့မှု၊ LPCVD၊ နောက်ပိုင်းဖော့စဖရပ်စ်ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အပူပေးလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် လှေအထောက်အပံ့များ လိုအပ်ပါသည်။ လက်ရှိတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေအထောက်အပံ့များကို TOPCon နည်းပညာ၏ LPCVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအသုံးပြုပြီး ဘိုရွန်ပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ၎င်းတို့၏အသုံးချမှုကို အဓိကအားဖြင့် အတည်ပြုပြီးဖြစ်သည်။

ပုံ - ဆဲလ်ပြုပြင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် လှေအထောက်အပံ့များအသုံးပြုခြင်း

မှတ်ချက်- PERC နှင့် TOPCon နည်းပညာများ၏ ရှေ့နှင့်နောက် အလွှာအုပ်ပြီးနောက်၊ မျက်နှာပြင်ပုံနှိပ်ခြင်း၊ sintering နှင့် စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် sorting ကဲ့သို့သော လင့်ခ်များ ရှိနေဆဲဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းတို့သည် လှေအထောက်အပံ့များကို အသုံးမပြုဘဲ အထက်ပါပုံတွင် မဖော်ပြထားပါ။