Déi Haaptfunktioune vunSiliziumkarbidbootËnnerstëtzung an Quarzbootsënnerstëtzung sinn d'selwecht.SiliziumkarbidbootD'Ënnerstëtzung huet exzellent Leeschtung awer e héije Präis. Et stellt eng alternativ Bezéiung mat der Quarz-Bootsënnerstëtzung a Batterieveraarbechtungsausrüstung mat haarde Betribsbedingungen (wéi LPCVD-Ausrüstung a Bor-Diffusiounsausrüstung) duer. A Batterieveraarbechtungsausrüstung mat normalen Betribsbedingungen, wéinst Präisverhältnisser, ginn Siliziumcarbid- a Quarz-Bootsënnerstëtzung zu koexistéierenden a konkurréierende Kategorien.
① Substitutiounsbezéiung an LPCVD- an Bordiffusiounsausrüstung
LPCVD-Ausrüstung gëtt fir d'Oxidatioun vu Batteriezellen-Tunneléierung an d'Virbereedung vu Polysiliziumschichten mat dotiertem Polysilizium benotzt. Funktionsprinzip:
Ënner Nidderdrockatmosphär, kombinéiert mat der entspriechender Temperatur, ginn chemesch Reaktiounen an d'Bildung vu Oflagerungsfilmer erreecht fir eng ultradënn Tunneloxidschicht a Polysiliziumfilm ze preparéieren. Beim Tunneloxidatiouns- a Polysiliziumschichtvirbereedungsprozess huet d'Bootsträger eng héich Aarbechtstemperatur an e Siliziumfilm gëtt op der Uewerfläch ofgesat. Den thermeschen Ausdehnungskoeffizient vu Quarz ass ganz anescht wéi dee vu Silizium. Wann et am uewe genannten Prozess benotzt gëtt, ass et néideg, de Silizium, deen op der Uewerfläch ofgesat gouf, regelméisseg ze beizen an ze entfernen, fir ze verhënneren, datt de Quarz-Bootsträger wéinst thermescher Ausdehnung a Kontraktioun brécht, well en ënnerschiddlechen thermeschen Ausdehnungskoeffizient am Verglach mat Silizium huet. Wéinst dem heefege Beizen an der gerénger Héichtemperaturfestigkeit huet de Quarz-Bootsträger eng kuerz Liewensdauer a gëtt dacks beim Tunneloxidatiouns- a Polysiliziumschichtvirbereedungsprozess ersat, wat d'Produktiounskäschte vun der Batteriezell däitlech erhéicht. Den Ausdehnungskoeffizient vunSiliziumkarbidass no bei deem vu Silizium. Déi integréiertSiliziumkarbidbootDen Halter brauch keng Beizung am Tunneloxidatiounsprozess an der Virbereedung vun der dotierter Polysiliziumschicht. En huet eng héich Héichtemperaturfestigkeit a laang Liewensdauer. Et ass eng gutt Alternativ zum Quarz-Bootshalter.
Bor-Expansiounsausrüstung gëtt haaptsächlech fir de Prozess vum Dotiere vu Borelementer op dem N-Typ Siliziumwafer-Substrat vun der Batteriezell benotzt, fir den P-Typ Emitter fir d'Bildung vun enger PN-Verbindung virzebereeden. De Funktionsprinzip ass d'Reaktioun an d'Bildung vun engem molekulare Oflagerungsfilm an enger Héichtemperaturatmosphär ëmzesetzen. Nodeems de Film geformt ass, kann en duerch Héichtemperaturheizung diffuséiert ginn, fir d'Dotierungsfunktioun vun der Siliziumwaferuewerfläch ëmzesetzen. Wéinst der héijer Aarbechtstemperatur vun der Bor-Expansiounsausrüstung huet de Quarz-Boothalter eng niddreg Héichtemperaturfestigkeit an eng kuerz Liewensdauer an der Bor-Expansiounsausrüstung. Déi integréiert ...SiliziumkarbidbootDen Halter huet eng héich Héichtemperaturfestigkeit an ass eng gutt Alternativ zum Quarz-Bootshalter am Bor-Expansiounsprozess.
② Substitutiounsbezéiung an anere Prozessausrüstung
SiC-Bootsträger hunn eng kleng Produktiounskapazitéit an exzellent Leeschtung. Hir Präisser si generell méi héich wéi déi vu Quarz-Bootsträger. Ënner de generelle Betribsbedingunge vun Zellveraarbechtungsausrüstung ass den Ënnerscheed an der Liewensdauer tëscht SiC-Bootsträger a Quarz-Bootsträger kleng. Downstream-Clienten vergläichen a wielen haaptsächlech tëscht Präis a Leeschtung op Basis vun hiren eegene Prozesser a Bedierfnesser. SiC-Bootsträger a Quarz-Bootsträger si koexistéierend a kompetitiv ginn. Wéi och ëmmer, d'Bruttogewënnmarge vu SiC-Bootsträger ass de Moment relativ héich. Mat dem Réckgang vun de Produktiounskäschte vu SiC-Bootsträger, wann de Verkafspräis vu SiC-Bootsträger aktiv fällt, wäert dat och eng méi grouss Konkurrenzfäegkeet fir Quarz-Bootsträger duerstellen.
Benotzungsquote
De Wee vun der Zelltechnologie ass haaptsächlech PERC-Technologie an TOPCon-Technologie. De Maartundeel vun der PERC-Technologie ass 88%, an de Maartundeel vun der TOPCon-Technologie ass 8,3%. De kombinéierte Maartundeel vun deenen zwee ass 96,30%.
Wéi an der Figur hei ënnendrënner gewisen:
An der PERC-Technologie sinn Schëffsënnerstëtzunge fir d'Frontphosphordiffusiouns- a Glühprozesser noutwendeg. An der TOPCon-Technologie sinn Schëffsënnerstëtzunge fir d'Frontbordiffusiouns-, LPCVD-, Réckphosphordiffusiouns- a Glühprozesser noutwendeg. Aktuell ginn Siliziumcarbid-Schëffsënnerstëtzunge haaptsächlech am LPCVD-Prozess vun der TOPCon-Technologie benotzt, an hir Uwendung am Bordiffusiounsprozess ass haaptsächlech verifizéiert ginn.
Figur Uwendung vu Bootsträger am Zellveraarbechtungsprozess
Bemierkung: Nom Front- a Réckbeschichtung vun de PERC- an TOPCon-Technologien gëtt et nach ëmmer Verbindungen ewéi Siebdruck, Sinterung, Tester an Sortéierung, déi net d'Benotzung vu Bootsënnerstëtzungen involvéieren an net an der uewe genannter Figur opgezielt sinn.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 15. Oktober 2024