Başlıca işlevlerisilisyum karbür tekneDestek ve kuvars tekne desteği aynıdır.Silisyum karbür tekneBu destek, mükemmel performansa sahip ancak yüksek fiyatlıdır. Zorlu çalışma koşullarına sahip pil işleme ekipmanlarında (örneğin LPCVD ekipmanı ve bor difüzyon ekipmanı) kuvars tekne desteğine alternatif bir ilişki oluşturur. Normal çalışma koşullarına sahip pil işleme ekipmanlarında ise fiyat ilişkileri nedeniyle silisyum karbür ve kuvars tekne desteği birlikte var olan ve rekabet eden kategoriler haline gelir.
① LPCVD ve bor difüzyon ekipmanında ikame ilişkisi
LPCVD ekipmanı, pil hücresi tünelleme oksidasyonu ve katkılı polisilikon tabakası hazırlama işleminde kullanılır. Çalışma prensibi:
Düşük basınçlı atmosfer altında, uygun sıcaklıkla birlikte, kimyasal reaksiyon ve biriktirme filmi oluşumu sağlanarak ultra ince tünel oksit tabakası ve polisilikon film hazırlanır. Tünel oksidasyonu ve katkılı polisilikon tabaka hazırlama işleminde, tekne desteği yüksek çalışma sıcaklığına sahiptir ve yüzeyine silikon film biriktirilir. Kuvarsın termal genleşme katsayısı silikonunkinden oldukça farklıdır. Yukarıdaki işlemde kullanıldığında, silikonunkinden farklı termal genleşme katsayısı nedeniyle termal genleşme ve büzülme nedeniyle kuvars tekne desteğinin kırılmasını önlemek için yüzeye biriken silikonun düzenli olarak asitle temizlenmesi ve uzaklaştırılması gerekir. Sık asit temizleme ve düşük yüksek sıcaklık dayanımı nedeniyle, kuvars tekne tutucu kısa ömürlüdür ve tünel oksidasyonu ve katkılı polisilikon tabaka hazırlama işleminde sık sık değiştirilir, bu da pil hücresinin üretim maliyetini önemli ölçüde artırır. Genleşme katsayısısilisyum karbürSilikonunkine yakındır. Entegresilisyum karbür tekneBu tutucu, tünel oksidasyonu ve katkılı polisilikon tabaka hazırlama işleminde asitleme gerektirmez. Yüksek sıcaklık dayanımına ve uzun kullanım ömrüne sahiptir. Kuvars tekne tutucuya iyi bir alternatiftir.
Boron genleştirme ekipmanı, esas olarak pil hücresinin N tipi silikon gofret alt tabakasına bor elementlerinin katkılanması işleminde kullanılır ve bu işlem, PN eklemi oluşturmak için P tipi emitör hazırlamayı amaçlar. Çalışma prensibi, yüksek sıcaklık ortamında kimyasal reaksiyon ve moleküler çökelme filmi oluşumunu gerçekleştirmektir. Film oluştuktan sonra, silikon gofret yüzeyinin katkılama işlevini gerçekleştirmek için yüksek sıcaklıkta ısıtma ile difüzyon yapılabilir. Boron genleştirme ekipmanının yüksek çalışma sıcaklığı nedeniyle, kuvars tekne tutucunun yüksek sıcaklık dayanımı düşüktür ve bor genleştirme ekipmanında kullanım ömrü kısadır. Entegresilisyum karbür tekneTutucu, yüksek sıcaklık dayanımına sahiptir ve bor genleştirme işleminde kuvars tekne tutucuya iyi bir alternatiftir.
② Diğer proses ekipmanlarında ikame ilişkisi
SiC tekne destekleri, sınırlı üretim kapasitesine ve mükemmel performansa sahiptir. Fiyatları genellikle kuvars tekne desteklerinden daha yüksektir. Hücre işleme ekipmanlarının genel çalışma koşullarında, SiC tekne destekleri ile kuvars tekne destekleri arasındaki hizmet ömrü farkı küçüktür. Son kullanıcı müşteriler, esas olarak kendi süreçlerine ve ihtiyaçlarına göre fiyat ve performansı karşılaştırır ve seçer. SiC tekne destekleri ve kuvars tekne destekleri birlikte var olan ve rekabetçi hale gelmiştir. Bununla birlikte, SiC tekne desteklerinin brüt kar marjı şu anda nispeten yüksektir. SiC tekne desteklerinin üretim maliyetindeki düşüşle birlikte, SiC tekne desteklerinin satış fiyatı aktif olarak düşerse, kuvars tekne desteklerine karşı daha büyük bir rekabet gücü oluşturacaktır.
Kullanım oranı
Hücre teknolojisi rotası esas olarak PERC teknolojisi ve TOPCon teknolojisine dayanmaktadır. PERC teknolojisinin pazar payı %88, TOPCon teknolojisinin pazar payı ise %8,3'tür. İkisinin toplam pazar payı %96,30'dur.
Aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi:
PERC teknolojisinde, ön fosfor difüzyonu ve tavlama işlemleri için tekne desteklerine ihtiyaç duyulmaktadır. TOPCon teknolojisinde ise ön bor difüzyonu, LPCVD, arka fosfor difüzyonu ve tavlama işlemleri için tekne desteklerine ihtiyaç duyulmaktadır. Şu anda, silisyum karbür tekne destekleri esas olarak TOPCon teknolojisinin LPCVD işleminde kullanılmakta olup, bor difüzyon işlemindeki uygulamaları da büyük ölçüde doğrulanmıştır.
Şekil: Hücre işleme sürecinde tekne desteklerinin uygulanması
Not: PERC ve TOPCon teknolojilerinin ön ve arka kaplamasından sonra, tekne desteklerinin kullanılmasını gerektirmeyen ve yukarıdaki şekilde listelenmeyen serigrafi, sinterleme, test ve ayıklama gibi aşamalar da bulunmaktadır.
Yayın tarihi: 15 Ekim 2024