Төп функцияләрекремний карбиды көймәсетерәк һәм кварц көймә терәге бер үк.Кремний карбиды көймәсеярдәм бик яхшы эш күрсәткечләренә ия, ләкин бәясе югары. Ул каты эш шартлары булган аккумулятор эшкәртү җиһазларында (мәсәлән, LPCVD җиһазлары һәм бор диффузия җиһазлары) кварц көймә ярдәме белән альтернатив мөнәсәбәт тәшкил итә. Гадәти эш шартлары булган аккумулятор эшкәртү җиһазларында, бәя мөнәсәбәтләре аркасында, кремний карбиды һәм кварц көймә ярдәме бергә яшәүче һәм көндәшлек итүче категорияләргә әйләнә.
① LPCVD һәм бор диффузия җиһазларында алмаштыру мөнәсәбәте
LPCVD җиһазлары аккумулятор күзәнәкләрен туннельләү һәм легирланган полискремний катламын әзерләү процессы өчен кулланыла. Эш принцибы:
Түбән басымлы атмосферада, тиешле температура белән берлектә, химик реакция һәм утырма пленкасы формалашу нәтиҗәсендә ультра-нечкә туннель оксиды катламы һәм полискремний пленкасы әзерләнә. Туннель оксидлашу һәм легирланган поликремний катламын әзерләү процессында көймә терәге югары эш температурасына ия һәм өслеккә кремний пленкасы утырачак. Кварцның җылылык киңәю коэффициенты кремнийныкыннан шактый аерылып тора. Югарыдагы процесста кулланылганда, кремнийдан аерылып торган җылылык киңәю коэффициенты аркасында кварц көймә терәгенең җылылык киңәюе һәм кысылуы аркасында ватылуын булдырмас өчен, өслеккә утыртылган кремнийны даими рәвештә тозлап һәм алып ташлап торырга кирәк. Еш тозлау һәм түбән югары температура ныклыгы аркасында, кварц көймә тотучының гомере кыска һәм туннель оксидлашу һәм легирланган поликремний катламын әзерләү процессында еш алыштырыла, бу батарея элементының җитештерү бәясен сизелерлек арттыра. Киңәю коэффициентыкремний карбидыкремнийга якын. Интегральләштерелгәнкремний карбиды көймәсеТоннель оксидлашу һәм легирланган полискремний катламын әзерләү процессында тозлауны таләп итми. Ул югары температурага чыдам һәм озын хезмәт итү вакытына ия. Бу кварц көймә тоткычына яхшы альтернатива.
Бор киңәйтү җиһазлары, нигездә, аккумулятор күзәнәгенең N-тип кремний пластинасы нигезендә бор элементларын легирлау процессында кулланыла, P-тип эмитентны PN тоташуын формалаштыру өчен әзерли. Эш принцибы - югары температуралы атмосферада химик реакция һәм молекуляр утырту пленкасы формалашуын гамәлгә ашыру. Пленка формалаштырылганнан соң, аны югары температуралы җылыту ярдәмендә кремний пластинасы өслегенең легирлау функциясен гамәлгә ашыру өчен таратырга мөмкин. Бор киңәйтү җиһазларының югары эш температурасы аркасында, кварц көймә тотучысының югары температурага чыдамлыгы түбән һәм бор киңәйтү җиһазларында хезмәт итү вакыты кыска. Интегральләштерелгәнкремний карбиды көймәсетотучы югары температурага чыдам һәм бор киңәю процессында кварц көймә тотучысына яхшы альтернатива булып тора.
2 Башка технологик җиһазларда алыштыру мөнәсәбәте
SiC көймә терәкләре тыгыз җитештерү куәтенә һәм бик яхшы эш күрсәткечләренә ия. Аларның бәяләре, гадәттә, кварц көймә терәкләренә караганда югарырак. Күзәнәк эшкәртү җиһазларының гомуми эш шартларында SiC көймә терәкләре һәм кварц көймә терәкләре арасындагы хезмәт итү вакытындагы аерма аз. Түбәндәге клиентлар, нигездә, үз процессларына һәм ихтыяҗларына нигезләнеп, бәя һәм эш күрсәткечләре арасында чагыштыралар һәм сайлыйлар. SiC көймә терәкләре һәм кварц көймә терәкләре бергә яши һәм көндәшлеккә сәләтле булып киттеләр. Ләкин, хәзерге вакытта SiC көймә терәкләренең тулаем табыш маржасы чагыштырмача югары. SiC көймә терәкләренең җитештерү бәясе кимү белән, әгәр SiC көймә терәкләренең сату бәясе актив рәвештә кими икән, бу кварц көймә терәкләренә дә зуррак көндәшлек тудырачак.
Куллану коэффициенты
Кәрәзле технологияләр юнәлеше, нигездә, PERC технологиясе һәм TOPCon технологиясе. PERC технологиясенең базар өлеше 88%, ә TOPCon технологиясенең базар өлеше 8,3% тәшкил итә. Икесенең дә бергәләп базар өлеше 96,30% тәшкил итә.
Түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә:
PERC технологиясендә, алгы фосфор диффузиясе һәм җылыту процесслары өчен көймә терәкләре кирәк. TOPCon технологиясендә, алгы бор диффузиясе, LPCVD, арткы фосфор диффузиясе һәм җылыту процесслары өчен көймә терәкләре кирәк. Хәзерге вакытта кремний карбиды көймә терәкләре, нигездә, TOPCon технологиясенең LPCVD процессында кулланыла, һәм аларның бор диффузиясе процессында кулланылышы, нигездә, расланган.
Рәсем Клетка эшкәртү процессында көймә терәкләрен куллану
Искәрмә: PERC һәм TOPCon технологияләрен алгы һәм арткы каплаудан соң, көймә терәкләрен куллануны үз эченә алмаган һәм югарыдагы рәсемдә күрсәтелмәгән, экран бастыру, блендерлау, сынау һәм сортлау кебек бәйләнешләр әле дә бар.
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 15 октябре