Wat is sic-bedekking?

Silikonkarbiedis 'n harde verbinding wat silikon en koolstof bevat, en word in die natuur aangetref as die uiters seldsame mineraal moissaniet. Silikonkarbieddeeltjies kan deur sintering aan mekaar gebind word om baie harde keramiek te vorm, wat wyd gebruik word in toepassings wat hoë duursaamheid vereis, veral in halfgeleierprosessering.

Fisiese struktuur van SiC

Wat is SiC-bedekking?

SiC-bedekking is 'n digte, slytasiebestande silikonkarbiedbedekking met hoë korrosie- en hittebestandheid en uitstekende termiese geleidingsvermoë. Hierdie hoë-suiwerheid SiC-bedekking word hoofsaaklik in die halfgeleier- en elektroniese nywerhede gebruik om waferdraers, basisse en verwarmingselemente teen korrosiewe en reaktiewe omgewings te beskerm. SiC-bedekking is ook geskik vir vakuumoonde en monsterverhitting in hoëvakuum-, reaktiewe en suurstofomgewings.

Hoë suiwerheid SiC-laagoppervlak

Wat is die SiC-bedekkingsproses?

'n Dun lagie silikonkarbied word op die oppervlak van die substraat neergelê deur gebruik te maak vanCVD (Chemiese Dampafsetting)Afsetting word gewoonlik uitgevoer by temperature van 1200-1300°C en die termiese uitbreidingsgedrag van die substraatmateriaal moet versoenbaar wees met die SiC-laag om termiese spanning te verminder.

CVD SIC-FILM KRISTALSTRUKTUUR

CVD SIC-bedekking FILM KRISTALSTRUKTUUR

Die fisiese eienskappe van SiC-bedekking word hoofsaaklik weerspieël in sy hoë temperatuurweerstand, hardheid, korrosiebestandheid en termiese geleidingsvermoë.

Tipiese fisiese parameters is gewoonlik soos volg:

HardheidSiC-bedekkings het tipies 'n Vickers-hardheid in die reeks van 2000-2500 HV, wat hulle uiters hoë slytasie- en impakweerstand in industriële toepassings gee.

DigtheidSiC-bedekkings het tipies 'n digtheid van 3.1-3.2 g/cm³. Die hoë digtheid dra by tot die meganiese sterkte en duursaamheid van die bedekking.

Termiese geleidingsvermoëSiC-bedekkings het 'n hoë termiese geleidingsvermoë, tipies in die reeks van 120-200 W/mK (teen 20°C). Dit gee dit goeie termiese geleidingsvermoë in hoëtemperatuuromgewings en maak dit veral geskik vir hittebehandelingstoerusting in die halfgeleierbedryf.

SmeltpuntSilikonkarbied het 'n smeltpunt van ongeveer 2730°C en het uitstekende termiese stabiliteit by uiterste temperature.

Koëffisiënt van termiese uitbreidingSiC-bedekkings het 'n lae lineêre termiese uitsettingskoëffisiënt (CTE), tipies in die reeks van 4.0-4.5 µm/mK (in die 25-1000 ℃). Dit beteken dat die dimensionele stabiliteit daarvan uitstekend is oor groot temperatuurverskille.

KorrosiebestandheidSiC-bedekkings is uiters bestand teen korrosie in sterk suur-, alkali- en oksiderende omgewings, veral wanneer sterk sure (soos HF of HCl) gebruik word. Hul korrosiebestandheid oortref dié van konvensionele metaalmateriale verreweg.

SiC-laagtoedieningsubstraat

SiC-bedekking word dikwels gebruik om die korrosieweerstand, hoëtemperatuurweerstand en plasma-erosieweerstand van die substraat te verbeter. Algemene toepassingssubstrate sluit die volgende in:

Substraattipe	Aansoekrede	Tipiese gebruik
Grafiet	- Ligte struktuur, goeie termiese geleidingsvermoë - Maar maklik korrodeer deur plasma, benodig SiC-laagbeskerming	Vakuumkameronderdele, grafietbote, plasma-etsbakke, ens.
Kwarts (Kwarts/SiO₂)	- Hoë suiwerheid, maar maklik korrodeer - Bedekking verbeter plasma-erosiebestandheid	CVD/PECVD kameronderdele
Keramiek (soos alumina Al₂O₃)	- Hoë sterkte en stabiele struktuur - Bedekking verbeter oppervlakkorrosiebestandheid	Kamervoering, toebehore, ens.
Metale (soos molibdeen, titanium, ens.)	- Goeie termiese geleidingsvermoë maar swak korrosiebestandheid - Bedekking verbeter oppervlakstabiliteit	Spesiale prosesreaksiekomponente
Gesinterde silikonkarbied liggaam (SiC bulk)	- Vir omgewings met hoë vereistes vir komplekse werksomstandighede - Bedekking verbeter verder suiwerheid en korrosiebestandheid	Hoë-end CVD/ALD kamerkomponente

SiC-bedekte produkte word algemeen in die volgende halfgeleiergebiede gebruik

SiC-bedekkingsprodukte word wyd gebruik in halfgeleierverwerking, hoofsaaklik in hoë temperatuur-, hoë korrosie- en sterk plasma-omgewings. Die volgende is 'n paar belangrike toepassingsprosesse of -velde en kort beskrywings:

Aansoekproses/veld	Kort beskrywing	Silikonkarbiedlaagfunksie
Plasma-etsing (Ets)	Gebruik fluoor- of chloorgebaseerde gasse vir patroonoordrag	Weerstaan plasma-erosie en voorkom deeltjie- en metaalkontaminasie
Chemiese dampafsetting (CVD/PECVD)	Afsetting van oksied, nitride en ander dun films	Weerstaan korrosiewe voorlopergasse en verhoog komponentlewe
Fisiese dampafsettingskamer (PVD)	Hoë-energie deeltjiebombardement tydens die bedekkingsproses	Verbeter die erosiebestandheid en hittebestandheid van die reaksiekamer
MOCVD-proses (soos SiC-epitaksiale groei)	Langtermynreaksie onder hoë temperatuur en hoë waterstofkorrosiewe atmosfeer	Handhaaf toerustingstabiliteit en voorkom kontaminasie van groeiende kristalle
Hittebehandelingsproses (LPCVD, diffusie, uitgloeiing, ens.)	Gewoonlik uitgevoer teen hoë temperatuur en vakuum/atmosfeer	Beskerm grafietbote en -bakke teen oksidasie of korrosie
Wafeldraer/-klem (Wafelhantering)	Grafietbasis vir waferoordrag of ondersteuning	Verminder deeltjieverlies en vermy kontakbesmetting
ALD-kamerkomponente	Beheer herhaaldelik en akkuraat atoomlaagafsetting	Die deklaag hou die kamer skoon en het hoë korrosiebestandheid teen voorlopers

Waarom VET Energie kies?

VET Energy is 'n toonaangewende vervaardiger, innoveerder en leier van SiC-bedekkingsprodukte in China, die belangrikste SiC-bedekkingsprodukte sluit inwaferdraer met SiC-laag, SiC-bedekepitaksiale suseptor, SiC-bedekte grafiering, Halfmaanvormige onderdele met SiC-laag, SiC-bedekte koolstof-koolstof-saamgestelde, SiC-bedekte waferboot, SiC-bedekte verwarmer, ens. VET Energy is daartoe verbind om die halfgeleierbedryf van die beste tegnologie- en produkoplossings te voorsien, en ondersteun pasgemaakte dienste. Ons sien opreg daarna uit om u langtermynvennoot in China te wees.