Kas yra sic danga?

Silicio karbidasyra kietas junginys, turintis silicio ir anglies, gamtoje randamas kaip itin retas mineralas moissanitas. Silicio karbido dalelės gali būti sujungtos sukepinimo būdu, kad susidarytų labai kieta keramika, plačiai naudojama srityse, kurioms reikalingas didelis patvarumas, ypač puslaidininkių apdirbime.

SiC fizinė struktūra

SiC danga yra tanki, atspari dilimui silicio karbido danga, pasižyminti dideliu atsparumu korozijai ir karščiui bei puikiu šilumos laidumu. Ši didelio grynumo SiC danga daugiausia naudojama puslaidininkių ir elektronikos pramonėje, siekiant apsaugoti plokštelių laikiklius, pagrindus ir kaitinimo elementus nuo korozinės ir reaktyviosios aplinkos. SiC danga taip pat tinka vakuuminėms krosnims ir mėginių šildymui aukšto vakuumo, reaktyviojoje ir deguonies aplinkoje.

Didelio grynumo SiC dangos paviršius

Kas yra SiC dengimo procesas?

Ant pagrindo paviršiaus nusodinamas plonas silicio karbido sluoksnis, naudojantCVD (cheminis garų nusodinimas)Nusodinimas paprastai atliekamas 1200–1300 °C temperatūroje, o pagrindo medžiagos šiluminio plėtimosi savybės turi būti suderinamos su SiC danga, kad būtų sumažintas šiluminis įtempis.

CVD SIC PLĖVELĖS KRISTALINĖ STRUKTŪRA

CVD SIC dangos plėvelės kristalinė struktūra

SiC dangos fizinės savybės daugiausia atsispindi jos atsparume aukštai temperatūrai, kietumui, atsparumui korozijai ir šilumos laidumui.

Tipiniai fiziniai parametrai paprastai yra šie:

KietumasSiC dangų Vikerso kietumas paprastai yra 2000–2500 HV, todėl jos yra itin atsparios dilimui ir smūgiams pramonėje.

TankisSiC dangų tankis paprastai yra 3,1–3,2 g/cm³. Didelis tankis prisideda prie dangos mechaninio stiprumo ir ilgaamžiškumo.

Šilumos laidumasSiC dangos pasižymi dideliu šilumos laidumu, paprastai 120–200 W/mK (esant 20 °C temperatūrai). Dėl to jos pasižymi geru šilumos laidumu aukštoje temperatūroje ir ypač tinka terminio apdorojimo įrangai puslaidininkių pramonėje.

Lydymosi temperatūraSilicio karbido lydymosi temperatūra yra maždaug 2730 °C, o pats karbido terminis stabilumas yra puikus esant ekstremalioms temperatūroms.

Šiluminio plėtimosi koeficientasSiC dangos turi mažą linijinio šiluminio plėtimosi koeficientą (CTE), paprastai 4,0–4,5 µm/mK (25–1000 ℃ temperatūroje). Tai reiškia, kad jų matmenų stabilumas yra puikus esant dideliems temperatūrų skirtumams.

Atsparumas korozijaiSiC dangos yra itin atsparios korozijai stiprioje rūgštinėje, šarminėje ir oksiduojančioje aplinkoje, ypač naudojant stiprias rūgštis (pvz., HF arba HCl), jų atsparumas korozijai gerokai viršija įprastų metalinių medžiagų atsparumą.

SiC dangos dengimo pagrindas

SiC danga dažnai naudojama siekiant pagerinti pagrindo atsparumą korozijai, atsparumą aukštai temperatūrai ir atsparumą plazmos erozijai. Įprasti pagrindai yra šie:

Pagrindo tipas	Paraiškos priežastis	Įprastas naudojimas
Grafitas	- Lengva konstrukcija, geras šilumos laidumas - Tačiau lengvai korozuoja plazma, todėl reikalinga SiC danga	Vakuuminės kameros dalys, grafito valtys, plazminio ėsdinimo padėklai ir kt.
Kvarcas (kvarcas/SiO₂)	- Didelio grynumo, bet lengvai koroziją sukeliantis - Danga padidina atsparumą plazmos erozijai	CVD/PECVD kamerų dalys
Keramika (pvz., aliuminio oksidas Al₂O₃)	- Didelio stiprumo ir stabili konstrukcija - Danga pagerina paviršiaus atsparumą korozijai	Kameros pamušalas, armatūra ir kt.
Metalai (pvz., molibdenas, titanas ir kt.)	- Geras šilumos laidumas, bet prastas atsparumas korozijai - Danga pagerina paviršiaus stabilumą	Specialūs proceso reakcijos komponentai
Silicio karbido sukepintas korpusas (SiC tūrinis)	- Aplinkoms, kurioms keliami aukšti sudėtingų darbo sąlygų reikalavimai - Danga dar labiau pagerina grynumą ir atsparumą korozijai	Aukščiausios klasės CVD/ALD kamerų komponentai

SiC dengti gaminiai dažniausiai naudojami šiose puslaidininkių srityse

SiC dangų gaminiai plačiai naudojami puslaidininkių apdirbime, daugiausia aukštos temperatūros, didelės korozijos ir stiprios plazmos aplinkoje. Toliau pateikiami keli pagrindiniai taikymo procesai arba sritys ir trumpi aprašymai:

Paraiškų teikimo procesas / sritis	Trumpas aprašymas	Silicio karbido dangos funkcija
Plazminis ėsdinimas (ėsdinimas)	Šablonų perkėlimui naudokite fluoro arba chloro pagrindu pagamintas dujas	Atsparus plazmos erozijai ir dalelių bei metalų užterštumui
Cheminis garų nusodinimas (CVD/PECVD)	Oksidų, nitridų ir kitų plonų plėvelių nusodinimas	Atsparūs korozinėms pirmtakų dujoms ir prailgina komponentų tarnavimo laiką
Fizikinio garų nusodinimo (PVD) kamera	Didelės energijos dalelių bombardavimas dengimo proceso metu	Pagerinkite reakcijos kameros atsparumą erozijai ir karščiui
MOCVD procesas (pvz., SiC epitaksinis augimas)	Ilgalaikė reakcija aukštoje temperatūroje ir didelio vandenilio kiekio koroziją sukeliančioje atmosferoje	Palaikykite įrangos stabilumą ir neleiskite augančių kristalų užteršimui
Terminio apdorojimo procesas (LPCVD, difuzija, atkaitinimas ir kt.)	Paprastai atliekama aukštoje temperatūroje ir vakuume/atmosferoje	Apsaugokite grafito valtis ir padėklus nuo oksidacijos ar korozijos
Plokštelių laikiklis/griebtuvas (plokštelių tvarkymas)	Grafito pagrindas vaflių perkėlimui arba palaikymui	Sumažinkite dalelių išsiskyrimą ir venkite kontaktinio užteršimo
ALD kameros komponentai	Pakartotinai ir tiksliai kontroliuojamas atominio sluoksnio nusodinimas	Danga palaiko kameros švarą ir pasižymi dideliu atsparumu korozijai, kurią sukelia pirmtakai

Kodėl verta rinktis „VET Energy“?

„VET Energy“ yra pirmaujanti SiC dangų gamintoja, novatorė ir lyderė Kinijoje, o pagrindiniai SiC dangų produktai yra šie:Vaflinės plokštelės laikiklis su SiC danga, SiC dangaepitaksinis susceptorius, SiC dengtas grafito žiedas, Pusmėnulio formos dalys su SiC danga, SiC dengtas anglies-anglies kompozitas, SiC dengta plokštelinė valtis, SiC dengtas šildytuvasir kt. „VET Energy“ yra įsipareigojusi teikti puslaidininkių pramonei pažangiausius technologijų ir produktų sprendimus bei teikia pritaikymo paslaugas. Nuoširdžiai tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.