Naon ari palapis sic?

Silikon Karbidanyaéta sanyawa teuas anu ngandung silikon sareng karbon, sareng kapanggih di alam salaku mineral moissanite anu langka pisan. Partikel silikon karbida tiasa ngahiji ku cara sintering pikeun ngabentuk keramik anu teuas pisan, anu seueur dianggo dina aplikasi anu meryogikeun daya tahan anu luhur, khususna dina prosés semikonduktor.

Struktur fisik SiC

Naon ari Lapisan SiC téh?

Palapis SiC nyaéta palapis silikon karbida anu padet sareng tahan aus kalayan tahan korosi sareng panas anu luhur sareng konduktivitas termal anu saé pisan. Palapis SiC anu luhur ieu utamina dianggo dina industri semikonduktor sareng éléktronika pikeun ngajagi pembawa wafer, basa, sareng élémen pemanas tina lingkungan korosif sareng réaktif. Palapis SiC ogé cocog pikeun tungku vakum sareng pemanasan sampel dina lingkungan vakum, réaktif, sareng oksigén anu luhur.

Permukaan palapis SiC kamurnian luhur

Kumaha prosés palapis SiC téh?

Lapisan ipis silikon karbida diendapkeun dina permukaan substrat nganggoCVD (Deposisi Uap Kimia)Déposisi biasana dilaksanakeun dina suhu 1200-1300°C sareng paripolah ékspansi termal bahan substrat kedah cocog sareng palapis SiC pikeun ngaminimalkeun setrés termal.

Struktur Kristal Film CVD SIC

Struktur Kristal Film Palapis CVD SIC

Sipat fisik palapis SiC utamina katingali dina résistansi suhu anu luhur, karasana, résistansi korosi sareng konduktivitas termal.

Parameter fisik has biasana sapertos kieu:

KarasaLapisan SiC biasana gaduh Vickers Hardness dina kisaran 2000-2500 HV, anu masihan aranjeunna résistansi kana ngagem sareng dampak anu luhur pisan dina aplikasi industri.

KapadetanLapisan SiC biasana gaduh kapadetan 3,1-3,2 g/cm³. Kapadetan anu luhur nyumbang kana kakuatan mékanis sareng daya tahan lapisan.

Konduktivitas termalLapisan SiC mibanda konduktivitas termal anu luhur, biasana dina kisaran 120-200 W/mK (dina 20°C). Ieu méré konduktivitas termal anu saé dina lingkungan suhu anu luhur sareng ngajantenkeun éta cocog pisan pikeun alat-alat perlakuan panas dina industri semikonduktor.

Titik leburSilikon karbida mibanda titik lebur kira-kira 2730°C sarta mibanda stabilitas termal anu alus pisan dina suhu anu ekstrim.

Koefisien Ékspansi TermalLapisan SiC mibanda koéfisién ékspansi térmal linier (CTE) anu handap, biasana dina kisaran 4,0-4,5 µm/mK (dina suhu 25-1000℃). Ieu ngandung harti yén stabilitas diménsi na saé pisan dina béda suhu anu ageung.

Résistansi korosiLapisan SiC tahan pisan kana korosi dina lingkungan asam kuat, alkali, sareng oksidasi, khususna nalika nganggo asam kuat (sapertos HF atanapi HCl), résistansi korosi na jauh ngaleuwihan bahan logam konvensional.

Substrat aplikasi palapis SiC

Lapisan SiC sering dianggo pikeun ningkatkeun résistansi korosi, résistansi suhu luhur, sareng résistansi erosi plasma tina substrat. Substrat aplikasi umum kalebet ieu di handap:

Jenis substrat	Alesan aplikasi	Panggunaan umum
Grafit	- Struktur hampang, konduktivitas termal anu saé - Tapi gampang kakorosi ku plasma, merlukeun panyalindungan lapisan SiC	Onderdil ruang vakum, parahu grafit, baki ukir plasma, jsb.
Kuarsa (Kuarsa/SiO₂)	- Murni pisan tapi gampang korosi - Lapisan ningkatkeun résistansi erosi plasma	Bagian ruang CVD/PECVD
Keramik (sapertos alumina Al₂O₃)	- Struktur anu kuat sareng stabil - Palapis ningkatkeun daya tahan korosi permukaan	Lapisan kamar, parabot, jsb.
Logam (sapertos molibdenum, titanium, jsb.)	- Konduktivitas termal anu saé tapi résistansi korosi anu goréng - Palapis ningkatkeun stabilitas permukaan	Komponen réaksi prosés husus
Awak sinter silikon karbida (SiC bulk)	- Pikeun lingkungan anu gaduh sarat anu luhur pikeun kaayaan kerja anu rumit - Lapisan langkung ningkatkeun kamurnian sareng tahan korosi	Komponen ruang CVD/ALD kelas luhur

Produk anu dilapis SiC umumna dianggo di daérah semikonduktor ieu:

Produk palapis SiC seueur dianggo dina pamrosésan semikonduktor, utamina dina suhu anu luhur, korosi anu luhur sareng lingkungan plasma anu kuat. Di handap ieu aya sababaraha prosés atanapi widang aplikasi utama sareng pedaran singget:

Prosés/widang aplikasi	Pedaran singget	Fungsi Lapisan Silikon Karbida
Étsa plasma (Étsa)	Anggo gas anu dumasar kana fluor atanapi klorin pikeun mindahkeun pola	Tahan erosi plasma sareng nyegah kontaminasi partikel sareng logam
Déposisi uap kimiawi (CVD/PECVD)	Déposisi oksida, nitrida sareng pilem ipis anu sanésna	Tahan gas prékursor korosif sareng ningkatkeun umur komponén
Kamar déposisi uap fisik (PVD)	Pangeboman partikel énergi tinggi salami prosés palapis	Ningkatkeun résistansi erosi sareng résistansi panas tina rohangan réaksi
Prosés MOCVD (sapertos pertumbuhan epitaksial SiC)	Réaksi jangka panjang dina suhu luhur sareng atmosfir korosif hidrogén anu luhur	Ngajaga stabilitas alat sareng nyegah kontaminasi kristal anu nuju tumuwuh
Prosés perlakuan panas (LPCVD, difusi, annealing, jsb.)	Biasana dilaksanakeun dina suhu luhur sareng vakum/atmosfir	Ngajaga parahu sareng baki grafit tina oksidasi atanapi korosi
Panyangga/chuck wafer (Penanganan wafer)	Dasar grafit pikeun transfer wafer atanapi pangrojong	Ngurangan pelepasan partikel sareng nyingkahan kontaminasi kontak
Komponen kamar ALD	Ngontrol déposisi lapisan atom sacara berulang sareng akurat	Lapisan ieu ngajaga rohangan tetep bersih sareng gaduh résistansi korosi anu luhur kana prékursor

Naha milih VET Energy?

VET Energy nyaéta produsén, inovator, sareng pamimpin produk palapis SiC anu unggul di Cina, produk palapis SiC utama kalebetwadah wafer kalayan lapisan SiC, dilapis SiCsuseptor epitaksial, Cincin grafit dilapis SiC, Bagian satengah bulan kalayan lapisan SiC, Komposit karbon-karbon dilapis SiC, Parahu wafer dilapis SiC, Pemanas anu dilapis SiC, jsb. VET Energy berkomitmen pikeun nyayogikeun solusi téknologi sareng produk anu pangsaéna pikeun industri semikonduktor, sareng ngadukung jasa kustomisasi. Kami tulus ngarep-ngarep janten mitra jangka panjang anjeun di Cina.