Naon sic coating?

Silicon Carbidemangrupakeun sanyawa teuas ngandung silikon jeung karbon, sarta kapanggih di alam salaku moissanite mineral langka pisan. Partikel karbida silikon tiasa dihijikeun ku sintering pikeun ngabentuk keramik anu keras pisan, anu seueur dianggo dina aplikasi anu ngabutuhkeun daya tahan anu luhur, khususna dina prosesi semikonduktor.

Struktur fisik SiC

Lapisan SiC mangrupikeun palapis silikon karbida anu padet, tahan ngagem sareng korosi anu luhur sareng tahan panas sareng konduktivitas termal anu saé. Lapisan SiC-purity luhur ieu utamana dipaké dina industri semikonduktor jeung éléktronika ngajaga operator wafer, basa jeung elemen pemanasan ti lingkungan corrosive jeung réaktif. Lapisan SiC ogé cocog pikeun tungku vakum sareng pemanasan sampel dina lingkungan vakum, réaktif sareng oksigén anu luhur.

permukaan palapis SiC purity tinggi

Naon prosés palapis SiC?

Lapisan ipis silikon karbida disimpen dina permukaan substrat nganggoCVD (Deposisi Uap Kimia). Déposisi biasana dilaksanakeun dina suhu 1200-1300 ° C sareng paripolah ékspansi termal tina bahan substrat kedah cocog sareng palapis SiC pikeun ngaleutikan setrés termal.

CVD SIC FILM STRUKTUR KRISTAL

CVD SIC palapis FILM STRUKTUR KRISTAL

Sipat fisik palapis SiC utamana dicerminkeun dina résistansi suhu luhur, karasa, résistansi korosi sareng konduktivitas termal.

Parameter fisik umumna biasana kieu:

Teu karasa: Lapisan SiC biasana gaduh Vickers Hardness dina kisaran 2000-2500 HV, anu masihan aranjeunna ngagem sareng résistansi dampak anu luhur dina aplikasi industri.

Kapadetan: Lapisan SiC ilaharna mibanda kapadetan 3,1-3,2 g/cm³. Kapadetan anu luhur nyumbang kana kakuatan mékanis sareng daya tahan palapis.

konduktivitas termal: Lapisan SiC boga konduktivitas termal anu luhur, biasana dina rentang 120-200 W/mK (dina 20°C). Hal ieu méré éta konduktivitas termal alus dina lingkungan suhu luhur sarta ngajadikeun eta utamana cocog pikeun alat-alat perlakuan panas dina industri semikonduktor.

Titik lebur: silikon karbida miboga titik lebur kira-kira 2730°C sarta mibanda stabilitas termal alus teuing dina suhu ekstrim.

Koéfisién ékspansi termal: SiC coatings boga koefisien linier low tina ékspansi termal (CTE), ilaharna dina rentang 4.0-4.5 µm/mK (dina 25-1000 ℃). Ieu ngandung harti yén stabilitas dimensi na téh alus teuing leuwih béda suhu badag.

lalawanan korosi: Lapisan SiC tahan pisan kana korosi dina lingkungan asam kuat, alkali sareng pangoksidasi, khususna nalika nganggo asam kuat (sapertos HF atanapi HCl), résistansi korosina langkung seueur tibatan bahan logam konvensional.

substrat aplikasi palapis SiC

Lapisan SiC sering dianggo pikeun ningkatkeun résistansi korosi, résistansi suhu luhur, sareng résistansi erosi plasma tina substrat. Substrat aplikasi umum kalebet ieu:

Jenis substrat	Alesan aplikasi	pamakéan has
Grafit	- Struktur lampu, konduktivitas termal alus - Tapi gampang corroded ku plasma, merlukeun panyalindungan palapis SiC	Bagian chamber vakum, parahu grafit, baki etching plasma, jsb.
Kuarsa (Quartz/SiO₂)	- Purity High tapi gampang corroded - Palapis ningkatkeun résistansi erosi plasma	bagian chamber CVD / PECVD
Keramik (sapertos alumina Al₂O₃)	- kakuatan High jeung struktur stabil - Palapis ningkatkeun résistansi korosi permukaan	Lapisan chamber, fixtures, jsb.
Logam (sapertos molibdenum, titanium, jsb.)	- konduktivitas termal alus tapi lalawanan korosi goréng - Palapis ningkatkeun stabilitas permukaan	Komponén réaksi prosés husus
Silicon carbide sintered awak (SiC bulk)	- Kanggo lingkungan anu ngagaduhan syarat anu luhur pikeun kaayaan kerja anu kompleks - Palapis salajengna ngaronjatkeun purity sarta lalawanan korosi	High-tungtung CVD / komponén chamber ALD

produk coated SiC ilahar dipaké di wewengkon semikonduktor handap

Produk palapis SiC loba dipaké dina ngolah semikonduktor, utamana dina suhu luhur, korosi tinggi jeung lingkungan plasma kuat. Di handap ieu sababaraha prosés aplikasi utama atanapi widang sareng déskripsi ringkes:

Prosés aplikasi / widang	pedaran ringkes	fungsi palapis Silicon Carbide
Plasma etching (Etching)	Paké fluorine atawa gas basis klorin pikeun mindahkeun pola	Nolak erosi plasma sareng nyegah kontaminasi partikel sareng logam
Déposisi uap kimia (CVD/PECVD)	Déposisi oksida, nitrida sareng film ipis sanés	Tahan gas prékursor korosif sareng ningkatkeun umur komponén
déposisi uap fisik (PVD) chamber	Bombardment partikel énergi tinggi nalika prosés palapis	Ningkatkeun résistansi erosi sareng résistansi panas tina kamar réaksi
Proses MOCVD (sapertos pertumbuhan epitaxial SiC)	Réaksi jangka panjang dina suhu luhur sareng atmosfir korosif hidrogén anu luhur	Ngajaga stabilitas alat jeung nyegah kontaminasi tumuwuh kristal
Prosés perlakuan panas (LPCVD, difusi, annealing, jsb)	Biasana dilaksanakeun dina suhu luhur sareng vakum / atmosfir	Ngajagi parahu grafit sareng baki tina oksidasi atanapi korosi
Wafer carrier/chuck (penanganan wafer)	Dasar grafit pikeun mindahkeun wafer atanapi dukungan	Ngurangan shedding partikel sarta ulah kontaminasi kontak
komponén chamber ALD	Sababaraha kali tur akurat ngadalikeun déposisi lapisan atom	Lapisan ngajaga kamar beresih sareng gaduh résistansi korosi anu luhur pikeun prékursor

Naha milih VET Energy?

VET Energy mangrupikeun produsén, inovator sareng pamimpin produk palapis SiC di Cina, produk palapis SiC utama kalebetwafer carrier kalawan palapis SiC, SiC dilapissusceptor epitaxial, ring grafit coated SiC, Bagian satengah bulan kalayan palapis SiC, SiC coated karbon-karbon komposit, Parahu wafer dilapis SiC, SiC coated manaskeun, jsb VET Energy komitmen ka nyadiakeun industri semikonduktor jeung téhnologi pamungkas na solusi produk, sarta ngarojong jasa kustomisasi. Kami tulus ngarepkeun janten pasangan jangka panjang anjeun di Cina.