Sik örtük näme? - WET ENERGI .ASY

Silikon Karbidkremnini we uglerody öz içine alýan gaty birleşme bolup, tebigatda örän seýrek mineral moissanit hökmünde tapylýar. Silikon karbid bölejikleri, ýokary berkligi talap edýän programmalarda, esasanam ýarymgeçiriji ýörişde giňden ulanylýan gaty gaty keramikany emele getirmek arkaly birleşdirilip bilner.

SiC-iň fiziki gurluşy

SiC örtük näme?

SiC örtügi, ýokary poslama we ýylylyga çydamlylygy we ajaýyp ýylylyk geçirijiligi bilen dykyz, aşaga çydamly kremniy karbid örtügidir. Bu ýokary arassa SiC örtügi, esasan, ýarymgeçiriji we elektronika pudaklarynda wafli göterijileri, bazalary we ýyladyş elementlerini poslaýjy we reaktiw şertlerden goramak üçin ulanylýar. SiC örtügi wakuum peçleri we ýokary wakuum, reaktiw we kislorod şertlerinde nusga gyzdyrmak üçin hem amatlydyr.

Cokary arassalyk SiC örtügi

SiC örtük prosesi näme?

Ulanylýan substratyň ýüzüne kremniy karbidiň inçe gatlagy goýulýarCVD (Himiki bug çöketligi). Çökdürmek, adatça 1200-1300 ° C temperaturalarda amala aşyrylýar we termal stresiň peselmegi üçin substrat materialyň ýylylyk giňeliş häsiýeti SiC örtügi bilen laýyk bolmalydyr.

CVD SIK FILM KRISTAL GURAMASY

CVD SIC örtük FILM KRISTAL GURAMASY

SiC örtüginiň fiziki aýratynlyklary, esasan, ýokary temperatura garşylygy, gatylygy, poslama garşylygy we ýylylyk geçirijiliginde öz beýanyny tapýar.

Adaty fiziki parametrler adatça aşakdakylardyr:

Gatylyk.

Dykyzlygy: SiC örtükleri adatça dykyzlygy 3,1-3.2 g / sm³ bolýar. Dokary dykyzlyk örtügiň mehaniki güýjüne we berkligine goşant goşýar.

Malylylyk geçirijiligi: SiC örtükleri ýokary ýylylyk geçirijiligine eýe, adatça 120-200 W / mK (20 ° C) aralygynda. Bu oňa ýokary temperatura şertlerinde gowy ýylylyk geçirijiligini berýär we ýarymgeçiriji pudagynda ýylylygy bejermek enjamlary üçin aýratyn amatly edýär.

Ereýän nokat: kremniý karbidiň takmynan 2730 ° C ereýän nokady we aşa temperaturada ajaýyp ýylylyk durnuklylygy bar.

Malylylyk giňeliş koeffisiýenti: SiC örtükleri, adatça 4.0-4.5 µm / mK (25-1000 in) aralygynda ýylylyk giňelişiniň (CTE) pes çyzykly koeffisiýentine eýe. Bu, onuň ölçegli durnuklylygynyň uly temperatura tapawudyndan ýokarydygyny aňladýar.

Poslama garşylyk: SiC örtükleri güýçli kislota, aşgar we oksidleýji şertlerde poslamaga aşa çydamly, esasanam güýçli kislotalary (HF ýa-da HCl) ulananyňyzda, olaryň poslama garşylygy adaty metal materiallaryndan has ýokarydyr.

SiC örtük goşundy substraty

SiC örtügi köplenç poslama garşylygy, ýokary temperatura garşylygy we substratyň plazma eroziýa garşylygyny gowulandyrmak üçin ulanylýar. Umumy programma substratlary aşakdakylary öz içine alýar:

Substrat görnüşi	Arza sebäp	Adaty ulanmak
Grafit	- Lightagtylyk gurluşy, gowy ýylylyk geçirijiligi - Emma plazma bilen aňsatlyk bilen poslanýar, SiC örtüginiň goragyny talap edýär	Wakuum kamerasynyň bölekleri, grafit gaýyklary, plazma çişiriji gaplar we ş.m.
Kwars (Kwars / SiO₂)	- purokary arassalyk, ýöne aňsat poslanýar - Örtük, plazmanyň eroziýa garşylygyny güýçlendirýär	CVD / PECVD kamera bölekleri
Keramika (alumina Al₂O₃ ýaly)	- strengthokary güýç we durnukly gurluş - Örtük, ýeriň poslama garşylygyny gowulandyrýar	Otag otagy, enjamlar we ş.m.
Metallar (molibden, titanium we ş.m.)	- Gowy ýylylyk geçirijiligi, ýöne poslama garşylygy pes - Örtük, ýeriň durnuklylygyny ýokarlandyrýar	Processörite proses reaksiýa komponentleri
Silikon karbid sintirlenen beden (SiC köp)	- Çylşyrymly iş şertlerine ýokary talaplary bolan gurşaw üçin - Örtük arassalygy we poslama garşylygy hasam gowulandyrýar	Endokary derejeli CVD / ALD kamera komponentleri

SiC örtükli önümler köplenç aşakdaky ýarymgeçiriji ýerlerde ulanylýar

SiC örtük önümleri ýarymgeçirijini gaýtadan işlemekde esasan ýokary temperaturada, ýokary poslama we güýçli plazma şertlerinde giňden ulanylýar. Aşakda birnäçe amaly programmalar ýa-da meýdanlar we gysgaça düşündirişler bar:

Anketa / meýdan	Gysgaça düşündiriş	Silikon karbid örtük funksiýasy
Plazma ýokaşmagy (Etching)	Nusga geçirmek üçin ftor ýa-da hlor esasly gazlary ulanyň	Plazma eroziýasyna garşy duruň we bölejikleriň we metallaryň hapalanmagynyň öňüni alyň
Himiki bug çöketligi (CVD / PECVD)	Oksidiň, nitridiň we beýleki inçe filmleriň çökmegi	Poslaýjy prekursor gazlaryna garşy duruň we komponentleriň ömrüni artdyryň
Fiziki bug çöketligi (PVD) kamerasy	Örtük wagtynda ýokary energiýa bölejikleri bombalamak	Reaksiýa kamerasynyň eroziýa garşylygyny we ýylylyga garşylygyny gowulandyryň
MOCVD prosesi (mysal üçin SiC epitaksial ösüş)	Temperatureokary temperaturada we ýokary wodorod poslaýjy atmosferada uzak möhletli reaksiýa	Enjamlaryň durnuklylygyny saklaň we ösýän kristallaryň hapalanmagynyň öňüni alyň
Atylylygy bejermek prosesi (LPCVD, diffuziýa, annealing we ş.m.)	Adatça ýokary temperaturada we wakuum / atmosferada amala aşyrylýar	Grafit gaýyklaryny we gap-gaçlaryny okislenmeden ýa-da poslama garşy goraň
Wafli daşaýjy / çek (Wafli işlemek)	Wafli geçirmek ýa-da goldaw üçin grafit bazasy	Bölejikleriň dökülmesini azaldyň we kontakt hapalanmagyndan gaça duruň
ALD kameranyň bölekleri	Atom gatlagynyň çökgünligini gaýtalap we takyk gözegçilikde saklaň	Örtük kamerany arassa saklaýar we prekursorlara ýokary poslama garşylygy bar

Näme üçin HTB energiýasyny saýlamaly?

VET Energy Hytaýda öňdebaryjy öndüriji, täzelikçi we SiC örtük önümleriniň lideri, esasy SiC örtük önümleriSiC örtükli wafli daşaýjy, SiC örtükliepitaksial duýgur, SiC örtülen grafit halkasy, SiC örtükli ýarym aý bölekleri, SiC örtülen uglerod-uglerod birleşmesi, SiC örtülen wafli gaýyk, SiC örtükli gyzdyryjywe ş.m. VET Energy ýarymgeçiriji pudagyny iň soňky tehnologiýa we önüm çözgütleri bilen üpjün etmäge borçlanýar we özleşdirmek hyzmatlaryny goldaýar. Hytaýda uzak möhletli hyzmatdaş bolmagyňyza tüýs ýürekden garaşýarys.