सिक कोटिंग क्या है? – वेट एनर्जी

सिलिकन कार्बाइडसिलिकॉन और कार्बन युक्त एक कठोर यौगिक है, और प्रकृति में अत्यंत दुर्लभ खनिज मोइसैनाइट के रूप में पाया जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड कणों को सिंटरिंग द्वारा एक साथ जोड़कर बहुत कठोर सिरेमिक बनाया जा सकता है, जिसका व्यापक रूप से उच्च स्थायित्व की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है, विशेष रूप से अर्धचालक प्रक्रिया में।

SiC की भौतिक संरचना

SiC कोटिंग क्या है?

SiC कोटिंग एक सघन, घिसाव प्रतिरोधी सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग है जिसमें उच्च संक्षारण और ऊष्मा प्रतिरोध और उत्कृष्ट तापीय चालकता होती है। इस उच्च शुद्धता वाली SiC कोटिंग का उपयोग मुख्य रूप से सेमीकंडक्टर और इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगों में वेफर वाहकों, बेस और हीटिंग तत्वों को संक्षारक और प्रतिक्रियाशील वातावरण से बचाने के लिए किया जाता है। SiC कोटिंग वैक्यूम भट्टियों और उच्च वैक्यूम, प्रतिक्रियाशील और ऑक्सीजन वातावरण में नमूना हीटिंग के लिए भी उपयुक्त है।

उच्च शुद्धता SiC कोटिंग सतह

SiC कोटिंग प्रक्रिया क्या है?

सब्सट्रेट की सतह पर सिलिकॉन कार्बाइड की एक पतली परत जमा की जाती हैसी.वी.डी. (रासायनिक वाष्प निक्षेपण)निक्षेपण आमतौर पर 1200-1300 डिग्री सेल्सियस के तापमान पर किया जाता है और थर्मल तनाव को कम करने के लिए सब्सट्रेट सामग्री का थर्मल विस्तार व्यवहार SiC कोटिंग के साथ संगत होना चाहिए।

सीवीडी एसआईसी कोटिंग फिल्म क्रिस्टल संरचना

SiC कोटिंग के भौतिक गुण मुख्य रूप से इसके उच्च तापमान प्रतिरोध, कठोरता, संक्षारण प्रतिरोध और तापीय चालकता में परिलक्षित होते हैं।

सामान्यतः भौतिक मापदण्ड निम्नलिखित हैं:

कठोरताSiC कोटिंग में आमतौर पर 2000-2500 HV की सीमा में विकर्स कठोरता होती है, जो उन्हें औद्योगिक अनुप्रयोगों में अत्यधिक उच्च टूट-फूट और प्रभाव प्रतिरोध प्रदान करती है।

घनत्वSiC कोटिंग्स का घनत्व आमतौर पर 3.1-3.2 g/cm³ होता है। उच्च घनत्व कोटिंग की यांत्रिक शक्ति और स्थायित्व में योगदान देता है।

ऊष्मीय चालकताSiC कोटिंग्स में उच्च तापीय चालकता होती है, जो आमतौर पर 120-200 W/mK (20°C पर) की सीमा में होती है। यह इसे उच्च तापमान वाले वातावरण में अच्छी तापीय चालकता प्रदान करता है और इसे सेमीकंडक्टर उद्योग में ताप उपचार उपकरणों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनाता है।

गलनांकसिलिकॉन कार्बाइड का गलनांक लगभग 2730°C होता है और अत्यधिक तापमान पर भी इसकी तापीय स्थिरता उत्कृष्ट होती है।

तापीय प्रसार गुणांकSiC कोटिंग्स में थर्मल विस्तार (CTE) का रैखिक गुणांक कम होता है, जो आमतौर पर 4.0-4.5 µm/mK (25-1000 डिग्री सेल्सियस में) की सीमा में होता है। इसका मतलब है कि बड़े तापमान अंतर पर इसकी आयामी स्थिरता उत्कृष्ट है।

संक्षारण प्रतिरोधSiC कोटिंग्स मजबूत एसिड, क्षार और ऑक्सीकरण वातावरण में संक्षारण के लिए बेहद प्रतिरोधी हैं, खासकर जब मजबूत एसिड (जैसे एचएफ या एचसीएल) का उपयोग किया जाता है, तो उनका संक्षारण प्रतिरोध पारंपरिक धातु सामग्री से कहीं अधिक होता है।

SiC कोटिंग अनुप्रयोग सब्सट्रेट

SiC कोटिंग का उपयोग अक्सर संक्षारण प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध और सब्सट्रेट के प्लाज्मा क्षरण प्रतिरोध को बेहतर बनाने के लिए किया जाता है। आम अनुप्रयोग सब्सट्रेट में निम्नलिखित शामिल हैं:

SiC लेपित उत्पादों का उपयोग आमतौर पर निम्नलिखित अर्धचालक क्षेत्रों में किया जाता है

SiC कोटिंग उत्पादों का उपयोग सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण में व्यापक रूप से किया जाता है, मुख्य रूप से उच्च तापमान, उच्च संक्षारण और मजबूत प्लाज्मा वातावरण में। निम्नलिखित कई प्रमुख अनुप्रयोग प्रक्रियाएँ या क्षेत्र और संक्षिप्त विवरण हैं:

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