एसआईसी कोटिंग क्या है? – वेट एनर्जी

सिलिकन कार्बाइडसिलिकॉन कार्बाइड सिलिकॉन और कार्बन युक्त एक कठोर यौगिक है, जो प्रकृति में अत्यंत दुर्लभ खनिज मोइसेनाइट के रूप में पाया जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड के कणों को सिंटरिंग द्वारा आपस में जोड़कर अत्यंत कठोर सिरेमिक बनाया जा सकता है, जिनका व्यापक रूप से उच्च स्थायित्व की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में, विशेष रूप से अर्धचालक प्रसंस्करण में उपयोग किया जाता है।

सिलिकॉन कार्बाइड की आणविक संरचना

SiC की भौतिक संरचना

 

SiC कोटिंग क्या है?

SiC कोटिंग एक सघन, घिसाव-प्रतिरोधी सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग है जिसमें उच्च संक्षारण और ताप प्रतिरोध तथा उत्कृष्ट तापीय चालकता होती है। उच्च शुद्धता वाली यह SiC कोटिंग मुख्य रूप से अर्धचालक और इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगों में वेफर वाहकों, आधारों और तापन तत्वों को संक्षारक और प्रतिक्रियाशील वातावरण से बचाने के लिए उपयोग की जाती है। SiC कोटिंग वैक्यूम भट्टियों और उच्च निर्वात, प्रतिक्रियाशील और ऑक्सीजन युक्त वातावरण में नमूनों को गर्म करने के लिए भी उपयुक्त है।

उच्च शुद्धता वाली एसआईसी कोटिंग सतह (2)

उच्च शुद्धता वाली SiC कोटिंग सतह

 

SiC कोटिंग प्रक्रिया क्या है?

 

सिलिकॉन कार्बाइड की एक पतली परत को सब्सट्रेट की सतह पर जमा किया जाता है।सीवीडी (रासायनिक वाष्प जमाव)जमाव प्रक्रिया आमतौर पर 1200-1300 डिग्री सेल्सियस के तापमान पर की जाती है और थर्मल तनाव को कम करने के लिए सब्सट्रेट सामग्री का थर्मल विस्तार व्यवहार SiC कोटिंग के अनुकूल होना चाहिए।

सीवीडी एसआईसी फिल्म क्रिस्टल संरचना

सीवीडी एसआईसी कोटिंग फिल्म क्रिस्टल संरचना

SiC कोटिंग के भौतिक गुण मुख्य रूप से इसके उच्च तापमान प्रतिरोध, कठोरता, संक्षारण प्रतिरोध और तापीय चालकता में परिलक्षित होते हैं।

 

सामान्य भौतिक मापदंड आमतौर पर निम्नलिखित होते हैं:

 

कठोरताSiC कोटिंग की विकर्स कठोरता आमतौर पर 2000-2500 HV की रेंज में होती है, जो औद्योगिक अनुप्रयोगों में उन्हें अत्यधिक उच्च घिसाव और प्रभाव प्रतिरोध प्रदान करती है।

घनत्वSiC कोटिंग का घनत्व आमतौर पर 3.1-3.2 ग्राम/सेमी³ होता है। उच्च घनत्व कोटिंग की यांत्रिक शक्ति और स्थायित्व में योगदान देता है।

ऊष्मीय चालकताSiC कोटिंग्स में उच्च तापीय चालकता होती है, जो आमतौर पर 120-200 W/mK (20°C पर) की सीमा में होती है। यह इसे उच्च तापमान वाले वातावरण में अच्छी तापीय चालकता प्रदान करती है और इसे अर्धचालक उद्योग में ऊष्मा उपचार उपकरणों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनाती है।

गलनांकसिलिकॉन कार्बाइड का गलनांक लगभग 2730°C होता है और यह अत्यधिक तापमान पर उत्कृष्ट तापीय स्थिरता प्रदर्शित करता है।

तापीय प्रसार गुणांकSiC कोटिंग्स का रैखिक तापीय विस्तार गुणांक (CTE) कम होता है, जो आमतौर पर 4.0-4.5 µm/mK (25-1000℃ के बीच) की सीमा में होता है। इसका अर्थ है कि तापमान में बड़े अंतर होने पर भी इसकी आयामी स्थिरता उत्कृष्ट होती है।

संक्षारण प्रतिरोधSiC कोटिंग्स प्रबल अम्ल, क्षार और ऑक्सीकरण वाले वातावरण में संक्षारण के प्रति अत्यधिक प्रतिरोधी होती हैं, विशेष रूप से प्रबल अम्लों (जैसे HF या HCl) का उपयोग करते समय; इनका संक्षारण प्रतिरोध पारंपरिक धातु सामग्री की तुलना में कहीं अधिक होता है।

 

SiC कोटिंग अनुप्रयोग सब्सट्रेट

 

SiC कोटिंग का उपयोग अक्सर सब्सट्रेट की संक्षारण प्रतिरोधकता, उच्च तापमान प्रतिरोधकता और प्लाज्मा क्षरण प्रतिरोधकता को बेहतर बनाने के लिए किया जाता है। सामान्य अनुप्रयोग सब्सट्रेट में निम्नलिखित शामिल हैं:

 

सब्सट्रेट प्रकार आवेदन का कारण सामान्य उपयोग
सीसा - हल्की संरचना, अच्छी तापीय चालकता

- लेकिन प्लाज्मा से आसानी से संक्षारित हो जाता है, इसलिए SiC कोटिंग सुरक्षा की आवश्यकता होती है।

वैक्यूम चैंबर के पुर्जे, ग्रेफाइट बोट, प्लाज्मा एचिंग ट्रे आदि।
क्वार्ट्ज (क्वार्ट्ज/SiO₂) - उच्च शुद्धता लेकिन आसानी से जंग लग जाता है

कोटिंग प्लाज्मा क्षरण प्रतिरोध को बढ़ाती है

CVD/PECVD चैम्बर के भाग
सिरेमिक (जैसे एल्यूमिना Al₂O₃) - उच्च शक्ति और स्थिर संरचना

कोटिंग सतह के संक्षारण प्रतिरोध को बेहतर बनाती है।

कक्ष की परत, फिटिंग आदि।
धातुएँ (जैसे मोलिब्डेनम, टाइटेनियम आदि) - अच्छी तापीय चालकता लेकिन खराब संक्षारण प्रतिरोध

कोटिंग सतह की स्थिरता को बेहतर बनाती है।

विशेष प्रक्रिया प्रतिक्रिया घटक
सिलिकॉन कार्बाइड सिंटर्ड बॉडी (SiC बल्क) - उन वातावरणों के लिए जहां जटिल कार्य परिस्थितियों की उच्च आवश्यकताएं होती हैं

कोटिंग से शुद्धता और जंग प्रतिरोधकता में और सुधार होता है।

उच्च स्तरीय सीवीडी/एएलडी चैम्बर घटक

 

SiC लेपित उत्पादों का उपयोग आमतौर पर निम्नलिखित अर्धचालक क्षेत्रों में किया जाता है।

 

SiC कोटिंग उत्पादों का उपयोग अर्धचालक प्रसंस्करण में व्यापक रूप से किया जाता है, मुख्य रूप से उच्च तापमान, उच्च संक्षारण और प्रबल प्लाज्मा वातावरण में। निम्नलिखित कुछ प्रमुख अनुप्रयोग प्रक्रियाएं या क्षेत्र और उनके संक्षिप्त विवरण हैं:

 

आवेदन प्रक्रिया/क्षेत्र संक्षिप्त विवरण सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग का कार्य
प्लाज्मा एचिंग (एचिंग) पैटर्न स्थानांतरण के लिए फ्लोरीन या क्लोरीन आधारित गैसों का उपयोग करें। प्लाज्मा क्षरण का प्रतिरोध करें और कणों और धातुओं के संदूषण को रोकें।
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (सीवीडी/पीईसीवीडी) ऑक्साइड, नाइट्राइड और अन्य पतली फिल्मों का निक्षेपण संक्षारक पूर्ववर्ती गैसों का प्रतिरोध करें और घटकों का जीवनकाल बढ़ाएं
भौतिक वाष्प निक्षेपण (पीवीडी) कक्ष कोटिंग प्रक्रिया के दौरान उच्च-ऊर्जा कणों की बमबारी प्रतिक्रिया कक्ष की क्षरण प्रतिरोधकता और ताप प्रतिरोधकता में सुधार करें।
MOCVD प्रक्रिया (जैसे SiC एपिटैक्सियल वृद्धि) उच्च तापमान और उच्च हाइड्रोजन संक्षारक वातावरण में दीर्घकालिक प्रतिक्रिया उपकरण की स्थिरता बनाए रखें और बढ़ते क्रिस्टलों को संदूषण से बचाएं।
ऊष्मा उपचार प्रक्रिया (एलपीसीवीडी, प्रसार, एनीलिंग, आदि) यह प्रक्रिया आमतौर पर उच्च तापमान और निर्वात/वायुमंडल में की जाती है। ग्रेफाइट की नावों और ट्रे को ऑक्सीकरण या जंग से बचाएं।
वेफर वाहक/चक (वेफर हैंडलिंग) वेफर स्थानांतरण या समर्थन के लिए ग्रेफाइट आधार कणों के फैलाव को कम करें और संपर्क संदूषण से बचें
एएलडी चैम्बर घटक परमाणु परत निक्षेपण को बार-बार और सटीक रूप से नियंत्रित करें यह कोटिंग चैम्बर को साफ रखती है और इसमें जंग लगने के कारणों के प्रति उच्च प्रतिरोध क्षमता होती है।

सिलिकॉन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट सब्सट्रेट

 

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पोस्ट करने का समय: 18 अक्टूबर 2024
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