Сарпӯши sic чист? – ЭНЕРГИЯИ ВЕТ

Карбиди кремнийяк пайвастагии сахтест, ки дар таркибаш кремний ва карбон дорад ва дар табиат ҳамчун минерали моиссанит хеле нодир вомехӯрад. Зарраҳои карбиди кремнийро бо роҳи синтеризатсия пайваст кардан мумкин аст, то сафолҳои хеле сахтро ба вуҷуд оранд, ки онҳо дар барномаҳое, ки устувории баландро талаб мекунанд, махсусан дар ҷараёни нимноқилҳо васеъ истифода мешаванд.

Сохтори физикии SiC

SiC Coating чист?

Кабати SiC як қабати зиччи ба фарсудашавии кремнийи карбиди бо муқовимати зангзанӣ ва гармии баланд ва гузариши аълои гармӣ мебошад. Ин рӯйпӯши баландсифати SiC пеш аз ҳама дар саноати нимноқилҳо ва электроника барои муҳофизат кардани боркашонҳо, пойгоҳҳо ва унсурҳои гармидиҳӣ аз муҳити зангзананда ва реактивӣ истифода мешавад. Сарпӯши SiC инчунин барои печҳои вакуумӣ ва гармкунии намуна дар муҳити баланд вакууми, реактивӣ ва оксиген мувофиқ аст.

Сатҳи қабати SiC тозагии баланд

Раванди пӯшонидани SiC чист?

Бо истифода аз қабати тунуки карбиди кремний дар рӯи субстрат гузошта мешавадCVD (таҳвили буғи кимиёвӣ). Ҷойгиркунӣ одатан дар ҳарорати 1200-1300 ° C анҷом дода мешавад ва рафтори васеъшавии гармии маводи зерсохт бояд бо қабати SiC мувофиқ бошад, то фишори гармиро ба ҳадди ақал расонад.

CVD КДИ FILM СОХТОРИ кристаллӣ

CVD КДИ молидани FILM СОХТОРИ кристаллӣ

Хусусиятҳои физикии рӯйпӯши SiC асосан дар муқовимат ба ҳарорати баланд, сахтӣ, муқовимат ба зангзанӣ ва гузариши гармӣ инъикос меёбанд.

Параметрҳои физикии маъмулӣ одатан чунинанд:

Сахтӣ: Сарпӯши SiC маъмулан сахтии Vickers дар доираи 2000-2500 HV дорад, ки ба онҳо дар барномаҳои саноатӣ муқовимат ба фарсудашавӣ ва таъсири хеле баланд медиҳад.

Зичӣ: Сарпӯшҳои SiC одатан зичии 3,1-3,2 г/см³ доранд. Зичии баланд ба қувваи механикӣ ва устувории рӯйпӯш мусоидат мекунад.

Қобилияти гармидиҳӣ: Сарпӯшҳои SiC дорои қобилияти баланди гармӣ мебошанд, маъмулан дар ҳудуди 120-200 Вт/мК (дар 20°С). Ин ба он гармии хуби гармиро дар муҳити ҳарорати баланд медиҳад ва онро махсусан барои таҷҳизоти коркарди гармӣ дар саноати нимноқилҳо мувофиқ мекунад.

Нуқтаи обшавӣ: карбиди кремний нуқтаи обшавии тақрибан 2730°C дорад ва дар ҳароратҳои шадид устувории хуби гармӣ дорад.

Коэффисиенти васеъшавии гармӣ: Сарпӯшҳои SiC дорои коэффисиенти пасти хаттии васеъшавии гармӣ (CTE), маъмулан дар ҳудуди 4,0-4,5 мкм/мК (дар 25-1000℃) мебошанд. Ин маънои онро дорад, ки устувории андозагирии он дар фарқиятҳои калони ҳарорат аъло аст.

Муқовимат ба зангзанӣ: Сарпӯшҳои SiC ба зангзанӣ дар муҳити сахт, сілтӣ ва оксидкунанда хеле тобоваранд, хусусан ҳангоми истифодаи кислотаҳои қавӣ (ба монанди HF ё HCl), муқовимат ба зангзании онҳо аз маводи металлии анъанавӣ хеле зиёд аст.

Заминаи татбиқи молидани SiC

Сарпӯши SiC аксар вақт барои беҳтар кардани муқовимат ба зангзанӣ, муқовимат ба ҳарорати баланд ва муқовимат ба эрозияи плазмаи субстрат истифода мешавад. Субстратҳои маъмули татбиқ инҳоро дар бар мегиранд:

Навъи субстрат	Сабаби ариза	Истифодаи маъмулӣ
Графит	- Сохтори сабук, гузариши хуби гармӣ - Аммо ба осонӣ аз плазма зангзанида мешавад, муҳофизати молидани SiC-ро талаб мекунад	Қисмҳои камераи вакуумӣ, қаиқҳои графитӣ, ҷўйборҳои плазма ва ғайра.
Кварц (Кварц/SiO₂)	- тозагии баланд, вале ба осонӣ зангзада мешавад - Сарпӯши муқовимат ба эрозияи плазмаро зиёд мекунад	Қисмҳои камераи CVD/PECVD
Керамика (ба монанди гилхок Al₂O₃)	- Қувваи баланд ва сохтори устувор - Сарпӯш муқовимат ба зангзании рӯиро беҳтар мекунад	Асбоби камера, асбобҳо ва ғайра.
Металлҳо (аз қабили молибден, титан ва ғ.)	- Кобилияти гармидиҳии хуб, аммо муқовимат ба зангзании бад - Сарпӯш устувории рӯиро беҳтар мекунад	Компонентҳои махсуси реаксияи раванд
Бадани синтеризатсияшудаи карбиди кремний (SiC яклухт)	- Барои муҳитҳои дорои талаботи баланд ба шароити мураккаби корӣ - Сарпӯш минбаъд тозагӣ ва муқовимат ба зангзаниро беҳтар мекунад	Компонентҳои камераи баландсифати CVD / ALD

Маҳсулоти пӯшонидашудаи SiC одатан дар минтақаҳои зерини нимноқил истифода мешаванд

Маҳсулоти молидани SiC дар коркарди нимноқилҳо, асосан дар ҳарорати баланд, зангзании баланд ва муҳитҳои пурқуввати плазма истифода мешаванд. Дар зер якчанд равандҳои асосии татбиқ ё соҳаҳо ва тавсифи мухтасар мавҷуданд:

Раванди дархост/майдон	Тавсифи мухтасар	Функсияи молидани карбиди кремний
Этинги плазма (Этинг)	Барои интиқоли намуна газҳои фтор ё хлорро истифода баред	Ба эрозияи плазма муқовимат кунед ва ифлосшавии зарраҳо ва металлҳоро пешгирӣ кунед
Ҷойгиршавии буғи химиявӣ (CVD/PECVD)	Гузоштани оксид, нитрид ва дигар плёнкахои тунук	Ба газҳои пешгузаштаи зангзананда муқовимат кунед ва ҳаёти ҷузъҳоро зиёд кунед
Камераи таҳшиншавии буғи физикӣ (PVD).	Дар ҷараёни пӯшиш бомбаборони зарраҳои энергияи баланд	Муқовимат ба эрозия ва муқовимати гармии камераи реаксияро беҳтар кунед
Раванди MOCVD (ба монанди афзоиши эпитаксиалии SiC)	Реаксияи дарозмуддат дар ҳарорати баланд ва атмосфераи зангзании баланди гидроген	Устувории таҷҳизотро нигоҳ доред ва ифлосшавии кристаллҳои афзояндаро пешгирӣ кунед
Раванди коркарди гармӣ (LPCVD, диффузия, гармкунӣ ва ғайра)	Одатан дар ҳарорати баланд ва вакуум/атмосфера анҷом дода мешавад	Киштиҳои графитӣ ва ҷўйборҳоро аз оксидшавӣ ё зангзанӣ муҳофизат кунед
Интиқолдиҳандаи вафли/чак (корбарии вафли)	Пойгоҳи графитӣ барои интиқол ё дастгирии вафли	Партофтани зарраҳоро кам кунед ва ифлосшавии тамосро пешгирӣ кунед
Компонентҳои камераи ALD	Пахши қабати атомиро такроран ва дақиқ назорат кунед	Капка камераро тоза нигоҳ медорад ва ба прекурсорҳо муқовимати баланди зангзанӣ дорад

Чаро VET Energy-ро интихоб кунед?

VET Energy як истеҳсолкунандаи пешбар, навовар ва пешвои маҳсулоти молидани SiC дар Чин мебошад, маҳсулоти асосии молидани SiC иборатандинтиқолдиҳандаи вафли бо рӯйпӯши SiC, SiC пӯшонида шудаастҳассосияти эпитаксиалӣ, Ҳалқаи графитӣ бо SiC, Қисмҳои ниммоҳ бо рӯйпӯши SiC, Композитсияи карбон-карбон бо SiC пӯшонида шудааст, Киштии вафли бо қабати SiC, Гармкунаки SiC пӯшида, ва ғайра. VET Energy ӯҳдадор аст, ки саноати нимноқилҳоро бо технологияи ниҳоӣ ва ҳалли маҳсулот таъмин кунад ва хидматрасонии фармоиширо дастгирӣ кунад. Мо самимона умедворем, ки шарики дарозмуддати шумо дар Чин бошем.