Beth yw cotio sic? – VET ENERGY

Silicon Carbidyn gyfansoddyn caled sy'n cynnwys silicon a charbon, ac fe'i ceir yn naturiol fel y mwynau hynod brin moissanite. Gellir bondio gronynnau silicon carbide gyda'i gilydd trwy sinteru i ffurfio cerameg galed iawn, a ddefnyddir yn helaeth mewn cymwysiadau sydd angen gwydnwch uchel, yn enwedig mewn prosesu lled-ddargludyddion.

Strwythur ffisegol SiC

Beth yw Gorchudd SiC?

Mae cotio SiC yn orchudd silicon carbid trwchus, sy'n gwrthsefyll traul, gyda gwrthiant uchel i gyrydiad a gwres a dargludedd thermol rhagorol. Defnyddir y cotio SiC purdeb uchel hwn yn bennaf yn y diwydiannau lled-ddargludyddion ac electroneg i amddiffyn cludwyr wafer, seiliau ac elfennau gwresogi rhag amgylcheddau cyrydol ac adweithiol. Mae cotio SiC hefyd yn addas ar gyfer ffwrneisi gwactod a gwresogi samplau mewn amgylcheddau gwactod uchel, adweithiol ac ocsigen.

Arwyneb cotio SiC purdeb uchel

Beth yw'r broses gorchuddio SiC?

Mae haen denau o silicon carbid yn cael ei dyddodi ar wyneb y swbstrad gan ddefnyddioCVD (Dyddodiad Anwedd Cemegol)Fel arfer, cynhelir dyddodiad ar dymheredd o 1200-1300°C a dylai ymddygiad ehangu thermol y deunydd swbstrad fod yn gydnaws â'r haen SiC i leihau straen thermol.

STRWYTHUR CRYSTAL FFILM SIC CVD

Strwythur Crisial Ffilm Gorchudd SIC CVD

Mae priodweddau ffisegol cotio SiC yn cael eu hadlewyrchu'n bennaf yn ei wrthwynebiad tymheredd uchel, ei galedwch, ei wrthwynebiad cyrydiad a'i ddargludedd thermol.

Mae paramedrau ffisegol nodweddiadol fel arfer fel a ganlyn:

CaledwchMae gan orchudd SiC galedwch Vickers fel arfer yn yr ystod o 2000-2500 HV, sy'n rhoi ymwrthedd uchel iawn iddynt i wisgo ac effaith mewn cymwysiadau diwydiannol.

DwyseddMae gan haenau SiC ddwysedd o 3.1-3.2 g/cm³ fel arfer. Mae'r dwysedd uchel yn cyfrannu at gryfder mecanyddol a gwydnwch y cotio.

Dargludedd thermolMae gan haenau SiC ddargludedd thermol uchel, fel arfer yn yr ystod o 120-200 W/mK (ar 20°C). Mae hyn yn rhoi dargludedd thermol da iddo mewn amgylcheddau tymheredd uchel ac yn ei wneud yn arbennig o addas ar gyfer offer trin gwres yn y diwydiant lled-ddargludyddion.

Pwynt toddiMae gan silicon carbid bwynt toddi o tua 2730°C ac mae ganddo sefydlogrwydd thermol rhagorol mewn tymereddau eithafol.

Cyfernod Ehangu ThermolMae gan haenau SiC gyfernod ehangu thermol llinol (CTE) isel, fel arfer yn yr ystod o 4.0-4.5 µm/mK (yn y 25-1000 ℃). Mae hyn yn golygu bod ei sefydlogrwydd dimensiynol yn rhagorol dros wahaniaethau tymheredd mawr.

Gwrthiant cyrydiadMae haenau SiC yn hynod o wrthwynebus i gyrydiad mewn amgylcheddau asid cryf, alcalïaidd ac ocsideiddiol, yn enwedig wrth ddefnyddio asidau cryf (fel HF neu HCl), mae eu gwrthwynebiad i gyrydiad ymhell yn uwch na gwrthwynebiad deunyddiau metel confensiynol.

swbstrad cymhwysiad cotio SiC

Defnyddir cotio SiC yn aml i wella ymwrthedd cyrydiad, ymwrthedd tymheredd uchel, ac ymwrthedd erydiad plasma'r swbstrad. Mae swbstradau cymhwysiad cyffredin yn cynnwys y canlynol:

Math o swbstrad	Rheswm y cais	Defnydd nodweddiadol
Graffit	- Strwythur ysgafn, dargludedd thermol da - Ond yn hawdd ei gyrydu gan plasma, mae angen amddiffyniad cotio SiC arno	Rhannau siambr gwactod, cychod graffit, hambyrddau ysgythru plasma, ac ati.
Cwarts (Cwarts/SiO₂)	- Purdeb uchel ond yn hawdd ei gyrydu - Mae cotio yn gwella ymwrthedd i erydiad plasma	Rhannau siambr CVD/PECVD
Cerameg (fel alwmina Al₂O₃)	- Cryfder uchel a strwythur sefydlog - Mae cotio yn gwella ymwrthedd cyrydiad arwyneb	Leinin y siambr, gosodiadau, ac ati.
Metelau (fel molybdenwm, titaniwm, ac ati)	- Dargludedd thermol da ond ymwrthedd cyrydiad gwael - Mae cotio yn gwella sefydlogrwydd yr wyneb	Cydrannau adwaith proses arbennig
Corff sintered silicon carbid (swmp SiC)	- Ar gyfer amgylcheddau sydd â gofynion uchel ar gyfer amodau gwaith cymhleth - Mae cotio yn gwella purdeb a gwrthiant cyrydiad ymhellach	Cydrannau siambr CVD/ALD pen uchel

Defnyddir cynhyrchion wedi'u gorchuddio â SiC yn gyffredin yn y meysydd lled-ddargludyddion canlynol

Defnyddir cynhyrchion cotio SiC yn helaeth mewn prosesu lled-ddargludyddion, yn bennaf mewn amgylcheddau tymheredd uchel, cyrydiad uchel a plasma cryf. Dyma nifer o brosesau neu feysydd cymhwysiad mawr a disgrifiadau byr:

Proses/maes ymgeisio	Disgrifiad byr	Swyddogaeth Gorchudd Silicon Carbid
Ysgythru plasma (Ysgythru)	Defnyddiwch nwyon sy'n seiliedig ar fflworin neu glorin ar gyfer trosglwyddo patrwm	Gwrthsefyll erydiad plasma ac atal halogiad gronynnau a metelau
Dyddodiad anwedd cemegol (CVD/PECVD)	Dyddodiad ocsid, nitrid a ffilmiau tenau eraill	Gwrthsefyll nwyon rhagflaenydd cyrydol a chynyddu oes y cydrannau
Siambr dyddodiad anwedd ffisegol (PVD)	Bombardio gronynnau ynni uchel yn ystod y broses orchuddio	Gwella ymwrthedd erydiad a gwrthiant gwres y siambr adwaith
Proses MOCVD (megis twf epitacsial SiC)	Adwaith hirdymor o dan dymheredd uchel ac awyrgylch cyrydol hydrogen uchel	Cynnal sefydlogrwydd offer ac atal halogiad crisialau sy'n tyfu
Proses trin gwres (LPCVD, trylediad, anelio, ac ati)	Fel arfer yn cael ei wneud ar dymheredd uchel a gwactod/atmosffer	Amddiffyn cychod a hambyrddau graffit rhag ocsideiddio neu gyrydiad
Cludwr/chwc waffer (trin waffer)	Sylfaen graffit ar gyfer trosglwyddo neu gefnogi wafer	Lleihau gollyngiad gronynnau ac osgoi halogiad cyswllt
Cydrannau siambr ALD	Rheoli dyddodiad haen atomig dro ar ôl tro ac yn gywir	Mae'r gorchudd yn cadw'r siambr yn lân ac mae ganddo wrthwynebiad cyrydiad uchel i ragflaenwyr

Pam dewis Ynni VET?

Mae VET Energy yn wneuthurwr, arloeswr ac arweinydd blaenllaw ym maes cynhyrchion cotio SiC yn Tsieina, ac mae'r prif gynhyrchion cotio SiC yn cynnwyscludwr wafer gyda gorchudd SiC, wedi'i orchuddio â SiCderbynnydd epitacsaidd, Modrwy graffit wedi'i gorchuddio â SiC, Rhannau hanner lleuad gyda gorchudd SiC, Cyfansawdd carbon-carbon wedi'i orchuddio â SiC, Cwch wafer wedi'i orchuddio â SiC, Gwresogydd wedi'i orchuddio â SiC, ac ati. Mae VET Energy wedi ymrwymo i ddarparu'r dechnoleg a'r atebion cynnyrch gorau i'r diwydiant lled-ddargludyddion, ac mae'n cefnogi gwasanaethau addasu. Rydym yn edrych ymlaen yn fawr at fod yn bartner hirdymor i chi yn Tsieina.