Кремний Карбидкремний һәм углерод булган каты кушылма, һәм табигатьтә бик сирәк минераль моиссанит буларак табыла. Кремний карбид кисәкчәләре синтеринг ярдәмендә бик каты керамика формалаштырырга мөмкин, алар югары ныклык таләп иткән кушымталарда киң кулланыла, аеруча ярымүткәргеч процессында.
SiC физик төзелеше
SiC каплау нәрсә ул?
SiC капламы - тыгыз, киемгә чыдам кремний карбид капламы, югары коррозия һәм җылылыкка чыдамлыгы, искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге. Бу югары чисталыклы SiC капламасы, беренче чиратта, ярымүткәргеч һәм электроника тармагында, вафер йөртүчеләрне, нигезләрне һәм җылыту элементларын коррозив һәм реактив мохиттән саклау өчен кулланыла. SiC каплавы шулай ук вакуум мичләре һәм югары вакуум, реактив һәм кислород шартларында җылыту өчен яраклы.
Cгары чисталык SiC каплау өслеге
SiC каплау процессы нәрсә ул?
Кремний карбидының нечкә катламы субстрат өслегендә урнаштырылганCVD (Химик пар парламенты). Чүпләү гадәттә 1200-1300 ° C температурада үткәрелә һәм җылылык стрессын киметү өчен субстрат материалның җылылык киңәю тәртибе SiC каплавы белән туры килергә тиеш.
CVD СИК каплау ФИЛМА Кристалл структурасы
SiC каплауның физик үзлекләре, нигездә, аның югары температурасына каршы тору, каты булу, коррозиягә каршы тору һәм җылылык үткәрүчәнлегендә чагыла.
Типик физик параметрлар гадәттә түбәндәгечә:
Каты: SiC каплавы гадәттә 2000-2500 HV диапазонында Викерс катылыгына ия, бу аларга сәнәгать кушымталарында бик югары кием һәм тәэсиргә каршы тору бирә.
Тыгызлыгы: SiC каплаулары гадәттә тыгызлыгы 3,1-3,2 г / см³. Highгары тыгызлык каплауның механик көченә һәм ныклыгына ярдәм итә.
Rылылык үткәрүчәнлеге: SiC капламалары югары җылылык үткәрүчәнлегенә ия, гадәттә 120-200 Ватт / мК диапазонында (20 ° C). Бу аңа югары температура шартларында яхшы җылылык үткәрүчәнлеге бирә һәм ярымүткәргеч тармагында җылылык эшкәртү җиһазлары өчен аеруча яраклы итә.
Эретү ноктасы: кремний карбидының эретү ноктасы якынча 2730 ° C һәм экстремаль температурада искиткеч җылылык тотрыклылыгына ия.
Rылылык киңәю коэффициенты: SiC каплаулары җылылык киңәюенең түбән сызыклы коэффициентына ия (CTE), гадәттә 4.0-4.5 µm / mK диапазонында (25-1000 in). Димәк, аның үлчәмле тотрыклылыгы зур температура аермаларыннан яхшырак.
Коррозиягә каршы тору: SiC каплаулары көчле кислота, алкалы һәм оксидлаштыручы мохиттә коррозиягә бик чыдам, аеруча көчле кислоталар кулланганда (HF яки HCl кебек), аларның коррозиягә каршы торуы гадәти металл материаллардан күпкә артыграк.
SiC каплау кушымтасы субстрат
SiC капламасы еш коррозиягә каршы торуны, югары температурага каршы торуны, субстратның плазма эрозиясенә каршы торуны яхшырту өчен кулланыла. Гомуми кушымта субстратлары түбәндәгеләрне үз эченә ала:
| Субстрат төре | Куллану сәбәбе | Типик куллану |
| Графит | - Яктылык структурасы, яхшы җылылык үткәрүчәнлеге - Ләкин плазма белән җиңел коррозияләнә, SiC каплаудан саклауны таләп итә | Вакуум камера өлешләре, графит көймәләр, плазма эфир савытлары һ.б. |
| Кварц (Кварц / SiO₂) | - purгары чисталык, ләкин җиңел бозылган - Каплау плазма эрозиясенә каршы торуны көчәйтә | CVD / PECVD камера өлешләре |
| Керамика (AlumO Alumina кебек) | - strengthгары көч һәм тотрыклы структура - Каплау өслек коррозиясенә каршы торуны яхшырта | Палата асфальты, җиһазлар һ.б. |
| Металллар (мәсәлән, молибден, титан һ.б.) | - Яхшы җылылык үткәрүчәнлеге, ләкин начар коррозиягә каршы тору - Каплау өслекнең тотрыклылыгын яхшырта | Махсус процесс реакция компонентлары |
| Кремний карбид синтерланган тән (SiC күпчелек) | - Катлаулы эш шартларына югары таләпләр булган мохит өчен - Каплау чисталыкны һәм коррозиягә каршы торуны тагын да яхшырта | Endгары очлы CVD / ALD камера компонентлары |
SiC капланган продуктлар гадәттә түбәндәге ярымүткәргеч өлкәләрдә кулланыла
SiC каплау продуктлары ярымүткәргеч эшкәртүдә киң кулланыла, нигездә югары температурада, югары коррозиядә һәм көчле плазма шартларында. Түбәндә берничә төп куллану процессы яки кырлар һәм кыскача тасвирламалар бар:
| Заявка процессы / кыр | Кыска тасвирлау | Кремний карбид каплау функциясе |
| Плазма эфиры (Этчинг) | Patternрнәк күчерү өчен фтор яки хлор нигезендәге газларны кулланыгыз | Плазма эрозиясенә каршы торыгыз, кисәкчәләр һәм металл пычранудан сакланыгыз |
| Химик пар парламенты (CVD / PECVD) | Оксид, нитрид һәм башка нечкә пленкалар | Коррозив прекурсор газларына каршы торыгыз һәм компонент гомерен арттырыгыз |
| Физик пар парламенты (ПВД) камерасы | Ябык процесс вакытында югары энергия кисәкчәләрен бомбардирлау | Эрозиягә каршы торуны һәм реакция палатасының җылылыкка чыдамлыгын яхшырту |
| MOCVD процессы (SiC эпитаксиаль үсеш кебек) | Highгары температурада һәм югары водород коррозив атмосферасында озак вакытлы реакция | Equipmentиһазларның тотрыклылыгын саклагыз, үсә торган кристаллларның пычрануыннан сакланыгыз |
| Atылылык белән эшкәртү процессы (LPCVD, диффузия, аннальинг һ.б.) | Гадәттә югары температурада һәм вакуум / атмосферада үткәрелә | Графит көймәләрен һәм подшипникларны оксидлашудан яки коррозиядән саклагыз |
| Вафер ташучы / чәк (Вафер эшкәртү) | Вафер күчерү яки булышу өчен графит базасы | Кисәкчәләрнең түгүен киметегез һәм контакт пычранудан сакланыгыз |
| ALD камера компонентлары | Атом катламы чүпләнүен кат-кат һәм төгәл контрольдә тоту | Катлам палатаны чиста тота һәм прекурсорларга коррозиягә каршы тора |
Нигә VET Энергиясен сайларга?
VET Energy - Кытайда SiC каплау продуктларының әйдәп баручы, инновацион һәм лидеры, төп SiC каплау продуктларыSiC каплагычлы вафер ташучы, SiC капланганэпитаксиаль сусептор, SiC капланган графит боҗрасы, SiC каплавы белән ярты ай өлешләре, SiC капланган углерод-углерод композиты, SiC капланган вафер көймәсе, SiC капланган җылыткыч, һ.б. Сезнең Кытайда озак вакытлы партнер булуыгызны чын күңелдән түземсезлек белән көтәбез.
Сезнең сорауларыгыз булса яки өстәмә детальләр кирәк булса, зинһар, безнең белән элемтәгә керергә курыкмагыз.
Ватсап & Вечат: + 86-18069021720
Email: steven@china-vet.com
Пост вакыты: 18-2024 октябрь