Sic örtük nədir?

Silikon karbidtərkibində silisium və karbon olan sərt birləşmədir və təbiətdə olduqca nadir mineral mozanit kimi tapılır. Silikon karbid hissəcikləri, xüsusilə yarımkeçirici prosesində yüksək davamlılıq tələb edən tətbiqlərdə geniş istifadə olunan çox sərt keramika yaratmaq üçün sinterləmə yolu ilə birləşdirilə bilər.

SiC-nin fiziki quruluşu

SiC örtüyü yüksək korroziyaya və istilik müqavimətinə və əla istilik keçiriciliyinə malik sıx, aşınmaya davamlı silisium karbid örtükdür. Bu yüksək təmizlikli SiC örtüyü ilk növbədə yarımkeçiricilər və elektronika sənayesində vafli daşıyıcıları, əsasları və qızdırıcı elementləri aşındırıcı və reaktiv mühitlərdən qorumaq üçün istifadə olunur. SiC örtüyü yüksək vakuum, reaktiv və oksigen mühitlərində vakuum sobaları və nümunə qızdırılması üçün də uyğundur.

Yüksək təmizlik SiC örtüklü səth

SiC örtük prosesi nədir?

İstifadə edərək substratın səthinə nazik bir silikon karbid təbəqəsi qoyulurCVD (Kimyəvi Buxar Depoziti). Çökmə adətən 1200-1300°C temperaturda aparılır və istilik gərginliyini minimuma endirmək üçün substrat materialının istilik genişlənmə davranışı SiC örtüyü ilə uyğun olmalıdır.

CVD SIC FİLMİN KRİSTAL STRUKTURU

CVD SIC Kaplama FİLMİNİN KRİSTAL STRUKTURU

SiC örtüyünün fiziki xassələri əsasən onun yüksək temperatur müqavimətində, sərtliyində, korroziyaya davamlılığında və istilik keçiriciliyində əks olunur.

Tipik fiziki parametrlər adətən aşağıdakılardır:

Sərtlik: SiC örtüyü adətən 2000-2500 HV diapazonunda Vickers sərtliyinə malikdir, bu da onlara sənaye tətbiqlərində son dərəcə yüksək aşınma və təsir müqaviməti verir.

Sıxlıq: SiC örtükləri adətən 3,1-3,2 q/sm³ sıxlığa malikdir. Yüksək sıxlıq örtükün mexaniki gücünə və davamlılığına kömək edir.

İstilik keçiriciliyi: SiC örtükləri yüksək istilik keçiriciliyinə malikdir, adətən 120-200 W/mK (20°C-də). Bu, ona yüksək temperaturlu mühitlərdə yaxşı istilik keçiriciliyi verir və onu xüsusilə yarımkeçirici sənayesində istilik müalicəsi avadanlığı üçün əlverişli edir.

Ərimə nöqtəsi: silisium karbid təxminən 2730°C ərimə nöqtəsinə malikdir və həddindən artıq temperaturda əla istilik sabitliyinə malikdir.

İstilik genişlənmə əmsalı: SiC örtükləri adətən 4,0-4,5 µm/mK aralığında (25-1000 ℃ temperaturda) aşağı xətti istilik genişlənmə əmsalına (CTE) malikdir. Bu o deməkdir ki, onun ölçü sabitliyi böyük temperatur fərqləri üzərində əladır.

Korroziyaya davamlılıq: SiC örtükləri güclü turşu, qələvi və oksidləşdirici mühitlərdə korroziyaya son dərəcə davamlıdır, xüsusən də güclü turşulardan (məsələn, HF və ya HCl) istifadə edildikdə, onların korroziyaya qarşı müqaviməti adi metal materiallarınkindən xeyli yüksəkdir.

SiC örtük tətbiqi substratı

SiC örtüyü tez-tez substratın korroziyaya davamlılığını, yüksək temperatur müqavimətini və plazma eroziyaya davamlılığını artırmaq üçün istifadə olunur. Ümumi tətbiq substratlarına aşağıdakılar daxildir:

Substrat növü	Tətbiq səbəbi	Tipik istifadə
Qrafit	- Yüngül struktur, yaxşı istilik keçiriciliyi - Lakin plazma ilə asanlıqla korroziyaya uğrayır, SiC örtüyünün qorunmasını tələb edir	Vakuum kamera hissələri, qrafit qayıqlar, plazma aşındırma qabları və s.
Kvars (Kvars/SiO₂)	- Yüksək təmizlik, lakin asanlıqla paslanır - Kaplama plazmanın eroziyaya qarşı müqavimətini artırır	CVD/PECVD kamera hissələri
Keramika (məsələn, alüminium oksidi Al₂O₃)	- Yüksək möhkəmlik və sabit quruluş - Kaplama səthin korroziyaya davamlılığını artırır	Kameranın astarları, qurğular və s.
Metallar (məsələn, molibden, titan və s.)	- Yaxşı istilik keçiriciliyi, lakin zəif korroziya müqaviməti - Kaplama səthin dayanıqlığını yaxşılaşdırır	Xüsusi proses reaksiya komponentləri
Silikon karbid sinterlənmiş gövdə (SiC toplu)	- Mürəkkəb iş şəraiti üçün yüksək tələblər olan mühitlər üçün - Kaplama təmizliyi və korroziyaya davamlılığı daha da artırır	Yüksək səviyyəli CVD/ALD kamera komponentləri

SiC örtüklü məhsullar adətən aşağıdakı yarımkeçirici sahələrdə istifadə olunur

SiC örtük məhsulları əsasən yüksək temperatur, yüksək korroziya və güclü plazma mühitlərində yarımkeçiricilərin emalında geniş istifadə olunur. Aşağıda bir neçə əsas tətbiq prosesi və ya sahələr və qısa təsvirlər verilmişdir:

Tətbiq prosesi/sahəsi	Qısa təsvir	Silikon Karbid Kaplama funksiyası
Plazma aşındırma (Etching)	Nümunə köçürmək üçün flüor və ya xlor əsaslı qazlardan istifadə edin	Plazma eroziyasına müqavimət göstərin və hissəciklərin və metalların çirklənməsinin qarşısını alın
Kimyəvi buxarın çökməsi (CVD/PECVD)	Oksid, nitrid və digər nazik təbəqələrin çökməsi	Aşındırıcı prekursor qazlarına müqavimət göstərin və komponentin ömrünü artırın
Fiziki buxar çökmə (PVD) kamerası	Kaplama prosesi zamanı yüksək enerjili hissəciklərin bombardmanı	Reaksiya kamerasının eroziyaya davamlılığını və istilik müqavimətini yaxşılaşdırın
MOCVD prosesi (məsələn, SiC epitaksial böyüməsi)	Yüksək temperatur və yüksək hidrogen aşındırıcı atmosfer altında uzunmüddətli reaksiya	Avadanlığın sabitliyini qoruyun və böyüyən kristalların çirklənməsinin qarşısını alın
İstilik müalicəsi prosesi (LPCVD, diffuziya, tavlama və s.)	Adətən yüksək temperaturda və vakuumda/atmosferdə aparılır	Qrafit qayıqları və qabları oksidləşmədən və ya korroziyadan qoruyun
Gofret daşıyıcısı/panası (Vafferlə işləmə)	Vafli transfer və ya dəstək üçün qrafit baza	Hissəciklərin tökülməsini azaldın və kontaktın çirklənməsinin qarşısını alın
ALD kamera komponentləri	Atom qatının çökməsinə təkrar-təkrar və dəqiq nəzarət edir	Kaplama kameranı təmiz saxlayır və prekursorlara qarşı yüksək korroziyaya davamlıdır

Niyə VET Energy seçirsiniz?

VET Energy, Çində SiC örtük məhsullarının aparıcı istehsalçısı, novatoru və lideridir, əsas SiC örtük məhsulları daxildir.SiC örtüklü vafli daşıyıcı, SiC örtüklüepitaksial həssas, SiC örtüklü qrafit üzük, SiC örtüklü yarım ay hissələri, SiC örtüklü karbon-karbon kompoziti, SiC örtüklü vafli qayıq, SiC örtüklü qızdırıcı, və s. VET Energy yarımkeçiricilər sənayesini son texnologiya və məhsul həlləri ilə təmin etməyə sadiqdir və fərdiləşdirmə xidmətlərini dəstəkləyir. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı ürəkdən gözləyirik.