Chì ghjè u rivestimentu sic ? – VET ENERGY

Carburu di siliciuhè un cumpostu duru chì cuntene siliciu è carbone, è si trova in natura cum'è u minerale estremamente raru moissanite. E particelle di carburu di siliciu ponu esse ligate inseme per sinterizazione per furmà ceramiche assai dure, chì sò largamente aduprate in applicazioni chì richiedenu una alta durabilità, in particulare in a trasfurmazione di semiconduttori.

Struttura moleculare di carburo di siliciu

Struttura fisica di SiC

 

Chì ghjè u rivestimentu in SiC?

U rivestimentu SiC hè un rivestimentu di carburo di siliciu densu è resistente à l'usura, cù una alta resistenza à a corrosione è à u calore è una eccellente conducibilità termica. Stu rivestimentu SiC di alta purezza hè principalmente utilizatu in l'industrie di i semiconduttori è di l'elettronica per prutege i supporti di wafer, e basi è l'elementi riscaldanti da ambienti corrosivi è reattivi. U rivestimentu SiC hè ancu adattatu per i forni à vuoto è u riscaldamentu di campioni in ambienti à altu vuoto, reattivi è d'ossigenu.

Superficie di rivestimentu sic di alta purezza (2)

Superficie di rivestimentu SiC d'alta purezza

 

Chì ghjè u prucessu di rivestimentu di SiC?

 

Una strata fina di carburo di siliciu hè depositata nantu à a superficia di u substratu aduprenduCVD (Deposizione Chimica da Vapore)A deposizione hè generalmente effettuata à temperature di 1200-1300 °C è u cumpurtamentu di dilatazione termica di u materiale di u sustratu deve esse cumpatibile cù u rivestimentu di SiC per minimizà u stress termicu.

STRUTTURA CRISTALLINA DI FILM SIC CVD

Rivestimentu CVD SIC STRUTTURA CRISTALLINA DI FILM

E proprietà fisiche di u rivestimentu di SiC si riflettenu principalmente in a so resistenza à alta temperatura, durezza, resistenza à a corrosione è conducibilità termica.

 

I parametri fisichi tipici sò generalmente i seguenti:

 

DurezzaI rivestimenti in SiC anu tipicamente una durezza Vickers trà 2000 è 2500 HV, ciò chì li dà una resistenza à l'usura è à l'impattu estremamente elevata in applicazioni industriali.

DensitàI rivestimenti di SiC anu tipicamente una densità di 3,1-3,2 g/cm³. L'alta densità cuntribuisce à a resistenza meccanica è a durabilità di u rivestimentu.

Cunduttività termicaI rivestimenti di SiC anu una alta cunduttività termica, tipicamente in l'intervallu di 120-200 W/mK (à 20°C). Questu li dà una bona cunduttività termica in ambienti à alta temperatura è li rende particularmente adatti per l'apparecchiature di trattamentu termicu in l'industria di i semiconduttori.

Puntu di fusioneU carburu di siliciu hà un puntu di fusione di circa 2730 °C è hà una eccellente stabilità termica à temperature estreme.

Coefficiente di Dilatazione TermicaI rivestimenti in SiC anu un bassu coefficientu lineare di dilatazione termica (CTE), tipicamente in l'intervallu di 4,0-4,5 µm/mK (in u 25-1000 ℃). Questu significa chì a so stabilità dimensionale hè eccellente ancu in grandi differenze di temperatura.

Resistenza à a corrosioneI rivestimenti di SiC sò estremamente resistenti à a corrosione in ambienti acidi forti, alcalini è ossidanti, in particulare quandu si utilizanu acidi forti (cum'è HF o HCl), a so resistenza à a corrosione supera di gran lunga quella di i materiali metallici convenzionali.

 

substratu di applicazione di rivestimentu SiC

 

U rivestimentu di SiC hè spessu adupratu per migliurà a resistenza à a corrosione, a resistenza à e alte temperature è a resistenza à l'erosione di u plasma di u sustratu. I sustrati d'applicazione cumuni includenu i seguenti:

 

Tipu di substratu Mutivu di l'applicazione Usu tipicu
Grafite - Struttura ligera, bona cunduttività termica

- Ma facilmente currudu da u plasma, richiede una prutezzione di rivestimentu SiC

Parti di camera à vuoto, barche di grafite, vassoi di incisione al plasma, ecc.
Quarzu (Quarzu/SiO₂) - Alta purezza ma facilmente corrodibile

- U rivestimentu migliora a resistenza à l'erosione di u plasma

Parti di a camera CVD/PECVD
Ceramica (cum'è l'alumina Al₂O₃) - Struttura stabile è d'alta resistenza

- U rivestimentu migliora a resistenza à a corrosione di a superficia

Rivestimentu di a camera, apparecchi, ecc.
Metalli (cum'è u molibdenu, u titaniu, ecc.) - Bona cunduttività termica ma scarsa resistenza à a corrosione

- U rivestimentu migliora a stabilità di a superficia

Cumponenti di reazione di prucessu speciale
Corpu sinterizatu di carburu di siliciu (SiC mass) - Per ambienti cù esigenze elevate per cundizioni di travagliu cumplesse

- U rivestimentu migliora ulteriormente a purezza è a resistenza à a corrosione

Cumponenti di camera CVD/ALD di alta gamma

 

I prudutti rivestiti di SiC sò cumunemente usati in i seguenti settori di semiconduttori

 

I prudutti di rivestimentu in SiC sò largamente usati in a trasfurmazione di semiconduttori, principalmente in ambienti à alta temperatura, alta corrosione è plasma forte. Eccu parechji prucessi o campi d'applicazione principali è brevi descrizzioni:

 

Prucessu / campu di candidatura Breve descrizzione Funzione di rivestimentu di carburo di siliciu
Incisione à plasma (Incisione) Aduprate gasi à basa di fluoru o di cloru per u trasferimentu di mudelli Resiste à l'erosione di u plasma è impedisce a contaminazione di particelle è metalli
Deposizione chimica da vapore (CVD/PECVD) Deposizione d'ossidu, nitruru è altri filmi sottili Resiste à i gasi precursori corrosivi è aumenta a vita di i cumpunenti
Camera di deposizione fisica di vapore (PVD) Bombardamentu di particelle à alta energia durante u prucessu di rivestimentu Migliurà a resistenza à l'erosione è a resistenza à u calore di a camera di reazione
Prucessu MOCVD (cum'è a crescita epitassiale di SiC) Reazione à longu andà sottu à alta temperatura è atmosfera corrosiva à altu cuntenutu d'idrogenu Mantene a stabilità di l'attrezzatura è impedisce a contaminazione di i cristalli in crescita
Prucessu di trattamentu termicu (LPCVD, diffusione, ricottura, ecc.) Di solitu realizatu à alta temperatura è in u vacuum/atmosfera Prutegge e barche è i vassoi di grafite da l'ossidazione o a currusione
Porta-wafer/mandrinu (Manipolazione di wafer) Base di grafite per u trasferimentu o u supportu di wafer Riduce a spargimentu di particelle è evita a contaminazione da cuntattu
Cumponenti di a camera ALD Cuntrolla ripetutamente è accuratamente a deposizione di u stratu atomicu U rivestimentu mantene a camera pulita è hà una alta resistenza à a corrosione di i precursori.

Substratu di grafite rivestitu di carburo di siliciu sic

 

Perchè sceglie VET Energy ?

 

VET Energy hè un fabricatore principale, innovatore è capu di i prudutti di rivestimentu SiC in Cina, i principali prudutti di rivestimentu SiC includenusupportu di wafer cù rivestimentu in SiC, Rivestitu di SiCsuscettore epitassiale, Anellu di grafite rivestitu di SiC, Parti à mezza luna cù rivestimentu in SiC, Cumpostu carboniu-carboniu rivestitu di SiC, Barca à wafer rivestita di SiC, Riscaldatore rivestitu di SiC, ecc. VET Energy s'impegna à furnisce à l'industria di i semiconduttori a tecnulugia è e suluzioni di prudutti più avanzate, è sustene i servizii di persunalizazione. Aspittemu sinceramente di esse u vostru partenariu à longu andà in Cina.

Sè avete qualchì dumanda o avete bisognu di più dettagli, ùn esitate micca à cuntattateci.

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Data di publicazione: 18 d'ottobre di u 2024
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