¿Cuál es la diferencia entre PECVD y LPCVD en equipos CVD de semiconductores?

Deposición química de vapor (ECV) se refiere al proceso de depositar una película sólida sobre la superficie de un silicio.obleaMediante una reacción química de una mezcla de gases. Según las diferentes condiciones de reacción (presión, precursor), se pueden clasificar en varios modelos de equipos.

Equipo de CVD de semiconductores (1)

¿Para qué procesos se utilizan estos dos dispositivos?

PECVDLos equipos LPCVD (Plasma Enhanced) son los más numerosos y más utilizados, utilizándose en OX, Nitruro, puerta metálica, carbono amorfo, etc.; LPCVD (Low Power) se suele utilizar en Nitruro, poli, TEOS.
¿Cuál es el principio?
PECVD: un proceso que combina a la perfección la energía del plasma y la CVD. La tecnología PECVD utiliza plasma de baja temperatura para inducir una descarga luminiscente en el cátodo de la cámara de proceso (es decir, la bandeja de muestras) a baja presión. Esta descarga luminiscente u otro dispositivo de calentamiento puede elevar la temperatura de la muestra a un nivel predeterminado y, posteriormente, introducir una cantidad controlada de gas de proceso. Este gas experimenta una serie de reacciones químicas y plasmáticas, y finalmente forma una película sólida sobre la superficie de la muestra.

Equipo de CVD de semiconductores (1)

LPCVD: La deposición química de vapor a baja presión (LPCVD) está diseñada para reducir la presión de operación del gas de reacción en el reactor a aproximadamente 133 Pa o menos.

¿Cuales son las características de cada uno?

PECVD - Un proceso que combina perfectamente la energía del plasma y la CVD: 1) Operación a baja temperatura (evitando daños al equipo por altas temperaturas); 2) Crecimiento rápido de la película; 3) No es exigente con los materiales, OX, nitruro, puerta de metal, carbono amorfo pueden crecer; 4) Hay un sistema de monitoreo in situ, que puede ajustar la receta a través de parámetros de iones, caudal de gas, temperatura y espesor de la película.
LPCVD: Las películas delgadas depositadas mediante LPCVD presentan una mejor cobertura de pasos, un buen control de composición y estructura, y una alta tasa de deposición y rendimiento. Además, el LPCVD no requiere gas portador, lo que reduce considerablemente la contaminación por partículas y se utiliza ampliamente en la industria de semiconductores de alto valor añadido para la deposición de películas delgadas.

Equipos de CVD de semiconductores (3)

 

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Hora de publicación: 24 de julio de 2024
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