deposición química en fase vapor (Enfermedad cardiovascular) se refiere al proceso de depositar una película sólida sobre la superficie de un silicioobleamediante una reacción química de una mezcla de gases. Según las diferentes condiciones de reacción (presión, precursor), se puede dividir en varios modelos de equipos.
¿Para qué procesos se utilizan estos dos dispositivos?
PECVDEl equipo (de plasma mejorado) es el más numeroso y el más utilizado, empleado en OX, nitruro, compuerta metálica, carbono amorfo, etc.; LPCVD (baja potencia) se utiliza habitualmente en nitruro, poli, TEOS.
¿Cuál es el principio?
PECVD es un proceso que combina a la perfección la energía del plasma y la deposición química en fase vapor (CVD). La tecnología PECVD utiliza plasma a baja temperatura para inducir una descarga luminiscente en el cátodo de la cámara de procesamiento (es decir, la bandeja de muestras) a baja presión. Esta descarga luminiscente, u otro dispositivo de calentamiento, eleva la temperatura de la muestra a un nivel predeterminado, tras lo cual se introduce una cantidad controlada de gas de proceso. Este gas experimenta una serie de reacciones químicas y de plasma, formando finalmente una película sólida sobre la superficie de la muestra.
LPCVD - La deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD) está diseñada para reducir la presión de funcionamiento del gas de reacción en el reactor a unos 133 Pa o menos.
¿Cuáles son las características de cada uno?
PECVD: un proceso que combina a la perfección la energía del plasma y la CVD: 1) Funcionamiento a baja temperatura (evitando daños por altas temperaturas en el equipo); 2) Crecimiento rápido de la película; 3) No es exigente con los materiales, se pueden cultivar óxidos, nitruros, compuertas metálicas y carbono amorfo; 4) Existe un sistema de monitorización in situ que permite ajustar la receta mediante parámetros iónicos, caudal de gas, temperatura y espesor de la película.
LPCVD: Las películas delgadas depositadas mediante LPCVD presentan una mejor cobertura de escalones, un buen control de la composición y la estructura, y una alta tasa y rendimiento de deposición. Además, al no requerir gas portador, LPCVD reduce considerablemente la contaminación por partículas y se utiliza ampliamente en la industria de semiconductores de alto valor añadido para la deposición de películas delgadas.
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Fecha de publicación: 24 de julio de 2024