ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ PECVD ແລະ LPCVD ໃນອຸປະກອນ CVD ເຄິ່ງຕົວນຳແມ່ນຫຍັງ?

ການຕົກຕະກອນໄອນ້ຳທາງເຄມີ (ພະຍາດຫົວໃຈແລະຫຼອດເລືອດ) ໝາຍເຖິງຂະບວນການວາງຟິມແຂງໄວ້ເທິງໜ້າຜິວຂອງຊິລິໂຄນເວເຟີຜ່ານປະຕິກິລິຍາເຄມີຂອງສ່ວນປະສົມຂອງອາຍແກັສ. ອີງຕາມເງື່ອນໄຂປະຕິກິລິຍາທີ່ແຕກຕ່າງກັນ (ຄວາມກົດດັນ, ສານຕັ້ງຕົ້ນ), ມັນສາມາດແບ່ງອອກເປັນຮູບແບບອຸປະກອນຕ່າງໆ.

ອຸປະກອນທັງສອງນີ້ໃຊ້ເພື່ອຂະບວນການໃດແດ່?

PECVDອຸປະກອນ (Plasma Enhanced) ແມ່ນມີຈຳນວນຫຼາຍທີ່ສຸດ ແລະ ນິຍົມໃຊ້ຫຼາຍທີ່ສຸດ, ໃຊ້ໃນ OX, Nitride, metal gate, amorphous carbon, ແລະອື່ນໆ; LPCVD (Low Power) ມັກຖືກໃຊ້ໃນ Nitride, poly, TEOS.
ຫຼັກການແມ່ນຫຍັງ?
PECVD - ຂະບວນການທີ່ລວມເອົາພະລັງງານ plasma ແລະ CVD ຢ່າງສົມບູນແບບ. ເທັກໂນໂລຢີ PECVD ໃຊ້ plasma ອຸນຫະພູມຕ່ຳເພື່ອກະຕຸ້ນການປ່ອຍແສງຢູ່ທີ່ cathode ຂອງຫ້ອງຂະບວນການ (ເຊັ່ນ: ຖາດຕົວຢ່າງ) ພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນຕ່ຳ. ການປ່ອຍແສງນີ້ ຫຼື ອຸປະກອນຄວາມຮ້ອນອື່ນໆສາມາດເພີ່ມອຸນຫະພູມຂອງຕົວຢ່າງໃຫ້ຢູ່ໃນລະດັບທີ່ກຳນົດໄວ້, ແລະຈາກນັ້ນນຳເອົາອາຍແກັສຂະບວນການໃນປະລິມານທີ່ຄວບຄຸມໄດ້. ອາຍແກັສນີ້ຜ່ານປະຕິກິລິຍາເຄມີ ແລະ plasma ຫຼາຍຄັ້ງ, ແລະສຸດທ້າຍກໍ່ສ້າງເປັນຟິມແຂງຢູ່ເທິງໜ້າດິນຂອງຕົວຢ່າງ.

LPCVD - ການວາງອາຍເຄມີຄວາມດັນຕ່ຳ (LPCVD) ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມດັນປະຕິບັດການຂອງອາຍແກັສປະຕິກິລິຍາໃນເຕົາປະຕິກອນໃຫ້ປະມານ 133Pa ຫຼືໜ້ອຍກວ່າ.

ຄຸນລັກສະນະຂອງແຕ່ລະອັນແມ່ນຫຍັງ?

PECVD - ຂະບວນການທີ່ລວມເອົາພະລັງງານ plasma ແລະ CVD ຢ່າງສົມບູນແບບ: 1) ການດໍາເນີນງານທີ່ອຸນຫະພູມຕໍ່າ (ຫຼີກລ່ຽງຄວາມເສຍຫາຍຈາກອຸນຫະພູມສູງຕໍ່ອຸປະກອນ); 2) ການເຕີບໂຕຂອງຟິມໄວ; 3) ບໍ່ເລືອກກ່ຽວກັບວັດສະດຸ, OX, Nitride, ປະຕູໂລຫະ, ຄາບອນອະຮູບຮ່າງສາມາດເຕີບໂຕໄດ້ທັງໝົດ; 4) ມີລະບົບຕິດຕາມກວດກາໃນສະຖານທີ່, ເຊິ່ງສາມາດປັບສູດຜ່ານພາລາມິເຕີໄອອອນ, ອັດຕາການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ອຸນຫະພູມ ແລະ ຄວາມໜາຂອງຟິມ.
LPCVD - ຟິມບາງໆທີ່ຝາກໂດຍ LPCVD ຈະມີການຄຸ້ມຄອງຂັ້ນຕອນທີ່ດີກວ່າ, ການຄວບຄຸມອົງປະກອບ ແລະ ໂຄງສ້າງທີ່ດີ, ອັດຕາການຝາກ ແລະ ຜົນຜະລິດສູງ. ນອກຈາກນັ້ນ, LPCVD ບໍ່ຕ້ອງການອາຍແກັສພາຫະນະ, ສະນັ້ນມັນຈຶ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນແຫຼ່ງມົນລະພິດຂອງອະນຸພາກໄດ້ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ ແລະ ຖືກນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກຳເຄິ່ງຕົວນຳທີ່ມີມູນຄ່າເພີ່ມສູງສຳລັບການຝາກຟິມບາງໆ.