Deposição química de vapor (DCV) refere-se ao processo de deposição de uma película sólida na superfície de um silíciobolachaatravés de uma reação química de uma mistura gasosa. De acordo com as diferentes condições de reação (pressão, precursor), pode ser dividido em vários modelos de equipamentos.
Para quais processos esses dois dispositivos são usados?
PECVDO equipamento (Plasma Enhanced) é o mais numeroso e mais comumente usado, usado em OX, Nitreto, porta metálica, carbono amorfo, etc.; LPCVD (Low Power) é geralmente usado em Nitreto, poli, TEOS.
Qual é o princípio?
PECVD — um processo que combina perfeitamente energia de plasma e CVD. A tecnologia PECVD utiliza plasma de baixa temperatura para induzir uma descarga luminescente no cátodo da câmara de processo (ou seja, bandeja de amostra) sob baixa pressão. Essa descarga luminescente ou outro dispositivo de aquecimento pode elevar a temperatura da amostra a um nível predeterminado e, em seguida, introduzir uma quantidade controlada de gás de processo. Esse gás passa por uma série de reações químicas e de plasma e, por fim, forma uma película sólida na superfície da amostra.
LPCVD - A deposição química de vapor de baixa pressão (LPCVD) é projetada para reduzir a pressão operacional do gás de reação no reator para cerca de 133 Pa ou menos.
Quais são as características de cada um?
PECVD - Um processo que combina perfeitamente energia de plasma e CVD: 1) Operação em baixa temperatura (evitando danos causados por altas temperaturas ao equipamento); 2) Crescimento rápido do filme; 3) Não é exigente quanto aos materiais, OX, nitreto, porta de metal e carbono amorfo podem crescer; 4) Há um sistema de monitoramento in-situ, que pode ajustar a receita por meio de parâmetros de íons, vazão de gás, temperatura e espessura do filme.
LPCVD - Filmes finos depositados por LPCVD apresentam melhor cobertura por etapas, bom controle de composição e estrutura, além de alta taxa de deposição e rendimento. Além disso, o LPCVD não requer gás de arraste, reduzindo significativamente a fonte de poluição por partículas e sendo amplamente utilizado na indústria de semicondutores de alto valor agregado para deposição de filmes finos.
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Horário da publicação: 24 de julho de 2024