Deposição química de vapor (DCV) refere-se ao processo de deposição de uma película sólida na superfície de um substrato de silício.waferpor meio de uma reação química de uma mistura gasosa. De acordo com as diferentes condições de reação (pressão, precursor), pode ser dividido em vários modelos de equipamentos.
Para que processos esses dois dispositivos são utilizados?
PECVDO equipamento de deposição química de vapor assistida por plasma (Plasma Enhanced) é o mais numeroso e comumente utilizado, empregado em processos como óxido de ...
Qual é o princípio?
PECVD é um processo que combina perfeitamente energia de plasma e CVD. A tecnologia PECVD utiliza plasma de baixa temperatura para induzir uma descarga luminescente no cátodo da câmara de processo (ou seja, a bandeja de amostras) sob baixa pressão. Essa descarga luminescente, ou outro dispositivo de aquecimento, eleva a temperatura da amostra a um nível predeterminado, permitindo a introdução de uma quantidade controlada de gás de processo. Esse gás passa por uma série de reações químicas e plasmáticas, formando finalmente um filme sólido na superfície da amostra.
LPCVD - A deposição química de vapor a baixa pressão (LPCVD) foi projetada para reduzir a pressão operacional do gás de reação no reator para cerca de 133 Pa ou menos.
Quais são as características de cada um?
PECVD - Um processo que combina perfeitamente energia de plasma e CVD: 1) Operação em baixa temperatura (evitando danos ao equipamento por altas temperaturas); 2) Crescimento rápido do filme; 3) Não é exigente quanto aos materiais, podendo crescer óxidos, nitretos, eletrodos metálicos e carbono amorfo; 4) Possui um sistema de monitoramento in situ, que permite ajustar a receita através de parâmetros iônicos, vazão de gás, temperatura e espessura do filme.
LPCVD - Filmes finos depositados por LPCVD apresentam melhor cobertura de etapas, bom controle de composição e estrutura, alta taxa de deposição e rendimento. Além disso, o LPCVD não requer gás de arraste, reduzindo significativamente a fonte de poluição por partículas e sendo amplamente utilizado na indústria de semicondutores de alto valor agregado para a deposição de filmes finos.
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Data da publicação: 24/07/2024