අර්ධ සන්නායක CVD උපකරණවල PECVD සහ LPCVD අතර වෙනස කුමක්ද?

රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීම (සීවීඩී) යනු සිලිකන් මතුපිට ඝන පටලයක් තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියයි.වේෆර්වායු මිශ්‍රණයක රසායනික ප්‍රතික්‍රියාවක් හරහා. විවිධ ප්‍රතික්‍රියා තත්වයන් (පීඩනය, පූර්වගාමියා) අනුව, එය විවිධ උපකරණ ආකෘතිවලට බෙදිය හැකිය.

මෙම උපාංග දෙක භාවිතා කරන්නේ කුමන ක්‍රියාවලීන් සඳහාද?

පීඊසීවීඩී(ප්ලාස්මා වැඩිදියුණු කළ) උපකරණ යනු OX, නයිට්‍රයිඩ්, ලෝහ ද්වාරය, අස්ඵටික කාබන් ආදියෙහි භාවිතා වන වඩාත්ම බහුල සහ බහුලව භාවිතා වන උපකරණ වේ; LPCVD (අඩු බලය) සාමාන්‍යයෙන් නයිට්‍රයිඩ්, පොලි, TEOS වල භාවිතා වේ.
මූලධර්මය කුමක්ද?
PECVD - ප්ලාස්මා ශක්තිය සහ CVD පරිපූර්ණ ලෙස ඒකාබද්ධ කරන ක්‍රියාවලියකි. PECVD තාක්ෂණය අඩු පීඩනයක් යටතේ ක්‍රියාවලි කුටියේ කැතෝඩයේ (එනම්, නියැදි තැටියේ) දිලිසෙන විසර්ජනය ඇති කිරීමට අඩු උෂ්ණත්ව ප්ලාස්මා භාවිතා කරයි. මෙම දිලිසෙන විසර්ජනය හෝ වෙනත් තාපන උපාංගයක් මඟින් නියැදියේ උෂ්ණත්වය කලින් තීරණය කළ මට්ටමකට ඉහළ නැංවිය හැකි අතර, පසුව පාලිත ක්‍රියාවලි වායු ප්‍රමාණයක් හඳුන්වා දිය හැකිය. මෙම වායුව රසායනික හා ප්ලාස්මා ප්‍රතික්‍රියා මාලාවකට භාජනය වන අතර අවසානයේ නියැදියේ මතුපිට ඝන පටලයක් සාදයි.

LPCVD - අඩු පීඩන රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (LPCVD) ප්‍රතික්‍රියාකාරකයේ ප්‍රතික්‍රියා වායුවේ ක්‍රියාකාරී පීඩනය 133Pa හෝ ඊට අඩු කිරීම සඳහා නිර්මාණය කර ඇත.

එක් එක් ලක්ෂණ මොනවාද?

PECVD - ප්ලාස්මා ශක්තිය සහ CVD පරිපූර්ණ ලෙස ඒකාබද්ධ කරන ක්‍රියාවලියක්: 1) අඩු උෂ්ණත්ව ක්‍රියාකාරිත්වය (උපකරණවලට ඉහළ උෂ්ණත්ව හානි වළක්වා ගැනීම); 2) වේගවත් පටල වර්ධනය; 3) ද්‍රව්‍ය ගැන එතරම් උනන්දුවක් නොදක්වන, OX, නයිට්‍රයිඩ්, ලෝහ ගේට්ටුව, අස්ඵටික කාබන් යන සියල්ල වර්ධනය විය හැකිය; 4) අයන පරාමිතීන්, වායු ප්‍රවාහ අනුපාතය, උෂ්ණත්වය සහ පටල ඝණකම හරහා වට්ටෝරුව සකස් කළ හැකි ස්ථානීය අධීක්ෂණ පද්ධතියක් ඇත.
LPCVD - LPCVD මගින් තැන්පත් කරන ලද තුනී පටල වඩා හොඳ පියවර ආවරණයක්, හොඳ සංයුතිය සහ ව්‍යුහ පාලනයක්, ඉහළ තැන්පත් වීමේ අනුපාතයක් සහ ප්‍රතිදානයක් ඇත. ඊට අමතරව, LPCVD සඳහා වාහක වායුවක් අවශ්‍ය නොවන බැවින් එය අංශු දූෂණයේ ප්‍රභවය බෙහෙවින් අඩු කරන අතර තුනී පටල තැන්පත් කිරීම සඳහා ඉහළ අගය එකතු කළ අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තවල බහුලව භාවිතා වේ.