Sự khác biệt giữa PECVD và LPCVD trong thiết bị CVD bán dẫn là gì?

Lắng đọng hơi hóa học (CVD) đề cập đến quá trình lắng đọng một lớp màng rắn trên bề mặt của siliconbánh xốpthông qua phản ứng hóa học của hỗn hợp khí. Theo các điều kiện phản ứng khác nhau (áp suất, tiền chất), có thể chia thành nhiều mô hình thiết bị khác nhau.

Hai thiết bị này được sử dụng cho những quy trình nào?

PECVDThiết bị (Plasma Enhanced) là thiết bị phổ biến và được sử dụng nhiều nhất, dùng trong OX, Nitride, cổng kim loại, cacbon vô định hình, v.v.; LPCVD (Low Power) thường dùng trong Nitride, poly, TEOS.
Nguyên tắc là gì?
PECVD - một quy trình kết hợp hoàn hảo giữa năng lượng plasma và CVD. Công nghệ PECVD sử dụng plasma nhiệt độ thấp để tạo ra sự phóng điện phát sáng tại cực âm của buồng xử lý (tức là khay mẫu) dưới áp suất thấp. Sự phóng điện phát sáng này hoặc thiết bị gia nhiệt khác có thể làm tăng nhiệt độ của mẫu lên mức được xác định trước, sau đó đưa vào một lượng khí xử lý được kiểm soát. Khí này trải qua một loạt các phản ứng hóa học và plasma, và cuối cùng tạo thành một lớp màng rắn trên bề mặt mẫu.

LPCVD - Lắng đọng hơi hóa học áp suất thấp (LPCVD) được thiết kế để giảm áp suất vận hành của khí phản ứng trong lò phản ứng xuống khoảng 133Pa hoặc thấp hơn.

Đặc điểm của từng loại là gì?

PECVD - Một quá trình kết hợp hoàn hảo giữa năng lượng plasma và CVD: 1) Hoạt động ở nhiệt độ thấp (tránh làm hỏng thiết bị ở nhiệt độ cao); 2) Phát triển màng nhanh; 3) Không kén chọn vật liệu, OX, Nitride, cổng kim loại, carbon vô định hình đều có thể phát triển; 4) Có hệ thống giám sát tại chỗ, có thể điều chỉnh công thức thông qua các thông số ion, lưu lượng khí, nhiệt độ và độ dày màng.
LPCVD - Màng mỏng được lắng đọng bằng LPCVD sẽ có độ phủ bước tốt hơn, kiểm soát thành phần và cấu trúc tốt, tốc độ lắng đọng và sản lượng cao. Ngoài ra, LPCVD không yêu cầu khí mang, do đó làm giảm đáng kể nguồn ô nhiễm hạt và được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp bán dẫn có giá trị gia tăng cao để lắng đọng màng mỏng.