В чем разница между PECVD и LPCVD в оборудовании для химического осаждения из газовой фазы полупроводников?

Химическое осаждение из паровой фазы (ССЗ) относится к процессу нанесения твердой пленки на поверхность кремниявафляпосредством химической реакции газовой смеси. В зависимости от различных условий реакции (давление, прекурсор) можно разделить на различные модели оборудования.

Оборудование для химического осаждения из газовой фазы полупроводников (1)

Для каких процессов используются эти два устройства?

ПХВД(Plasma Enhanced) оборудование является наиболее многочисленным и наиболее часто используемым, применяется в OX, нитридах, металлических затворах, аморфном углероде и т. д.; LPCVD (Low Power) обычно используется в нитридах, поли, TEOS.
В чем принцип?
PECVD — процесс, который идеально сочетает плазменную энергию и CVD. Технология PECVD использует низкотемпературную плазму для индуцирования тлеющего разряда на катоде технологической камеры (т. е. поддона для образца) под низким давлением. Этот тлеющий разряд или другое нагревательное устройство может повысить температуру образца до заданного уровня, а затем ввести контролируемое количество технологического газа. Этот газ подвергается серии химических и плазменных реакций и в конечном итоге образует твердую пленку на поверхности образца.

Оборудование для химического осаждения из газовой фазы полупроводников (1)

LPCVD — химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении (LPCVD) предназначено для снижения рабочего давления реакционного газа в реакторе до примерно 133 Па или ниже.

Каковы характеристики каждого из них?

PECVD — процесс, который идеально сочетает в себе энергию плазмы и CVD: 1) Низкотемпературная работа (что позволяет избежать повреждения оборудования при высоких температурах); 2) Быстрый рост пленки; 3) Нетребователен к материалам, можно выращивать OX, нитрид, металлический затвор, аморфный углерод; 4) Имеется система мониторинга in-situ, которая может корректировать рецепт с помощью ионных параметров, скорости потока газа, температуры и толщины пленки.
LPCVD - Тонкие пленки, нанесенные методом LPCVD, будут иметь лучшее покрытие ступеней, хороший контроль состава и структуры, высокую скорость осаждения и выход. Кроме того, LPCVD не требует газа-носителя, поэтому он значительно снижает источник загрязнения частицами и широко используется в полупроводниковой промышленности с высокой добавленной стоимостью для осаждения тонких пленок.

Оборудование для химического осаждения из газовой фазы полупроводников (3)

 

Приглашаем клиентов со всего мира посетить нас для дальнейшего обсуждения!

https://www.vet-china.com/

https://www.vet-china.com/cvd-coating/

https://www.vet-china.com/silicon-carbide-sic-ceramic/


Время публикации: 24 июля 2024 г.
Онлайн-чат WhatsApp!