Dépôt chimique en phase vapeur (maladies cardiovasculaires) fait référence au processus de dépôt d'un film solide sur la surface d'un siliciumtranchePar réaction chimique d'un mélange gazeux. Selon les conditions de réaction (pression, précurseur), on peut distinguer différents modèles d'équipements.
À quels processus servent ces deux appareils ?
PECVDLes équipements (Plasma Enhanced) sont les plus nombreux et les plus couramment utilisés, utilisés dans l'OX, le nitrure, la grille métallique, le carbone amorphe, etc. ; le LPCVD (Low Power) est généralement utilisé dans le nitrure, le poly, le TEOS.
Quel est le principe ?
PECVD – un procédé combinant parfaitement l'énergie plasma et le CVD. La technologie PECVD utilise un plasma basse température pour induire une décharge luminescente à la cathode de la chambre de traitement (c.-à-d. le plateau d'échantillon) sous basse pression. Cette décharge luminescente, ou tout autre dispositif de chauffage, permet d'élever la température de l'échantillon à un niveau prédéterminé, puis d'introduire une quantité contrôlée de gaz de traitement. Ce gaz subit une série de réactions chimiques et plasmatiques, et forme finalement un film solide à la surface de l'échantillon.
LPCVD - Le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) est conçu pour réduire la pression de fonctionnement du gaz de réaction dans le réacteur à environ 133 Pa ou moins.
Quelles sont les caractéristiques de chacun ?
PECVD - Un procédé qui combine parfaitement l'énergie plasma et le CVD : 1) Fonctionnement à basse température (évitant les dommages à haute température sur l'équipement) ; 2) Croissance rapide du film ; 3) Pas exigeant sur les matériaux, OX, nitrure, grille métallique, carbone amorphe peuvent tous croître ; 4) Il existe un système de surveillance in situ, qui peut ajuster la recette via les paramètres ioniques, le débit de gaz, la température et l'épaisseur du film.
LPCVD – Les couches minces déposées par LPCVD offrent une meilleure couverture des gradins, un bon contrôle de la composition et de la structure, ainsi qu'un taux de dépôt et un rendement élevés. De plus, le LPCVD ne nécessite pas de gaz vecteur, ce qui réduit considérablement la source de pollution particulaire et est largement utilisé dans les industries des semi-conducteurs à haute valeur ajoutée pour le dépôt de couches minces.
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Date de publication : 24 juillet 2024