Pielāgots SiC pārklājuma mucas susceptors

Mucas susceptorsir galvenā sastāvdaļa pusvadītāju epitaksiālajos augšanas procesos, piemēram, MOCVD, MBE, CVD. To galvenokārt izmanto, lai pārnēsātu vafeļus augstas temperatūras reakcijas kamerās un nodrošinātu vienmērīgu un stabilu termiskā lauka vidi, lai nodrošinātu precīzu epitaksiālo slāņu (piemēram, GaN, SiC utt.) uzklāšanu. Tās galvenā funkcija ir panākt vafeļu virsmas temperatūras augstu vienmērīgumu, izmantojot precīzu termiskā lauka kontroli, tādējādi nodrošinot epitaksiālo plāno plēvju biezumu, dopinga koncentrāciju un kristāliskās struktūras vienmērīgumu.

Mēs izmantojam savu patentēto tehnoloģiju, lai to izgatavotumucas susceptorsar ārkārtīgi augstu tīrības pakāpi, labu pārklājuma vienmērīgumu un izcilu kalpošanas laiku, kā arī augstu ķīmisko izturību un termisko stabilitāti.

VET Energy izmanto augstas tīrības pakāpes grafītu ar CVD-SiC pārklājumu, lai uzlabotu ķīmisko stabilitāti:

1. Augstas tīrības pakāpes grafīta materiāls
Augsta siltumvadītspēja: grafīta siltumvadītspēja ir trīs reizes lielāka nekā silīcijam, kas var ātri pārnest siltumu no sildīšanas avota uz plāksni un saīsināt sildīšanas laiku.
Mehāniskā izturība: izostatiskā spiediena grafīta blīvums ≥ 1,85 g/cm³, spēj izturēt augstu temperatūru virs 1200 ℃ bez deformācijas.

2. CVD SiC pārklājums
Ar ķīmiskās tvaiku uzklāšanas (CVD) palīdzību uz grafīta virsmas veidojas β-SiC slānis, kura tīrības pakāpe ir ≥ 99,99995%, pārklājuma biezuma vienmērīguma kļūda ir mazāka par ±5% un virsmas raupjums ir mazāks par Ra0,5µm.

3. Veiktspējas uzlabošana:
Izturība pret koroziju: var izturēt augstas korozijas gāzes, piemēram, Cl2, HCl utt., var trīs reizes pagarināt GaN epitaksijas kalpošanas laiku NH3 vidē.
Termiskā stabilitāte: termiskās izplešanās koeficients (4,5 × 10-6/℃) atbilst grafītam, lai novērstu pārklājuma plaisāšanu temperatūras svārstību dēļ.
Cietība un nodilumizturība: Vikersa cietība sasniedz 28 GPa, kas ir 10 reizes augstāka nekā grafītam un var samazināt plākšņu skrāpējumu risku.