ایپیٹیکسیل ایپی گریفائٹ بیرل سسپٹر

ایپیٹیکسیل ایپی گریفائٹ بیرل سسپٹر

ایپیٹیکسیل ایپی گریفائٹ بیرل سسپٹرایک خاص طور پر ڈیزائن کیا گیا سپورٹ اور ہیٹنگ ڈیوائس ہے جو ڈیپوزیشن یا ایپیٹیکسی پروسیس جیسے مینوفیکچرنگ کے دوران سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس کو پکڑنے اور گرم کرنے کے لیے استعمال ہوتی ہے۔

اس کی ساخت میں عام طور پر بیلناکار یا قدرے بیرل کی شکل ہوتی ہے، سطح کی خصوصیات متعدد جیبیں یا ویفرز رکھنے کے لیے پلیٹ فارمز، حرارتی طریقہ کے لحاظ سے ٹھوس یا کھوکھلی ڈیزائن ہوسکتی ہیں۔

epitaxial بیرل susceptor کے اہم کام:

1. ویفر کیریئر اور درجہ حرارت کنٹرول
سسپٹر کی سطح کو متعدد ویفر جیبوں (جیسے ہیکساگونل یا آکٹاگونل ترتیب) کے ساتھ ڈیزائن کیا گیا ہے، جو بیک وقت 6-15 ویفروں کو سہارا دے سکتی ہے۔ ہائی پیوریٹی گریفائٹ (120-150W/mK) کی اعلی تھرمل چالکتا گردشی فعل (5-20 RPM) کے ساتھ مل کر تیز حرارت کی منتقلی کو یقینی بناتی ہے، جس کے نتیجے میں سطح کے درجہ حرارت میں <± 1 ℃ اور ایپیٹیکسیل پرت کی موٹائی <1% کی یکسانیت ہوتی ہے۔

2. ری ایکٹنٹ گیس کے بہاؤ کی سمت کی اصلاح
سسپٹر کی سطح کا مائیکرو اسٹرکچر باؤنڈری پرت کے اثر کو توڑ سکتا ہے، جس سے ری ایکشن گیسوں (جیسے SiH4، NH3) کی یکساں تقسیم اور جمع ہونے کی شرح کی مستقل مزاجی میں بہتری آتی ہے۔

3. مخالف آلودگی اور مخالف سنکنرن تحفظ
گریفائٹ سبسٹریٹس زیادہ درجہ حرارت پر دھاتی نجاست (جیسے Fe,Ni) کو گلنے اور چھوڑنے کا خطرہ رکھتے ہیں، جبکہ 100μm موٹی CVD SiC کوٹنگ گریفائٹ کے اتار چڑھاؤ کو دبانے کے لیے ایک گھنی رکاوٹ بن سکتی ہے، جس کے نتیجے میں ویفر کی خرابی کی شرح <0.1 نقائص/سینٹی میٹر ² ہوتی ہے۔

درخواستیں:
-بنیادی طور پر سلکان ایپیٹیکسیل نمو کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔
-دیگر سیمی کنڈکٹر مواد جیسے GaAs، InP وغیرہ کے epitaxy کے لیے بھی لاگو ہوتا ہے۔

VET انرجی کیمیائی استحکام کو بڑھانے کے لیے CVD-SiC کوٹنگ کے ساتھ اعلی طہارت گریفائٹ کا استعمال کرتی ہے:

1. اعلی طہارت گریفائٹ مواد
ہائی تھرمل چالکتا: گریفائٹ کی تھرمل چالکتا سلیکون سے تین گنا زیادہ ہے، جو حرارتی منبع سے ویفر میں گرمی کو تیزی سے منتقل کر سکتی ہے اور حرارتی وقت کو کم کر سکتی ہے۔
مکینیکل طاقت: Isostatic پریشر گریفائٹ کثافت ≥ 1.85 g/cm ³، بغیر کسی خرابی کے 1200 ℃ سے زیادہ اعلی درجہ حرارت کو برداشت کرنے کے قابل۔

2. CVD SiC کوٹنگ
A β - SiC تہہ گریفائٹ کی سطح پر کیمیائی بخارات جمع کرنے (CVD) سے بنتی ہے، جس کی خالصیت ≥ 99.99995% ہے، کوٹنگ کی موٹائی کی یکسانیت کی خرابی ±5% سے کم ہے، اور سطح کی کھردری Ra0.5um سے کم ہے۔

3. کارکردگی میں بہتری:
سنکنرن مزاحمت: اعلی سنکنرن گیسوں جیسے Cl2، HCl، وغیرہ کو برداشت کر سکتا ہے، NH3 ماحول میں GaN epitaxy کی عمر کو تین گنا بڑھا سکتا ہے۔
حرارتی استحکام: درجہ حرارت کے اتار چڑھاو کی وجہ سے کوٹنگ کریکنگ سے بچنے کے لیے تھرمل توسیع کا گتانک (4.5 × 10-6/℃) گریفائٹ سے میل کھاتا ہے۔
سختی اور پہننے کی مزاحمت: Vickers کی سختی 28 GPa تک پہنچ جاتی ہے، جو گریفائٹ سے 10 گنا زیادہ ہے اور ویفر کے خراشوں کے خطرے کو کم کر سکتی ہے۔