എപ്പിറ്റാക്സിയൽ എപ്പി ഗ്രാഫൈറ്റ് ബാരൽ സസെപ്റ്റർ

എപ്പിറ്റാക്സിയൽ എപ്പി ഗ്രാഫൈറ്റ് ബാരൽ സസെപ്റ്റർ

എപ്പിറ്റാക്സിയൽ എപ്പി ഗ്രാഫൈറ്റ് ബാരൽ സസെപ്റ്റർഡിപ്പോസിഷൻ അല്ലെങ്കിൽ എപ്പിറ്റാക്സി പ്രക്രിയകൾ പോലുള്ള നിർമ്മാണ പ്രക്രിയകളിൽ അർദ്ധചാലക അടിവസ്ത്രങ്ങൾ പിടിക്കാനും ചൂടാക്കാനും ഉപയോഗിക്കുന്ന പ്രത്യേകം രൂപകൽപ്പന ചെയ്ത ഒരു പിന്തുണയും ചൂടാക്കൽ ഉപകരണവുമാണ്.

ഇതിന്റെ ഘടനയിൽ സാധാരണയായി സിലിണ്ടർ അല്ലെങ്കിൽ ചെറുതായി ബാരൽ ആകൃതിയിലുള്ളത് ഉൾപ്പെടുന്നു, ഉപരിതലത്തിൽ വേഫറുകൾ സ്ഥാപിക്കുന്നതിനുള്ള ഒന്നിലധികം പോക്കറ്റുകളോ പ്ലാറ്റ്‌ഫോമുകളോ ഉണ്ട്, ചൂടാക്കൽ രീതിയെ ആശ്രയിച്ച് ഖരമോ പൊള്ളയോ ആയ രൂപകൽപ്പന ആകാം.

എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ബാരൽ സസെപ്റ്ററിന്റെ പ്രധാന പ്രവർത്തനങ്ങൾ:

1. വേഫർ കാരിയറും താപനില നിയന്ത്രണവും
സസെപ്റ്റർ ഉപരിതലം ഒന്നിലധികം വേഫർ പോക്കറ്റുകൾ (ഷഡ്ഭുജാകൃതിയിലുള്ള അല്ലെങ്കിൽ അഷ്ടഭുജാകൃതിയിലുള്ള ക്രമീകരണം പോലുള്ളവ) ഉപയോഗിച്ച് രൂപകൽപ്പന ചെയ്‌തിരിക്കുന്നു, ഇത് ഒരേസമയം 6-15 വേഫറുകളെ പിന്തുണയ്ക്കും. ഉയർന്ന ശുദ്ധതയുള്ള ഗ്രാഫൈറ്റിന്റെ (120-150W/mK) ഉയർന്ന താപ ചാലകത ദ്രുത താപ കൈമാറ്റം ഉറപ്പാക്കുന്നു, ഭ്രമണ പ്രവർത്തനവുമായി (5-20 RPM) സംയോജിപ്പിച്ച്, <± 1 ℃ ന്റെ വേഫർ ഉപരിതല താപനില വ്യതിയാനത്തിനും <1% ന്റെ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളി കനം ഏകതയ്ക്കും കാരണമാകുന്നു.

2. റിയാക്ടന്റ് വാതക പ്രവാഹ ദിശയുടെ ഒപ്റ്റിമൈസേഷൻ
സസെപ്റ്റർ പ്രതലത്തിന്റെ സൂക്ഷ്മഘടനയ്ക്ക് അതിർത്തി പാളി പ്രഭാവത്തെ തകർക്കാൻ കഴിയും, ഇത് പ്രതിപ്രവർത്തന വാതകങ്ങളുടെ (SiH4, NH3 പോലുള്ളവ) ഏകീകൃത വിതരണത്തിന് അനുവദിക്കുകയും നിക്ഷേപ നിരക്കിന്റെ സ്ഥിരത മെച്ചപ്പെടുത്തുകയും ചെയ്യുന്നു.

3. മലിനീകരണ വിരുദ്ധവും നാശന വിരുദ്ധ സംരക്ഷണവും
ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ വിഘടിപ്പിക്കാനും ലോഹ മാലിന്യങ്ങൾ (Fe,Ni പോലുള്ളവ) പുറത്തുവിടാനും സാധ്യതയുണ്ട്, അതേസമയം 100μm കട്ടിയുള്ള CVD SiC കോട്ടിംഗിന് ഗ്രാഫൈറ്റ് ബാഷ്പീകരണത്തെ തടയുന്നതിന് ഒരു സാന്ദ്രമായ തടസ്സം സൃഷ്ടിക്കാൻ കഴിയും, ഇത് <0.1 വൈകല്യങ്ങൾ/സെ.മീ ² എന്ന വേഫർ വൈകല്യ നിരക്കിന് കാരണമാകുന്നു.

അപേക്ഷകൾ:
- പ്രധാനമായും സിലിക്കൺ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വളർച്ചയ്ക്ക് ഉപയോഗിക്കുന്നു.
-GaAs, InP, തുടങ്ങിയ മറ്റ് അർദ്ധചാലക വസ്തുക്കളുടെ എപ്പിറ്റാക്സിക്കും ഇത് ബാധകമാണ്.

രാസ സ്ഥിരത വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിന് VET എനർജി CVD-SiC കോട്ടിംഗുള്ള ഉയർന്ന ശുദ്ധതയുള്ള ഗ്രാഫൈറ്റ് ഉപയോഗിക്കുന്നു:

1. ഉയർന്ന ശുദ്ധതയുള്ള ഗ്രാഫൈറ്റ് മെറ്റീരിയൽ
ഉയർന്ന താപ ചാലകത: ഗ്രാഫൈറ്റിന്റെ താപ ചാലകത സിലിക്കണിനേക്കാൾ മൂന്നിരട്ടിയാണ്, ഇത് ചൂടാക്കൽ സ്രോതസ്സിൽ നിന്ന് വേഫറിലേക്ക് താപം വേഗത്തിൽ കൈമാറുകയും ചൂടാക്കൽ സമയം കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യും.
മെക്കാനിക്കൽ ശക്തി: ഐസോസ്റ്റാറ്റിക് പ്രഷർ ഗ്രാഫൈറ്റ് സാന്ദ്രത ≥ 1.85 g/cm ³, 1200 ℃ ന് മുകളിലുള്ള ഉയർന്ന താപനിലയെ രൂപഭേദം കൂടാതെ നേരിടാൻ കഴിയും.

2. സിവിഡി സിഐസി കോട്ടിംഗ്
ഗ്രാഫൈറ്റിന്റെ ഉപരിതലത്തിൽ കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (CVD) വഴി ഒരു β - SiC പാളി രൂപം കൊള്ളുന്നു, ≥ 99.99995% പരിശുദ്ധിയോടെ, കോട്ടിംഗ് കനത്തിന്റെ ഏകീകൃത പിശക് ±5% ൽ താഴെയാണ്, ഉപരിതല പരുക്കൻത Ra0.5um ൽ താഴെയാണ്.

3. പ്രകടന മെച്ചപ്പെടുത്തൽ:
നാശന പ്രതിരോധം: Cl2, HCl മുതലായ ഉയർന്ന നാശന വാതകങ്ങളെ ചെറുക്കാൻ കഴിയും, NH3 പരിതസ്ഥിതിയിൽ GaN എപ്പിറ്റാക്സിയുടെ ആയുസ്സ് മൂന്ന് മടങ്ങ് വർദ്ധിപ്പിക്കാൻ കഴിയും.
താപ സ്ഥിരത: താപനിലയിലെ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ മൂലമുണ്ടാകുന്ന കോട്ടിംഗ് വിള്ളലുകൾ ഒഴിവാക്കാൻ താപ വികാസ ഗുണകം (4.5 × 10-6/℃) ഗ്രാഫൈറ്റുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നു.
കാഠിന്യവും വസ്ത്രധാരണ പ്രതിരോധവും: വിക്കേഴ്‌സ് കാഠിന്യം 28 GPa ൽ എത്തുന്നു, ഇത് ഗ്രാഫൈറ്റിനേക്കാൾ 10 മടങ്ങ് കൂടുതലാണ്, കൂടാതെ വേഫർ പോറലുകളുടെ സാധ്യത കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യും.