Эпитаксиаль Эпи Графит баррель Сусцептор

Эпитаксиаль Эпи Графит баррель Сусцептор

Эпитаксиаль Эпи Графит баррель Сусцепторнь тунадасжуулалт эсвэл эпитакси процесс гэх мэт үйлдвэрлэлийн процессын үед хагас дамжуулагч субстратыг барьж халаахад ашигладаг тусгайлан бүтээсэн тулгуур ба халаалтын төхөөрөмж юм.

Түүний бүтэц нь ихэвчлэн цилиндр хэлбэртэй эсвэл бага зэрэг торх хэлбэртэй, гадаргуу нь олон халаас эсвэл вафли байрлуулах тавцантай бөгөөд халаалтын аргаас хамааран цул эсвэл хөндий хэлбэртэй байж болно.

Эпитаксиал торхны сусцепторын үндсэн үүрэг:

1. Вафер зөөгч ба температурын хяналт
Сусепторын гадаргуу нь олон тооны вафлины халаасаар (зургаан өнцөгт эсвэл найман өнцөгт зохион байгуулалт гэх мэт) хийгдсэн бөгөөд энэ нь нэгэн зэрэг 6-15 вафлиг даах боломжтой. Өндөр цэвэршилттэй бал чулууны өндөр дулаан дамжуулалт (120-150Вт/мК) нь эргэлтийн функцтэй (5-20 RPM) хослуулан хурдан дулаан дамжуулалтыг хангаж, вафлины гадаргуугийн температурын хазайлт <± 1 ℃, эпитаксиал давхаргын зузаан жигд <1% байна.

2. Урвалжийн хийн урсгалын чиглэлийг оновчтой болгох
Сусцептор гадаргуугийн бичил бүтэц нь хил хязгаарын давхаргын нөлөөг эвдэж, урвалын хий (SiH4, NH3 гэх мэт) жигд тархалтыг хангаж, тунадасны хурдны тогтвортой байдлыг сайжруулдаг.

3. Бохирдол болон зэврэлтээс хамгаалах
Графитын суурь нь задралд өртөмтгий бөгөөд өндөр температурт металлын хольц (Fe, Ni гэх мэт) ялгаруулдаг бол 100μм зузаантай CVD SiC бүрхүүл нь графитын ууршилтыг дарангуйлах нягт хаалт үүсгэж, улмаар ваферийн согогийн түвшин <0.1 согог/см² болдог.

Хэрэглээ:
-Цахиурын эпитаксиал өсөлтөд голчлон ашигладаг
-GaAs, InP гэх мэт бусад хагас дамжуулагч материалын эпитаксид мөн хамаарна.

VET Energy нь химийн тогтвортой байдлыг сайжруулахын тулд CVD-SiC бүрээстэй өндөр цэвэршилттэй бал чулууг ашигладаг.

1. Өндөр цэвэршилттэй бал чулуун материал
Өндөр дулаан дамжуулалт: Бал чулуун дулаан дамжуулалт нь цахиурынхаас гурав дахин их бөгөөд халаалтын эх үүсвэрээс вафли руу дулааныг хурдан шилжүүлж, халаах хугацааг богиносгодог.
Механик бат бэх: Изостатик даралттай бал чулууны нягтрал ≥ 1.85 г/см³, 1200°C-аас дээш өндөр температурт деформацид орохгүйгээр тэсвэрлэх чадвартай.

2. CVD SiC бүрхүүл
Бал чулууны гадаргуу дээр химийн уурын тунадасжилт (CVD)-аар β-SiC давхарга үүсдэг бөгөөд цэвэршилт нь ≥ 99.99995%, бүрэх зузааны жигд байдлын алдаа ±5%-иас бага, гадаргуугийн барзгаржилт нь Ra0.5um-ээс бага байна.

3. Гүйцэтгэлийн сайжруулалт:
Зэврэлтээс хамгаалах чадвар: Cl2, HCl гэх мэт өндөр идэмхий хийд тэсвэртэй бөгөөд NH3 орчинд GaN эпитаксигийн ашиглалтын хугацааг гурван дахин уртасгадаг.
Дулааны тогтвортой байдал: Дулааны тэлэлтийн коэффициент (4.5 × 10-6/℃) нь температурын хэлбэлзлээс үүдэлтэй бүрхүүл хагарахаас сэргийлж бал чулуутай тохирч байна.
Хатуулаг ба элэгдэлд тэсвэртэй байдал: Викерсийн хатуулаг нь 28 ГПа хүрдэг бөгөөд энэ нь бал чулуунаас 10 дахин өндөр бөгөөд вафли зурагдах эрсдлийг бууруулдаг.