Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorär en specialdesignad stöd- och värmeanordning som används för att hålla och värma halvledarsubstrat under tillverkningsprocesser som deponerings- eller epitaxiprocesser.

Dess struktur är vanligtvis cylindrisk eller lätt tunnformad, ytan har flera fickor eller plattformar för att placera wafers, och kan ha en solid eller ihålig design, beroende på uppvärmningsmetod.

Huvudfunktionerna hos den epitaxiella cylindersusceptorn:

1. Waferbärare och temperaturkontroll
Susceptorytan är utformad med flera waferfickor (t.ex. hexagonala eller åttkantiga), vilka kan stödja 6–15 wafers samtidigt. Den höga värmeledningsförmågan hos högren grafit (120–150 W/mK) säkerställer snabb värmeöverföring, i kombination med rotationsfunktionen (5–20 RPM), vilket resulterar i en avvikelse i waferytans temperatur på <± 1 ℃ och en jämn epitaxiell lagertjocklek på <1 %.

2. Optimering av reaktantgasens flödesriktning
Mikrostrukturen på susceptorytan kan bryta gränsskiktseffekten, vilket möjliggör en jämn fördelning av reaktionsgaser (såsom SiH4, NH3) och förbättrar jämnheten i avsättningshastigheten.

3. Skydd mot föroreningar och korrosion
Grafitsubstrat är benägna att sönderfalla och frigöra metallföroreningar (såsom Fe, Ni) vid höga temperaturer, medan en 100 μm tjock CVD SiC-beläggning kan bilda en tät barriär för att undertrycka grafitförångning, vilket resulterar i en waferdefektfrekvens på <0,1 defekter/cm².

Användningsområden:
-Används främst för epitaxial tillväxt av kisel
-Även tillämpbar för epitaxi av andra halvledarmaterial som GaAs, InP, etc.

VET Energy använder högren grafit med CVD-SiC-beläggning för att förbättra den kemiska stabiliteten:

1. Grafitmaterial med hög renhet
Hög värmeledningsförmåga: Grafits värmeledningsförmåga är tre gånger högre än kisels, vilket snabbt kan överföra värme från värmekällan till skivan och förkorta uppvärmningstiden.
Mekanisk hållfasthet: Isostatisk tryckgrafitdensitet ≥ 1,85 g/cm³, tål höga temperaturer över 1200 ℃ utan deformation.

2. CVD SiC-beläggning
Ett β-SiC-skikt bildas på grafitens yta genom kemisk ångavsättning (CVD), med en renhet på ≥ 99,99995 %, likformighetsfelet för beläggningstjockleken är mindre än ± 5 % och ytjämnheten är mindre än Ra0,5 um.

3. Prestandaförbättring:
Korrosionsbeständighet: tål starkt korrosiva gaser som Cl2, HCl etc., kan förlänga livslängden för GaN-epitaxin med tre gånger i NH3-miljö.
Termisk stabilitet: Värmeutvidgningskoefficienten (4,5 × 10⁻⁶/℃) matchar grafiten för att undvika sprickbildning i beläggningen orsakad av temperaturfluktuationer.
Hårdhet och slitstyrka: Vickers-hårdheten når 28 GPa, vilket är 10 gånger högre än grafit och kan minska risken för repor på skivor.