Epitaxial Epi-grafita Barelo-Susceptor

Epitaxial Epi-grafita Barelo-Susceptor

Epitaxial Epi-grafita Barelo-Susceptorestas speciale desegnita subtena kaj hejtila aparato uzata por teni kaj varmigi duonkonduktaĵajn substratojn dum fabrikadaj procezoj kiel deponado aŭ epitaksiaj procezoj.

Ĝia strukturo tipe inkluzivas cilindran aŭ iomete barelforman, la surfaco havas plurajn poŝojn aŭ platformojn por loki la oblatojn, kaj povas esti solida aŭ kava, depende de la hejtado-metodo.

La ĉefaj funkcioj de epitaksia barela susceptoro:

1. Oblateta Portilo kaj Temperaturkontrolo
La susceptora surfaco estas desegnita kun pluraj sifloj por la sifloj (kiel seslateraj aŭ okangulaj aranĝoj), kiuj povas subteni 6-15 siflojn samtempe. La alta varmokondukteco de altpureca grafito (120-150W/mK) certigas rapidan varmotransigon, kombinitan kun rotacia funkcio (5-20 RPM), rezultante en devio de la temperatura surfaco de la siflo je <± 1 ℃ kaj homogeneco de la epitaksa tavoldikeco je <1%.

2. Optimigo de la direkto de la fluo de la reakcianta gaso
La mikrostrukturo de la susceptor-surfaco povas rompi la limtavolan efikon, permesante unuforman distribuon de reakciaj gasoj (kiel ekzemple SiH4, NH3) kaj plibonigante la konsistencon de la depozicia rapideco.

3. Kontraŭpoluado kaj kontraŭkoroda protekto
Grafitaj substratoj emas putriĝi kaj liberigas metalajn malpuraĵojn (kiel Fe, Ni) je altaj temperaturoj, dum 100μm dika CVD SiC-tegaĵo povas formi densan baron por subpremi grafitan volatiliĝon, rezultante en difektofteco de vaflaj <0.1 difektoj/cm².

Aplikoj:
-Ĉefe uzata por silicia epitaksia kresko
-Ankaŭ aplikebla por epitaksio de aliaj duonkonduktaĵaj materialoj kiel GaAs, InP, ktp.

VET Energy uzas altpurecan grafiton kun CVD-SiC-tegaĵo por plibonigi kemian stabilecon:

1. Alta pureca grafita materialo
Alta varmokondukteco: la varmokondukteco de grafito estas triobla ol tiu de silicio, kiu povas rapide transdoni varmon de la varmofonto al la oblato kaj mallongigi la varmotempon.
Mekanika forto: Izostata premo grafita denseco ≥ 1.85 g/cm³, kapabla elteni altajn temperaturojn super 1200 ℃ sen deformiĝo.

2. CVD SiC-tegaĵo
β-SiC-tavolo formiĝas sur la surfaco de grafito per kemia vapora deponado (CVD), kun pureco de ≥ 99.99995%, la homogeneca eraro de la tegaĵa dikeco estas malpli ol ±5%, kaj la surfaca malglateco estas malpli ol Ra0.5um.

3. Plibonigo de rendimento:
Kororezisto: povas elteni altajn korodajn gasojn kiel Cl2, HCl, ktp., povas plilongigi la vivdaŭron de GaN-epitaksio trioble en NH3-medio.
Termika stabileco: La koeficiento de termika ekspansio (4,5 × 10⁻⁶/℃) kongruas kun la grafito por eviti fendetojn de la tegaĵo kaŭzitajn de temperaturfluktuoj.
Malmoleco kaj Eluziĝrezisto: La Vickers-malmoleco atingas 28 GPa, kio estas 10 fojojn pli alta ol grafito kaj povas redukti la riskon de gratvundoj sur la obletoj.