Epitaksial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksial Epi Graphite Barrel Susceptorer en specialdesignet støtte- og varmeenhed, der bruges til at holde og opvarme halvledersubstrater under fremstillingsprocesser som aflejrings- eller epitaksiprocesser.

Dens struktur er typisk cylindrisk eller let tøndeformet, overfladen har flere lommer eller platforme til placering af wafere, og den kan have et massivt eller hult design, afhængigt af opvarmningsmetoden.

Hovedfunktionerne af den epitaksiale tøndesusceptor:

1. Waferbærer og temperaturkontrol
Susceptoroverfladen er designet med flere waferlommer (såsom sekskantet eller ottekantet arrangement), som kan understøtte 6-15 wafere samtidigt. Den høje termiske ledningsevne af højrent grafit (120-150 W/mK) sikrer hurtig varmeoverførsel, kombineret med rotationsfunktion (5-20 RPM), hvilket resulterer i en waferoverfladetemperaturafvigelse på <± 1 ℃ og en ensartet epitaksial lagtykkelse på <1%.

2. Optimering af reaktantgasstrømningsretning
Mikrostrukturen på susceptoroverfladen kan bryde grænselagseffekten, hvilket muliggør ensartet fordeling af reaktionsgasser (såsom SiH4, NH3) og forbedrer ensartetheden af ​​aflejringshastigheden.

3. Beskyttelse mod forurening og korrosion
Grafitsubstrater er tilbøjelige til at nedbrydes og frigive metalurenheder (såsom Fe, Ni) ved høje temperaturer, mens en 100 μm tyk CVD SiC-belægning kan danne en tæt barriere, der undertrykker grafitfordampning, hvilket resulterer i en wafer-defektrate på <0,1 defekter/cm².

Anvendelser:
-Anvendes primært til epitaksial vækst af silicium
- Også anvendelig til epitaksi af andre halvledermaterialer som GaAs, InP osv.

VET Energy bruger grafit af høj renhed med CVD-SiC-belægning for at forbedre den kemiske stabilitet:

1. Grafitmateriale af høj renhed
Høj varmeledningsevne: Grafits varmeledningsevne er tre gange så høj som siliciums, hvilket hurtigt kan overføre varme fra varmekilden til waferen og forkorte opvarmningstiden.
Mekanisk styrke: Isostatisk trykgrafitdensitet ≥ 1,85 g/cm³, i stand til at modstå høje temperaturer over 1200 ℃ uden deformation.

2. CVD SiC-belægning
Et β-SiC-lag dannes på overfladen af ​​grafit ved kemisk dampaflejring (CVD) med en renhed på ≥ 99,99995%, ensartethedsfejlen for belægningstykkelsen er mindre end ± 5%, og overfladeruheden er mindre end Ra0,5um.

3. Forbedring af ydeevne:
Korrosionsbestandighed: Kan modstå stærkt korrosive gasser såsom Cl2, HCl osv., kan forlænge levetiden for GaN-epitaksi med tre gange i NH3-miljøet.
Termisk stabilitet: Den termiske udvidelseskoefficient (4,5 × 10⁻⁶/℃) matcher grafit for at undgå revner i belægningen forårsaget af temperaturudsving.
Hårdhed og slidstyrke: Vickers-hårdheden når 28 GPa, hvilket er 10 gange højere end grafits og kan reducere risikoen for ridser i waferen.