எபிடாக்சியல் எபி கிராஃபைட் பேரல் சஸ்செப்டர்

எபிடாக்சியல் எபி கிராஃபைட் பேரல் சஸ்செப்டர்

எபிடாக்சியல் எபி கிராஃபைட் பேரல் சஸ்செப்டர்டெபாசிஷன் அல்லது எபிடாக்ஸி செயல்முறைகள் போன்ற உற்பத்தி செயல்முறைகளின் போது குறைக்கடத்தி அடிமூலக்கூறுகளைத் தாங்கிப் பிடிக்கவும் வெப்பப்படுத்தவும் பயன்படுத்தப்படும், சிறப்பாக வடிவமைக்கப்பட்ட ஒரு தாங்கி மற்றும் வெப்பமூட்டும் சாதனம் ஆகும்.

இதன் கட்டமைப்பு பொதுவாக உருளை வடிவமாகவோ அல்லது சற்றே பீப்பாய் வடிவமாகவோ இருக்கும்; இதன் மேற்பரப்பில் வேஃபர்களை வைப்பதற்கான பல பள்ளங்கள் அல்லது தளங்கள் காணப்படும்; மேலும், வெப்பமூட்டும் முறையைப் பொறுத்து இது திடமானதாகவோ அல்லது உள்ளீடற்ற வடிவமைப்பாகவோ இருக்கலாம்.

எபிடெக்சியல் பேரல் சசெப்டரின் முக்கிய செயல்பாடுகள்:

1. வேஃபர் கேரியர் மற்றும் வெப்பநிலை கட்டுப்பாடு
தாங்கியின் மேற்பரப்பானது, ஒரே நேரத்தில் 6-15 வேஃபர்களைத் தாங்கக்கூடிய பல வேஃபர் பாக்கெட்டுகளுடன் (அறுகோண அல்லது எண்கோண அமைப்பு போன்றவை) வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. உயர் தூய்மை கிராஃபைட்டின் உயர் வெப்பக் கடத்துத்திறன் (120-150W/mK), சுழற்சி செயல்பாட்டுடன் (5-20 RPM) இணைந்து, விரைவான வெப்பப் பரிமாற்றத்தை உறுதி செய்கிறது. இதன் விளைவாக, வேஃபர் மேற்பரப்பு வெப்பநிலை விலகல் <± 1 ℃ ஆகவும், எபிடெக்சியல் அடுக்குத் தடிமன் சீரான தன்மை <1% ஆகவும் உள்ளது.

2. வினைபடு வாயு ஓட்டத் திசையை உகந்ததாக்குதல்
ஏற்பி மேற்பரப்பின் நுண் அமைப்பானது எல்லை அடுக்கு விளைவை உடைத்து, SiH4, NH3 போன்ற வினை வாயுக்களின் சீரான பரவலை அனுமதித்து, படிவு வீதத்தின் நிலைத்தன்மையை மேம்படுத்துகிறது.

3. மாசு மற்றும் அரிப்புத் தடுப்புப் பாதுகாப்பு
கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறுகள் அதிக வெப்பநிலையில் சிதைவடைந்து, Fe, Ni போன்ற உலோக அசுத்தங்களை வெளியிடுகின்றன. ஆனால், 100μm தடிமன் கொண்ட CVD SiC பூச்சானது, கிராஃபைட் ஆவியாதலைத் தடுக்கும் ஒரு அடர்த்தியான தடையை உருவாக்குவதால், வேஃபரில் உள்ள குறைபாடுகளின் விகிதம் <0.1 குறைபாடுகள்/cm² ஆக உள்ளது.

விண்ணப்பங்கள்:
- முதன்மையாக சிலிக்கான் எபிடெக்சியல் வளர்ச்சிக்குப் பயன்படுத்தப்படுகிறது
GaAs, InP போன்ற பிற குறைக்கடத்திப் பொருட்களின் எபிடாக்ஸிக்கும் இது பொருந்தும்.

VET எனர்ஜி, வேதியியல் நிலைத்தன்மையை மேம்படுத்துவதற்காக, CVD-SiC பூச்சு கொண்ட உயர் தூய்மையான கிராஃபைட்டைப் பயன்படுத்துகிறது:

1. உயர் தூய்மை கிராஃபைட் பொருள்
உயர் வெப்பக் கடத்துத்திறன்: கிராஃபைட்டின் வெப்பக் கடத்துத்திறன் சிலிக்கானை விட மூன்று மடங்கு அதிகம். இதனால், வெப்பமூட்டும் மூலத்திலிருந்து வேஃபருக்கு வெப்பத்தை விரைவாகக் கடத்தி, வெப்பமூட்டும் நேரத்தையும் குறைக்க முடிகிறது.
இயந்திர வலிமை: ஐசோஸ்டேடிக் அழுத்த கிராஃபைட் அடர்த்தி ≥ 1.85 கி/செ.மீ³, 1200 ℃-க்கு மேற்பட்ட உயர் வெப்பநிலையை உருக்குலைவின்றித் தாங்கக்கூடியது.

2. CVD SiC பூச்சு
வேதி ஆவிப் படிவு (CVD) மூலம் கிராஃபைட்டின் மேற்பரப்பில் ஒரு β - SiC படலம் உருவாக்கப்படுகிறது. இதன் தூய்மை ≥ 99.99995%, பூச்சின் தடிமனின் சீரான பிழை ±5%-க்கும் குறைவு, மற்றும் மேற்பரப்பின் சொரசொரப்பு Ra0.5um-க்கும் குறைவு.

3. செயல்திறன் மேம்பாடு:
அரிப்பு எதிர்ப்புத்திறன்: Cl2, HCl போன்ற அதிக அரிக்கும் வாயுக்களைத் தாங்கக்கூடியது, மேலும் NH3 சூழலில் GaN எபிடாக்ஸியின் ஆயுட்காலத்தை மூன்று மடங்கு நீட்டிக்க முடியும்.
வெப்ப நிலைத்தன்மை: வெப்பநிலை ஏற்ற இறக்கங்களால் ஏற்படும் பூச்சு விரிசல்களைத் தவிர்க்க, இதன் வெப்ப விரிவாக்கக் குணகம் (4.5 × 10-6/℃) கிராஃபைட்டுடன் ஒத்துப்போகிறது.
கடினத்தன்மை மற்றும் தேய்மான எதிர்ப்புத்திறன்: விக்கர்ஸ் கடினத்தன்மை 28 GPa-ஐ எட்டுகிறது, இது கிராஃபைட்டை விட 10 மடங்கு அதிகம் மற்றும் வேஃபர் கீறல்களின் அபாயத்தைக் குறைக்க வல்லது.