Епитаксиален Epi Graphite Barrel Susceptor

Епитаксиален Epi Graphite Barrel Susceptor

Епитаксиален Epi Graphite Barrel Susceptorе специално проектирано устройство за поддръжка и нагряване, използвано за задържане и нагряване на полупроводникови подложки по време на производствени процеси, като процеси на отлагане или епитаксия.

Структурата му обикновено е цилиндрична или леко бъчвовидна, повърхността му е с множество джобове или платформи за поставяне на пластините, може да бъде плътна или куха, в зависимост от метода на нагряване.

Основните функции на епитаксиалния бъчвовиден сусцептор:

1. Носач за вафли и контрол на температурата
Повърхността на токоприемника е проектирана с множество джобове за пластини (например шестоъгълно или осмоъгълно разположение), които могат да поддържат едновременно 6-15 пластини. Високата топлопроводимост на високочистия графит (120-150 W/mK) осигурява бърз пренос на топлина, комбиниран с функция на въртене (5-20 RPM), което води до отклонение на температурата на повърхността на пластината от <± 1 ℃ и равномерност на дебелината на епитаксиалния слой от <1%.

2. Оптимизиране на посоката на потока на реагентния газ
Микроструктурата на повърхността на токоприемника може да прекъсне ефекта на граничния слой, което позволява равномерно разпределение на реакционните газове (като SiH4, NH3) и подобрява постоянството на скоростта на отлагане.

3. Защита от замърсяване и корозия
Графитните субстрати са склонни към разлагане и отделят метални примеси (като Fe, Ni) при високи температури, докато CVD SiC покритие с дебелина 100 μm може да образува плътна бариера за потискане на изпаряването на графита, което води до процент на дефекти на пластината <0,1 дефекта/cm².

Приложения:
-Използва се предимно за епитаксиален растеж на силиций
-Приложим и за епитаксия на други полупроводникови материали като GaAs, InP и др.

VET Energy използва графит с висока чистота с CVD-SiC покритие за подобряване на химическата стабилност:

1. Графитен материал с висока чистота
Висока топлопроводимост: топлопроводимостта на графита е три пъти по-висока от тази на силиция, което позволява бързото предаване на топлина от източника на топлина към пластината и съкращаване на времето за нагряване.
Механична якост: Плътност на графита при изостатично налягане ≥ 1,85 g/cm³, способен да издържа на високи температури над 1200 ℃ без деформация.

2. CVD SiC покритие
β-SiC слой се образува върху повърхността на графита чрез химическо отлагане от пари (CVD), с чистота ≥ 99.99995%, грешката в еднородността на дебелината на покритието е по-малка от ±5%, а грапавостта на повърхността е по-малка от Ra0.5um.

3. Подобряване на производителността:
Устойчивост на корозия: може да издържи на силно корозивни газове като Cl2, HCl и др., може да удължи живота на GaN епитаксия три пъти в NH3 среда.
Термична стабилност: Коефициентът на термично разширение (4,5 × 10-6/℃) съответства на графита, за да се избегне напукване на покритието, причинено от температурни колебания.
Твърдост и износоустойчивост: Твърдостта по Викерс достига 28 GPa, което е 10 пъти по-високо от графита и може да намали риска от надраскване на пластината.