Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorهڪ خاص طور تي ٺهيل سپورٽ ۽ حرارتي ڊوائيس آهي جيڪو سيمي ڪنڊڪٽر سبسٽريٽس کي رکڻ ۽ گرم ڪرڻ لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي پيداوار جي عملن جهڙوڪ ڊيپوزيشن يا ايپيٽيڪسي عملن دوران.

ان جي بناوت ۾ عام طور تي سلنڈر يا ٿوري بيرل جي شڪل شامل آهي، مٿاڇري تي ويفرز رکڻ لاءِ ڪيترائي کيسي يا پليٽ فارم شامل آهن، گرم ڪرڻ جي طريقي تي منحصر ڪري، مضبوط يا خالي ڊيزائن ٿي سگهي ٿي.

ايپيٽيڪسيل بيرل سسپيٽر جا مکيه ڪم:

1. ويفر ڪيريئر ۽ گرمي پد ڪنٽرول
سسپيٽر مٿاڇري کي ڪيترن ئي ويفر پاڪيٽس (جهڙوڪ هيڪساگونل يا آڪٽاگونل ترتيب) سان ٺاهيو ويو آهي، جيڪو هڪ ئي وقت 6-15 ويفرز کي سپورٽ ڪري سگهي ٿو. اعليٰ پاڪائي واري گريفائيٽ (120-150W/mK) جي اعليٰ حرارتي چالکائي تيز گرمي جي منتقلي کي يقيني بڻائي ٿي، گردش جي فنڪشن (5-20 RPM) سان گڏ، جنهن جي نتيجي ۾ ويفر جي مٿاڇري جي گرمي پد جي انحراف <± 1 ℃ ۽ ايپيٽيڪسيل پرت جي ٿولهه جي هڪجهڙائي <1٪ آهي.

2. ري ايڪٽنٽ گيس جي وهڪري جي هدايت جي اصلاح
سسپيٽر مٿاڇري جو مائڪرو اسٽرڪچر بائونڊري پرت جي اثر کي ٽوڙي سگھي ٿو، رد عمل گيسن (جهڙوڪ SiH4، NH3) جي هڪجهڙائي ورڇ جي اجازت ڏئي ٿو ۽ جمع ٿيڻ جي شرح جي تسلسل کي بهتر بڻائي ٿو.

3. آلودگي ۽ سنکنرن جي خلاف تحفظ
گريفائيٽ سبسٽريٽ تيز گرمي پد تي سڙڻ ۽ ڌاتو جي نجاست (جهڙوڪ Fe، Ni) ڇڏڻ جو شڪار هوندا آهن، جڏهن ته 100μm ٿلهي CVD SiC ڪوٽنگ گريفائيٽ جي اتار چڙهڻ کي دٻائڻ لاءِ هڪ گهاٽي رڪاوٽ ٺاهي سگهي ٿي، جنهن جي نتيجي ۾ ويفر جي خرابي جي شرح <0.1 خرابي/cm ² ٿيندي آهي.

درخواستون:
- بنيادي طور تي سلڪون ايپيٽيڪسيل واڌ لاءِ استعمال ٿيندو آهي
- ٻين سيمي ڪنڊڪٽر مواد جهڙوڪ GaAs، InP، وغيره جي ايپيٽيڪسي لاءِ پڻ لاڳو ٿئي ٿو.

VET توانائي ڪيميائي استحڪام کي وڌائڻ لاءِ CVD-SiC ڪوٽنگ سان اعليٰ پاڪائي وارو گريفائٽ استعمال ڪري ٿي:

1. اعليٰ پاڪائي وارو گريفائيٽ مواد
اعليٰ حرارتي چالکائي: گريفائٽ جي حرارتي چالکائي سلڪون جي ڀيٽ ۾ ٽي ڀيرا آهي، جيڪا جلدي گرمي کي حرارتي ذريعن کان ويفر ڏانهن منتقل ڪري سگهي ٿي ۽ گرمي جو وقت گهٽائي سگهي ٿي.
مشيني طاقت: آئسوسٽٽڪ پريشر گريفائيٽ کثافت ≥ 1.85 گرام/سينٽي ميٽر ³، 1200 ℃ کان مٿي گرمي پد کي بغير ڪنهن خرابي جي برداشت ڪرڻ جي قابل.

2. سي وي ڊي سي سي ڪوٽنگ
گريفائٽ جي مٿاڇري تي ڪيميائي بخارات جي جمع (CVD) ذريعي هڪ β - SiC پرت ٺهيل آهي، جنهن جي پاڪائي ≥ 99.99995٪ آهي، ڪوٽنگ جي ٿولهه جي هڪجهڙائي جي غلطي ±5٪ کان گهٽ آهي، ۽ مٿاڇري جي خرابي Ra0.5um کان گهٽ آهي.

3. ڪارڪردگي بهتري:
سنکنرن جي مزاحمت: Cl2، HCl، وغيره جهڙين تيز سنکنرن گيسن کي برداشت ڪري سگهي ٿو، NH3 ماحول ۾ GaN ايپيٽيڪسي جي عمر ٽي ڀيرا وڌائي سگھي ٿو.
حرارتي استحڪام: حرارتي توسيع جو ڪوئفيشيٽ (4.5 × 10-6/℃) گريفائٽ سان ملندو آهي ته جيئن گرمي پد جي اتار چڙهاؤ جي ڪري ڪوٽنگ جي ڀڃڻ کان بچي سگهجي.
سختي ۽ لباس جي مزاحمت: وِڪرز جي سختي 28 GPa تائين پهچي ٿي، جيڪا گريفائٽ کان 10 ڀيرا وڌيڪ آهي ۽ ويفر اسڪريچز جي خطري کي گهٽائي سگهي ٿي.