Kishikizi cha Pipa cha Graphite cha Epitaxial Epi

Kishikizi cha Pipa cha Graphite cha Epitaxial Epi

Kishikizi cha Pipa cha Graphite cha Epitaxial Epini kifaa maalum cha usaidizi na cha kupasha joto kinachotumika kushikilia na kupasha joto substrates za nusu-semiconductor wakati wa michakato ya utengenezaji kama vile michakato ya Uwekaji au Epitaxy.

Muundo wake kwa kawaida huwa na umbo la silinda au pipa kidogo, uso una mifuko au majukwaa mengi ya kuweka wafers, inaweza kuwa na muundo mgumu au usio na mashimo, kulingana na njia ya kupasha joto.

Kazi kuu za kizuia pipa cha epitaxial:

1. Kibebaji cha Wafer na Udhibiti wa Halijoto
Uso wa susceptor umeundwa kwa mifuko mingi ya wafer (kama vile mpangilio wa hexagonal au octagonal), ambayo inaweza kusaidia wafers 6-15 kwa wakati mmoja. Upitishaji wa joto wa juu wa grafiti ya usafi wa juu (120-150W/mK) huhakikisha uhamishaji wa joto wa haraka, pamoja na utendaji wa mzunguko (5-20 RPM), na kusababisha kupotoka kwa joto la uso wa wafer la <± 1 ℃ na usawa wa unene wa safu ya epitaxial ya <1%.

2. Uboreshaji wa mwelekeo wa mtiririko wa gesi ya kisekta
Muundo mdogo wa uso wa susceptor unaweza kuvunja athari ya safu ya mpaka, kuruhusu usambazaji sawa wa gesi za mmenyuko (kama vile SiH4, NH3) na kuboresha uthabiti wa kiwango cha utuaji.

3. Kuzuia uchafuzi wa mazingira na kinga dhidi ya kutu
Sehemu ndogo za grafiti zinaweza kuoza na kutoa uchafu wa metali (kama vile Fe,Ni) katika halijoto ya juu, huku mipako ya CVD SiC yenye unene wa 100μm inaweza kuunda kizuizi kizito ili kuzuia tete ya grafiti, na kusababisha kiwango cha kasoro ya wafer cha <0.1 kasoro/cm².

Maombi:
-Hutumika hasa kwa ukuaji wa epitaxial ya silicon
-Inatumika pia kwa epitaksi ya vifaa vingine vya semiconductor kama vile GaAs, InP, n.k.

VET Energy hutumia grafiti ya usafi wa hali ya juu yenye mipako ya CVD-SiC ili kuongeza uthabiti wa kemikali:

1. Nyenzo ya grafiti yenye usafi wa hali ya juu
Upitishaji joto wa juu: upitishaji joto wa grafiti ni mara tatu ya silicon, ambayo inaweza kuhamisha joto haraka kutoka kwa chanzo cha joto hadi kwenye wafer na kufupisha muda wa joto.
Nguvu ya mitambo: Msongamano wa grafiti ya shinikizo la isostatic ≥ 1.85 g/cm³, yenye uwezo wa kuhimili halijoto ya juu zaidi ya 1200 ℃ bila mabadiliko.

2. Mipako ya CVD SiC
Safu ya β-SiC huundwa juu ya uso wa grafiti kwa kutumia mvuke wa kemikali (CVD), ikiwa na usafi wa ≥ 99.99995%, hitilafu ya usawa wa unene wa mipako ni chini ya ±5%, na ukali wa uso ni chini ya Ra0.5um.

3. Uboreshaji wa utendaji:
Upinzani wa kutu: inaweza kuhimili gesi zenye babuzi nyingi kama vile Cl2, HCl, n.k., inaweza kuongeza muda wa maisha wa epitaksi ya GaN kwa mara tatu katika mazingira ya NH3.
Uthabiti wa joto: Mgawo wa upanuzi wa joto (4.5 × 10-6/℃) unalingana na grafiti ili kuepuka kupasuka kwa mipako kunakosababishwa na mabadiliko ya halijoto.
Ugumu na Upinzani wa Uchakavu: Ugumu wa Vickers hufikia 28 GPa, ambayo ni mara 10 zaidi ya grafiti na inaweza kupunguza hatari ya mikwaruzo ya wafer.