Epitaksial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksial Epi Graphite Barrel Susceptorer en spesialdesignet støtte- og varmeenhet som brukes til å holde og varme opp halvledersubstrater under produksjonsprosesser som avsetnings- eller epitaksiprosesser.

Strukturen er vanligvis sylindrisk eller svakt tønneformet, overflaten har flere lommer eller plattformer for plassering av wafere, og kan være solid eller hul, avhengig av oppvarmingsmetoden.

Hovedfunksjonene til den epitaksiale tønnemottakeren:

1. Waferbærer og temperaturkontroll
Susceptoroverflaten er utformet med flere waferlommer (som sekskantet eller åttekantet arrangement), som kan støtte 6–15 wafere samtidig. Den høye varmeledningsevnen til høyrenhetsgrafitt (120–150 W/mK) sikrer rask varmeoverføring, kombinert med rotasjonsfunksjon (5–20 RPM), noe som resulterer i et temperaturavvik på waferoverflaten på <± 1 ℃ og en ensartet epitaksial lagtykkelse på <1 %.

2. Optimalisering av reaktantgassens strømningsretning
Mikrostrukturen til susceptoroverflaten kan bryte grensesjikteffekten, noe som gir jevn fordeling av reaksjonsgasser (som SiH4, NH3) og forbedrer konsistensen av avsetningshastigheten.

3. Beskyttelse mot forurensning og korrosjon
Grafittsubstrater er utsatt for nedbrytning og frigjør metallurenheter (som Fe, Ni) ved høye temperaturer, mens et 100 μm tykt CVD SiC-belegg kan danne en tett barriere for å undertrykke grafittfordampning, noe som resulterer i en waferdefektrate på <0,1 defekter/cm².

Bruksområder:
-Brukes primært til epitaksial vekst av silisium
- Også anvendelig for epitaksi av andre halvledermaterialer som GaAs, InP, etc.

VET Energy bruker grafitt med høy renhet med CVD-SiC-belegg for å forbedre den kjemiske stabiliteten:

1. Grafittmateriale med høy renhet
Høy varmeledningsevne: Varmeledningsevnen til grafitt er tre ganger så høy som silisium, noe som raskt kan overføre varme fra varmekilden til skiven og forkorte oppvarmingstiden.
Mekanisk styrke: Isostatisk trykkgrafitttetthet ≥ 1,85 g/cm³, i stand til å motstå høye temperaturer over 1200 ℃ uten deformasjon.

2. CVD SiC-belegg
Et β-SiC-lag dannes på overflaten av grafitt ved kjemisk dampavsetning (CVD), med en renhet på ≥ 99,99995 %, ensartethetsfeilen i beleggtykkelsen er mindre enn ± 5 %, og overflateruheten er mindre enn Ra0,5 um.

3. Ytelsesforbedring:
Korrosjonsbestandighet: tåler sterkt korrosive gasser som Cl2, HCl osv., kan forlenge levetiden til GaN-epitaksi med tre ganger i NH3-miljøet.
Termisk stabilitet: Termisk utvidelseskoeffisient (4,5 × 10⁻⁶/℃) samsvarer med grafitt for å unngå sprekkdannelser i belegget forårsaket av temperatursvingninger.
Hardhet og slitestyrke: Vickers-hardheten når 28 GPa, som er 10 ganger høyere enn grafitt og kan redusere risikoen for riper i skiver.