एपिटॅक्सियल एपी ग्रेफाइट बॅरल ससेप्टर

एपिटॅक्सियल एपी ग्रेफाइट बॅरल ससेप्टर

एपिटॅक्सियल एपी ग्रेफाइट बॅरल ससेप्टरहे एक विशेषतः डिझाइन केलेले आधार आणि उष्णता देणारे उपकरण आहे, जे डिपॉझिशन किंवा एपिटॅक्सी प्रक्रियेसारख्या उत्पादन प्रक्रियेदरम्यान सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट्सना धरून ठेवण्यासाठी आणि गरम करण्यासाठी वापरले जाते.

त्याची रचना सामान्यतः दंडगोलाकार किंवा किंचित पिंपासारखी असते, पृष्ठभागावर वेफर्स ठेवण्यासाठी अनेक खिसे किंवा प्लॅटफॉर्म असतात आणि उष्णता देण्याच्या पद्धतीनुसार ती भरीव किंवा पोकळ असू शकते.

एपिटॅक्सियल बॅरल ससेप्टरची मुख्य कार्ये:

१. वेफर कॅरियर आणि तापमान नियंत्रण
ससेप्टरचा पृष्ठभाग अनेक वेफर पॉकेट्ससह (जसे की षटकोनी किंवा अष्टकोनी रचना) डिझाइन केलेला आहे, जो एकाच वेळी ६-१५ वेफर्सना आधार देऊ शकतो. उच्च-शुद्धता असलेल्या ग्राफाइटची उच्च औष्णिक वाहकता (१२०-१५०W/mK) जलद उष्णता हस्तांतरण सुनिश्चित करते, आणि रोटेशन फंक्शन (५-२० RPM) सह, यामुळे वेफरच्या पृष्ठभागाच्या तापमानातील विचलन <± १ ℃ आणि एपिटॅक्सियल थराच्या जाडीची एकसमानता <१% राहते.

२. अभिकारक वायू प्रवाहाच्या दिशेचे इष्टतमीकरण
ससेप्टर पृष्ठभागाची सूक्ष्मसंरचना बाउंड्री लेयर इफेक्टला खंडित करू शकते, ज्यामुळे रिॲक्शन वायूंचे (जसे की SiH4, NH3) एकसमान वितरण शक्य होते आणि डिपॉझिशन दराची सुसंगतता सुधारते.

३. प्रदूषणरोधक आणि गंजरोधक संरक्षण
उच्च तापमानात ग्राफाइट सब्सट्रेट्सचे विघटन होऊन त्यातून धातूंच्या अशुद्धी (जसे की Fe, Ni) बाहेर पडण्याची शक्यता असते, तर 100μm जाडीचे CVD SiC कोटिंग ग्राफाइटचे बाष्पीभवन रोखण्यासाठी एक दाट अडथळा निर्माण करू शकते, ज्यामुळे वेफरमधील दोषांचे प्रमाण <0.1 दोष/cm² इतके राहते.

अनुप्रयोग:
-मुख्यतः सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वाढीसाठी वापरले जाते
-GaAs, InP, इत्यादींसारख्या इतर अर्धसंवाहक पदार्थांच्या एपिटॅक्सीसाठी देखील लागू.

VET एनर्जी रासायनिक स्थिरता वाढवण्यासाठी CVD-SiC कोटिंग असलेल्या उच्च शुद्धतेच्या ग्रॅफाइटचा वापर करते:

१. उच्च शुद्धतेचे ग्रॅफाइट साहित्य
उच्च औष्णिक वाहकता: ग्रॅफाइटची औष्णिक वाहकता सिलिकॉनपेक्षा तिप्पट असते, ज्यामुळे उष्णता स्रोतापासून वेफरपर्यंत उष्णता वेगाने हस्तांतरित होते आणि तापवण्याचा वेळ कमी होतो.
यांत्रिक शक्ती: आयसोस्टॅटिक प्रेशर ग्रॅफाइटची घनता ≥ 1.85 g/cm³, 1200 ℃ पेक्षा जास्त उच्च तापमान विकृतीशिवाय सहन करण्यास सक्षम.

२. सीव्हीडी एसआयसी कोटिंग
केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (CVD) द्वारे ग्रॅफाइटच्या पृष्ठभागावर β - SiC चा थर तयार केला जातो, ज्याची शुद्धता ≥ 99.99995% असते, कोटिंगच्या जाडीतील एकसमानतेची त्रुटी ±5% पेक्षा कमी असते आणि पृष्ठभागाची खडबड Ra0.5um पेक्षा कमी असते.

३. कार्यक्षमतेत सुधारणा:
क्षरण प्रतिरोध: Cl2, HCl, इत्यादींसारख्या उच्च क्षरणकारी वायूंचा सामना करू शकते, NH3 वातावरणात GaN एपिटॅक्सीचे आयुष्य तीन पटीने वाढवू शकते.
औष्णिक स्थिरता: औष्णिक प्रसरण गुणांक (4.5 × 10-6/℃) ग्रॅफाइटशी जुळतो, ज्यामुळे तापमानातील चढउतारामुळे होणारे कोटिंगचे तडे टाळता येतात.
कठोरता आणि झीज प्रतिरोध: विकर्स कठोरता २८ GPa पर्यंत पोहोचते, जी ग्रॅफाइटपेक्षा १० पट जास्त आहे आणि त्यामुळे वेफरवर ओरखडे पडण्याचा धोका कमी होऊ शकतो.