एपिटॅक्सियल एपी ग्रेफाइट बॅरल ससेप्टर

एपिटॅक्सियल एपी ग्रेफाइट बॅरल ससेप्टर

एपिटॅक्सियल एपी ग्रेफाइट बॅरल ससेप्टरहे एक खास डिझाइन केलेले सपोर्ट आणि हीटिंग डिव्हाइस आहे जे डिपॉझिशन किंवा एपिटॅक्सी प्रक्रियेसारख्या उत्पादन प्रक्रियेदरम्यान सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्स धरून ठेवण्यासाठी आणि गरम करण्यासाठी वापरले जाते.

त्याची रचना सामान्यतः दंडगोलाकार किंवा किंचित बॅरल-आकाराची असते, पृष्ठभागावर वेफर्स ठेवण्यासाठी अनेक खिसे किंवा प्लॅटफॉर्म असतात, गरम करण्याच्या पद्धतीनुसार ते घन किंवा पोकळ डिझाइन असू शकते.

एपिटॅक्सियल बॅरल ससेप्टरची मुख्य कार्ये:

१. वेफर कॅरियर आणि तापमान नियंत्रण
ससेप्टर पृष्ठभाग अनेक वेफर पॉकेट्ससह डिझाइन केलेला आहे (जसे की षटकोनी किंवा अष्टकोनी व्यवस्था), जे एकाच वेळी 6-15 वेफर्सना आधार देऊ शकतात. उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट (120-150W/mK) ची उच्च थर्मल चालकता रोटेशन फंक्शन (5-20 RPM) सह एकत्रितपणे जलद उष्णता हस्तांतरण सुनिश्चित करते, परिणामी वेफर पृष्ठभागाचे तापमान विचलन <± 1 ℃ आणि एपिटॅक्सियल लेयर जाडी एकरूपता <1% होते.

२. अभिक्रियाक वायू प्रवाहाच्या दिशेचे ऑप्टिमायझेशन
ससेप्टर पृष्ठभागाची सूक्ष्म रचना सीमा थर प्रभाव तोडू शकते, ज्यामुळे प्रतिक्रिया वायूंचे (जसे की SiH4, NH3) एकसमान वितरण होते आणि निक्षेपण दराची सुसंगतता सुधारते.

३. प्रदूषणविरोधी आणि गंजरोधक संरक्षण
ग्रेफाइट सब्सट्रेट्स उच्च तापमानात विघटन होण्यास आणि धातूच्या अशुद्धता (जसे की Fe, Ni) सोडण्यास प्रवण असतात, तर 100μm जाडीचा CVD SiC कोटिंग ग्रेफाइट अस्थिरता दाबण्यासाठी दाट अडथळा निर्माण करू शकतो, परिणामी वेफर दोष दर <0.1 दोष/सेमी ² होतो.

अर्ज:
-प्रामुख्याने सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वाढीसाठी वापरले जाते.
-GaAs, InP, इत्यादी इतर अर्धसंवाहक पदार्थांच्या एपिटॅक्सीसाठी देखील लागू.

रासायनिक स्थिरता वाढविण्यासाठी VET एनर्जी CVD-SiC कोटिंगसह उच्च शुद्धता ग्रेफाइट वापरते:

१. उच्च शुद्धता असलेले ग्रेफाइट साहित्य
उच्च थर्मल चालकता: ग्रेफाइटची थर्मल चालकता सिलिकॉनपेक्षा तिप्पट असते, जी हीटिंग स्त्रोतापासून वेफरमध्ये उष्णता जलद हस्तांतरित करू शकते आणि गरम होण्याचा वेळ कमी करू शकते.
यांत्रिक शक्ती: समस्थानिक दाब ग्रेफाइट घनता ≥ 1.85 ग्रॅम/सेमी ³, विकृतीशिवाय 1200 ℃ पेक्षा जास्त तापमान सहन करण्यास सक्षम.

२. सीव्हीडी एसआयसी कोटिंग
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) द्वारे ग्रेफाइटच्या पृष्ठभागावर β - SiC थर तयार होतो, ज्याची शुद्धता ≥ 99.99995% असते, कोटिंग जाडीची एकरूपता त्रुटी ±5% पेक्षा कमी असते आणि पृष्ठभागाची खडबडीतपणा Ra0.5um पेक्षा कमी असते.

३. कामगिरी सुधारणा:
गंज प्रतिकार: Cl2, HCl, इत्यादी उच्च गंजरोधक वायूंचा सामना करू शकतो, NH3 वातावरणात GaN एपिटॅक्सीचे आयुष्य तीन पट वाढवू शकतो.
औष्णिक स्थिरता: तापमानातील चढउतारांमुळे होणारे कोटिंग क्रॅकिंग टाळण्यासाठी औष्णिक विस्ताराचे गुणांक (४.५ × १०-६/℃) ग्रेफाइटशी जुळते.
कडकपणा आणि झीज प्रतिरोधकता: विकर्सची कडकपणा २८ GPa पर्यंत पोहोचते, जी ग्रेफाइटपेक्षा १० पट जास्त आहे आणि वेफर स्क्रॅचचा धोका कमी करू शकते.