ኤፒታክሲያል ኤፒ ግራፋይት በርሜል ሱስሴፕተር

ኤፒታክሲያል ኤፒ ግራፋይት በርሜል ሱስሴፕተር

ኤፒታክሲያል ኤፒ ግራፋይት በርሜል ሱስሴፕተርእንደ ዲፖዚሽን ወይም ኤፒታክሲ ሂደቶች ባሉ የምርት ሂደቶች ውስጥ ሴሚኮንዳክተር ንኡስ ንጣፎችን ለመያዝ እና ለማሞቅ በልዩ ሁኔታ የተነደፈ ድጋፍ እና ማሞቂያ መሳሪያ ነው።

አወቃቀሩ በተለምዶ የሲሊንደሪክ ወይም ትንሽ በርሜል ቅርጽ ያለው፣ የገጽታ ገፅታዎች በርካታ ኪሶችን ወይም ዋፍሮችን ለማስቀመጥ መድረኮችን ያካትታል፣ እንደ ማሞቂያ ዘዴው ጠንካራ ወይም ባዶ ንድፍ ሊሆን ይችላል።

የ epitaxial barrel susceptor ዋና ተግባራት-

1. ዋፈር ተሸካሚ እና የሙቀት መቆጣጠሪያ
የሱሴስተር ወለል በበርካታ የዋፈር ኪሶች (እንደ ባለ ስድስት ጎን ወይም ባለ ስምንት ጎን አቀማመጥ) የተነደፈ ሲሆን ይህም በአንድ ጊዜ ከ6-15 ዋፈርዎችን መደገፍ ይችላል። የከፍተኛ ንፅህና ግራፋይት (120-150W / mK) ከፍተኛ የሙቀት ማስተላለፊያ ፍጥነትን ያረጋግጣል, ከማዞሪያ ተግባር (5-20 RPM) ጋር ተዳምሮ, በዚህም ምክንያት የ wafer ወለል የሙቀት መጠን የ<± 1 ℃ እና የኤፒታክሲያል ንብርብር ውፍረት ተመሳሳይነት <1%.

2. reactant ጋዝ ፍሰት አቅጣጫ ማመቻቸት
የተጠረጠረው ወለል ማይክሮ structure የድንበር ንጣፍ ተጽእኖን ሊሰብር ይችላል, ይህም የግብረ-መልስ ጋዞችን (እንደ SiH4, NH3 ያሉ) አንድ ወጥ የሆነ ስርጭት እንዲኖር እና የተቀማጭ መጠንን ወጥነት ለማሻሻል ያስችላል.

3. ፀረ-ብክለት እና ፀረ-ዝገት ጥበቃ
የግራፋይት ንጣፎች ለመበስበስ የተጋለጡ እና የብረት እድፍ (እንደ ፌ፣ ኒ ያሉ) በከፍተኛ ሙቀት ይለቃሉ፣ 100μm ውፍረት ያለው የሲቪዲ ሲሲ ሽፋን የግራፋይት መለዋወጥን ለመግታት ጥቅጥቅ ያለ እንቅፋት ይፈጥራል፣ ይህም የዋፈር ጉድለት መጠን <0.1 ጉድለቶች/ሴሜ ² ነው።

መተግበሪያዎች፡-
-በዋነኛነት ለሲሊኮን ኤፒታክሲያል እድገት ያገለግላል
-እንዲሁም ለሌሎች ሴሚኮንዳክተር ቁሶች እንደ GaAs፣ InP፣ ወዘተ ኤፒታክሲ ተፈጻሚ ይሆናል።

የኬሚካል መረጋጋትን ለማሻሻል VET ኢነርጂ ከፍተኛ ንፅህና ግራፋይት ከሲቪዲ-ሲሲ ሽፋን ጋር ይጠቀማል፡-

1. ከፍተኛ ንፅህና ግራፋይት ቁሳቁስ
ከፍተኛ የሙቀት ማስተላለፊያ (thermal conductivity): የግራፋይት የሙቀት መጠን ከሲሊኮን በሶስት እጥፍ ይበልጣል, ይህም ሙቀትን ከማሞቂያው ምንጭ ወደ ቫፈር በፍጥነት ማስተላለፍ እና የሙቀት ጊዜን ሊያሳጥር ይችላል.
የሜካኒካል ጥንካሬ፡ የአይሶስታቲክ ግፊት ግራፋይት ጥግግት ≥ 1.85 ግ/ሴሜ ³፣ ከፍተኛ ሙቀትን ከ1200 ℃ በላይ ያለ ቅርፀት መቋቋም የሚችል።

2. የሲቪዲ ሲሲ ሽፋን
A β - SiC ንብርብር በግራፋይት ላይ በኬሚካል ትነት ክምችት (CVD) ላይ ይመሰረታል, በንፅህና ≥ 99.99995%, የሽፋን ውፍረት ተመሳሳይነት ስህተት ከ± 5% ያነሰ ነው, እና የወለል ንጣፉ ከ Ra0.5um ያነሰ ነው.

3. የአፈጻጸም ማሻሻል፡-
የዝገት መቋቋም፡- እንደ Cl2፣ HCl፣ ወዘተ የመሳሰሉ ከፍተኛ የሚበሰብሱ ጋዞችን መቋቋም ይችላል፣ የጋኤን ኤፒታክሲን ዕድሜ በ NH3 አካባቢ በሦስት እጥፍ ማራዘም ይችላል።
የሙቀት መረጋጋት፡ የሙቀት መስፋፋት (4.5 × 10-6/℃) ከግራፋይት ጋር ይዛመዳል በሙቀት መለዋወጥ ምክንያት የሚፈጠረውን የሽፋን መሰንጠቅን ለማስወገድ።
ጠንካራነት እና የመልበስ መቋቋም፡ የቪከርስ ጥንካሬ 28 ጂፒኤ ይደርሳል፣ ይህም ከግራፋይት በ10 እጥፍ ከፍ ያለ እና የዋፈር መቧጨር አደጋን ሊቀንስ ይችላል።