Эпитаксиальный эпиграфитовый цилиндрический токоприемник

Эпитаксиальный эпиграфитовый цилиндрический токоприемник

Эпитаксиальный эпиграфитовый цилиндрический токоприемникспециально разработанное поддерживающее и нагревательное устройство, используемое для удержания и нагрева полупроводниковых подложек во время производственных процессов, таких как осаждение или эпитаксия.

Его структура обычно имеет цилиндрическую или слегка бочкообразную форму, поверхность имеет несколько карманов или платформ для размещения пластин, может быть сплошной или полой конструкции в зависимости от метода нагрева.

Основные функции эпитаксиального бочкообразного токоприемника:

1. Носитель пластин и контроль температуры
Поверхность токоприемника спроектирована с несколькими карманами для пластин (например, шестиугольное или восьмиугольное расположение), которые могут поддерживать 6-15 пластин одновременно. Высокая теплопроводность высокочистого графита (120-150 Вт/мК) обеспечивает быструю передачу тепла в сочетании с функцией вращения (5-20 об/мин), что приводит к отклонению температуры поверхности пластины <± 1 ℃ и однородности толщины эпитаксиального слоя <1%.

2. Оптимизация направления потока газа-реагента
Микроструктура поверхности токоприемника может устранить эффект пограничного слоя, обеспечивая равномерное распределение реакционных газов (таких как SiH4, NH3) и улучшая постоянство скорости осаждения.

3. Защита от загрязнения и коррозии
Графитовые подложки склонны к разложению и выделению металлических примесей (таких как Fe, Ni) при высоких температурах, в то время как покрытие CVD SiC толщиной 100 мкм может образовывать плотный барьер для подавления улетучивания графита, что приводит к уровню дефектов пластины <0,1 дефекта/см².

Приложения:
-В основном используется для эпитаксиального роста кремния
-Также применимо для эпитаксии других полупроводниковых материалов, таких как GaAs, InP и т. д.

Компания VET Energy использует высокочистый графит с покрытием CVD-SiC для повышения химической стабильности:

1. Графитовый материал высокой чистоты
Высокая теплопроводность: теплопроводность графита в три раза выше, чем у кремния, что позволяет быстро передавать тепло от источника нагрева к пластине и сокращать время нагрева.
Механическая прочность: плотность графита при изостатическом давлении ≥ 1,85 г/см³, способность выдерживать высокие температуры свыше 1200 ℃ без деформации.

2. CVD-покрытие SiC
На поверхности графита методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) сформирован слой β-SiC с чистотой ≥ 99,99995%, погрешность равномерности толщины покрытия составляет менее ±5%, а шероховатость поверхности составляет менее Ra0,5мкм.

3. Улучшение производительности:
Коррозионная стойкость: выдерживает воздействие едких газов, таких как Cl2, HCl и т. д., может продлить срок службы эпитаксии GaN в три раза в среде NH3.
Термическая стабильность: коэффициент теплового расширения (4,5 × 10-6/℃) соответствует графиту, что позволяет избежать растрескивания покрытия из-за колебаний температуры.
Твердость и износостойкость: твердость по Виккерсу достигает 28 ГПа, что в 10 раз выше, чем у графита, и может снизить риск появления царапин на пластине.