Эпитаксиальный эпиграфитовый цилиндрический токоприемник

Эпитаксиальный эпиграфитовый цилиндрический токоприемник

Эпитаксиальный эпиграфитовый цилиндрический токоприемникЭто специально разработанное устройство для поддержки и нагрева полупроводниковых подложек, используемое для удержания и нагрева в процессе производства, например, при осаждении или эпитаксии.

Его структура обычно имеет цилиндрическую или слегка бочкообразную форму, поверхность снабжена множеством углублений или платформ для размещения пластин, может быть сплошной или полой в зависимости от метода нагрева.

Основные функции эпитаксиального цилиндрического подложечного элемента:

1. Поддержание пластины на подложке и контроль температуры.
Поверхность подложки имеет несколько карманов для пластин (например, гексагональную или октагональную структуру), что позволяет одновременно размещать от 6 до 15 пластин. Высокая теплопроводность высокочистого графита (120-150 Вт/мК) обеспечивает быструю передачу тепла, а функция вращения (5-20 об/мин) приводит к отклонению температуры поверхности пластины < ± 1 ℃ и равномерности толщины эпитаксиального слоя < 1%.

2. Оптимизация направления потока реакционного газа.
Микроструктура поверхности подложки может разрушить эффект пограничного слоя, обеспечивая равномерное распределение реакционных газов (таких как SiH4, NH3) и повышая стабильность скорости осаждения.

3. Защита от загрязнения и коррозии.
Графитовые подложки склонны к разложению и выделению металлических примесей (таких как Fe, Ni) при высоких температурах, в то время как покрытие из карбида кремния, полученное методом химического осаждения из газовой фазы (CVD), толщиной 100 мкм может образовать плотный барьер, подавляющий испарение графита, что приводит к частоте дефектов на подложке <0,1 дефектов/см².

Приложения:
-В основном используется для эпитаксиального роста кремния.
Также применимо для эпитаксии других полупроводниковых материалов, таких как GaAs, InP и т. д.

Компания VET Energy использует высокочистый графит с покрытием из CVD-SiC для повышения химической стабильности:

1. Графитовый материал высокой чистоты
Высокая теплопроводность: теплопроводность графита в три раза выше, чем у кремния, что позволяет быстро передавать тепло от источника нагрева к подложке и сокращать время нагрева.
Механическая прочность: плотность графита при изостатическом давлении ≥ 1,85 г/см³, способность выдерживать высокие температуры выше 1200 ℃ без деформации.

2. Покрытие SiC, полученное методом химического осаждения из газовой фазы (CVD).
Слой β-SiC формируется на поверхности графита методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) с чистотой ≥ 99,99995%, погрешностью равномерности толщины покрытия менее ±5% и шероховатостью поверхности менее Ra0,5 мкм.

3. Повышение производительности:
Коррозионная стойкость: выдерживает воздействие высококоррозионных газов, таких как Cl2, HCl и др., может в три раза продлить срок службы эпитаксии GaN в среде NH3.
Термическая стабильность: Коэффициент теплового расширения (4,5 × 10⁻⁶/℃) соответствует графиту, что предотвращает растрескивание покрытия, вызванное колебаниями температуры.
Твердость и износостойкость: твердость по Виккерсу достигает 28 ГПа, что в 10 раз выше, чем у графита, и может снизить риск появления царапин на кремниевой пластине.