Epitaksial Epi Grafit Barrel Suseptor

Epitaksial Epi Grafit Barrel Suseptor

Epitaksial Epi Grafit Barrel SuseptorDeposition ýa-da Epitaxy prosesleri ýaly önümçilik proseslerinde ýarymgeçiriji substratlary saklamak we gyzdyrmak üçin ulanylýan ýörite taýýarlanan goldaw we ýyladyş enjamy.

Onuň gurluşy adatça silindr görnüşli ýa-da birneme barrel şekilli, üstünde birnäçe jübü ýa-da wafli ýerleşdirmek üçin platformalar bar, ýyladyş usulyna baglylykda gaty ýa-da içi dizaýn bolup biler.

Epitaksial barrel duýgurlygynyň esasy wezipeleri:

1. Wafli daşaýjy we temperatura gözegçilik
Duýgurlygyň üstü, bir wagtyň özünde 6-15 wafli goldap bilýän birnäçe wafli jübüler bilen (altyburçly ýa-da sekizburçly tertip ýaly) düzülendir. Highokary arassa grafitiň (120-150W / mK) ýokary ýylylyk geçirijiligi, aýlaw funksiýasy (5-20 RPM) bilen utgaşyp, çalt ýylylyk geçirişini üpjün edýär, netijede ýerüsti temperaturanyň <± 1 of gyşarmagyna we epitaksial gatlagyň galyňlygynyň birmeňzeşligi <1%.

2. Reaktiw gaz akymynyň ugruny optimizasiýa
Duýgur ýeriň mikrostrukturasy reaksiýa gazlarynyň (SiH4, NH3 ýaly) birmeňzeş paýlanmagyna we çöketlik derejesiniň yzygiderliligini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýän araçäk gatlagynyň täsirini bozup biler.

3. Hapalanmaga we poslama garşy gorag
Grafit substratlary ýokary temperaturada çüýremäge we metal hapalaryny (Fe, Ni ýaly) goýbermäge ýykgyn edýär, 100μm galyňlykdaky CVD SiC örtügi grafitiň üýtgemegini basyp ýatyrmak üçin dykyz päsgelçilik döredip biler, netijede <0,1 kemçilik / sm defect.

Goýmalar:
- Ilki bilen kremniniň epitaksial ösmegi üçin ulanylýar
- GaAs, InP we ş.m. ýaly beýleki ýarymgeçiriji materiallaryň epitaksiýasy üçin hem ulanylýar.

VET Energy himiki durnuklylygy ýokarlandyrmak üçin CVD-SiC örtükli ýokary arassalyk grafitini ulanýar:

1. purokary arassalyk grafit materialy
Termokary ýylylyk geçirijiligi: grafitiň ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden üç esse köpdür, bu ýylylyk çeşmesinden wafli çalt geçirip, ýyladyş wagtyny gysgaldyp biler.
Mehaniki kuwwaty: izostatiki basyş grafit dykyzlygy 85 1,85 g / sm ³, deformasiýa bolmazdan 1200 above-dan ýokary ýokary temperatura çydap bilýär.

2. CVD SiC örtük
A - SiC gatlagy grafitiň üstünde himiki bug çökdürilmegi (CVD) bilen emele gelýär, arassalygy ≥ 99.99995%, örtük galyňlygynyň birmeňzeş ýalňyşlygy ± 5%, üstki çişlik Ra0.5um-dan pes.

3. Netijeleri gowulandyrmak:
Poslama garşylyk: Cl2, HCl we ş.m. ýaly ýokary poslaýjy gazlara çydap bilýär, NH3 gurşawynda GaN epitaksiýasynyň ömrüni üç esse uzaldyp biler.
Malylylyk durnuklylygy: malylylyk giňelme koeffisiýenti (4,5 × 10-6 / ℃), temperaturanyň üýtgemegi sebäpli örtülen ýarylmazlyk üçin grafit bilen gabat gelýär.
Gatylyk we geýim garşylygy: Wikersiň gatylygy 28 GPa ýetýär, bu grafitden 10 esse ýokary we wafli çyzmak howpuny azaldyp biler.