Epitaksial Epi Grafit Barrel Suseptor

Epitaksial Epi Grafit Barrel Suseptor

Epitaksial Epi Grafit Barrel SuseptorÇökdürme ýa-da Epitaksiýa prosesleri ýaly önümçilik proseslerinde ýarymgeçiriji substratlary saklamak we gyzdyrmak üçin ulanylýan ýörite dizaýn edilen goldaw we gyzdyryjy enjamdyr.

Onuň gurluşy adatça silindrik ýa-da biraz barrel şekilli, ýüzü plastinalary goýmak üçin köp sanly jübi ýa-da platformalary öz içine alýar we gyzdyryş usulyna baglylykda berk ýa-da boş dizaýn bolup biler.

Epitaksial barrel susseptorynyň esasy funksiýalary:

1. Wafer göteriji we temperatura gözegçiligi
Suseptoryň ýüzi bir wagtyň özünde 6-15 waferi saklap bilýän birnäçe wafer jübüleri (meselem, altyburçluk ýa-da sekizburçluk düzüliş) bilen dizaýn edilen. Ýokary arassa grafidiň ýokary ýylylyk geçirijiligi (120-150W/mK) aýlanma funksiýasy (5-20 RPM) bilen utgaşdyrylyp, ýylylygyň çalt geçirilmegini üpjün edýär, netijede waferiň ýüzi temperaturasynyň <± 1 ℃ we epitaksial gatlagyň galyňlygynyň deňligi <1% bolýar.

2. Reaksiýa girýän gaz akymynyň ugruny optimizirlemek
Suseptor ýüzüniň mikrostrukturasy serhet gatlagynyň täsirini bozup, reaksiýa gazlarynyň (SiH4, NH3 ýaly) deň paýlanmagyna we çökündi tizliginiň yzygiderliligini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär.

3. Hapalanmaga we korroziýa garşy gorag
Grafit substratlary ýokary temperaturada parçalanmaga we metal garyndylaryny (meselem, Fe, Ni) çykarmaga meýilli, 100μm galyňlykdaky CVD SiC örtügi bolsa grafitiň uçujylygynyň öňüni almak üçin dykyz päsgelçilik döredip biler, bu bolsa grafitiň kemçilik tizliginiň <0.1 kemçilik/sm² bolmagyna getirýär.

Ulanyşlar:
-Esasan kremniý epitaksial ösüşi üçin ulanylýar
-Şeýle hem GaAs, InP we ş.m. ýaly beýleki ýarymgeçiriji materiallaryň epitaksiýasy üçin ulanylýar.

“VET Energy” himiki durnuklylygy ýokarlandyrmak üçin CVD-SiC örtügi bilen ýokary arassa grafiti ulanýar:

1. Ýokary arassa grafit materialy
Ýokary ýylylyk geçirijiligi: grafidiň ýylylyk geçirijiligi kremniýiňkiden üç esse ýokary, bu bolsa ýylylygy gyzdyryjy çeşmeden plastinka çalt geçirip, gyzdyrma wagtyny gysgaldyp bilýär.
Mehaniki berkligi: Izostatik basyşly grafit dykyzlygy ≥ 1.85 g/sm³, 1200 ℃-den ýokary ýokary temperatura deformasiýasyz çydap bilýär.

2. CVD SiC örtügi
Grafitiň ýüzünde himiki bug çökündisi (CVD) arkaly β-SiC gatlagy emele gelýär, arassalygy ≥ 99.99995%, örtügiň galyňlygynyň deňlik ýalňyşlygy ± 5% -den az, ýüzüniň büdür-südürligi bolsa Ra0.5um-den az.

3. Işiň netijeliligini ýokarlandyrmak:
Korroziýa garşylygy: Cl2, HCl we ş.m. ýaly ýokary korroziýa gazlaryna çydap bilýär, NH3 gurşawynda GaN epitaksiýasynyň ömrüni üç esse uzaldyp bilýär.
Termal durnuklylyk: Termal giňelme koeffisiýenti (4.5 × 10-6/℃) temperatura üýtgemeleri sebäpli örtük çatlamasynyň öňüni almak üçin grafite deňleşýär.
Gatylyk we aşynma garşylygy: Wickers gatylygy 28 GPa-a ýetýär, bu bolsa grafitden 10 esse ýokary we wafer çyzyklarynyň töwekgelçiligini azaldyp biler.