Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorose fesoasoani fa'apitoa ma fa'avevela masini e fa'aaogaina e taofi ma fa'avevela ai mea fa'apipi'i semiconductor i le taimi o gaosiga fa'agasologa e pei o le Deposition po'o le Epitaxy.

O lona fausaga e aofia ai le fa'aigoa po'o le pa'u la'ititi, o luga e fa'aalia ai le tele o taga po'o fa'avae mo le tu'uina o fafie, e mafai ona mautu pe 'ō'o mamanu, fa'alagolago ile auala fa'avevela.

O galuega autu a le epitaxial barrel susceptor:

1. Wafer Carrier ma le Pulea o le vevela
O le susceptor surface ua mamanuina ma le tele o taga wafer (e pei o le hexagonal poʻo le octagonal arrangement), lea e mafai ona lagolagoina 6-15 wafers i le taimi e tasi. O le maualuga o le vevela o le graphite maualuga-mama (120-150W / mK) faʻamautinoa le faʻafefe vave o le vevela, faʻatasi ma le suiga o le galuega (5-20 RPM), e mafua ai le fesuiaiga o le vevela o le eleele o le<± 1 ℃ ma le epitaxial layer mafiafia tutusa <1%.

2. Fa'atonuga o le fa'agaoioiga o le tafega o kasa
O le microstructure o le susceptor surface e mafai ona talepeina le aʻafiaga o le tuaoi, faʻatagaina le tufatufaina tutusa o kasa tali (e pei o le SiH4, NH3) ma faʻaleleia le tutusa o le faʻaputuina fua faatatau.

3. Anti filogia ma anti-corrosion puipuiga
O mea'ai graphite e faigofie ona pala ma fa'asa'oloto mea leaga (pei o Fe, Ni) i le maualuga o le vevela, ae o le 100μm mafiafia CVD SiC faʻapipiʻi e mafai ona fausia ai se pa puipui e taofia ai le faʻafefe o le graphite, e oʻo atu ai i le fua o le faaletonu o le <0.1 defects/cm².

Talosaga:
-E faʻaaoga muamua mo le tuputupu aʻe epitaxial silicon
-E faʻaoga foi mo le epitaxy o isi mea semiconductor pei o GaAs, InP, ma isi.

VET Energy fa'aaoga le kalafi maualuga mama ma le CVD-SiC coating e fa'aleleia ai le mautu o vaila'au:

1. Mea graphite mama maualuga
O le maualuga o le vevela: o le faʻafefe o le graphite e tolu taimi o le silicon, lea e mafai ona vave faʻafeiloaʻi le vevela mai le mea faʻavevela i le wafer ma faʻapuupuu le taimi faʻamafanafana.
Malosiaga faʻainisinia: Isostatic pressure graphite density ≥ 1.85 g / cm ³, mafai ona faʻasaga i le maualuga o le vevela i luga ole 1200 ℃ e aunoa ma se faʻaleagaina.

2. CVD SiC ufiufi
O le β - SiC layer ua faia i luga o le graphite e ala ile vailaʻau vaʻaia (CVD), faʻatasi ai ma le mama o ≥ 99.99995%, o le mea sese tutusa o le mafiafia o le ufiufi e itiiti ifo i le ± 5%, ma o le roughness luga e itiiti ifo i le Ra0.5um.

3. Fa'aleleia galuega:
Tete'e fa'afefe: e mafai ona tatalia kasa maualuga e pei o le Cl2, HCl, ma isi, e mafai ona fa'alautele le ola ole GaN epitaxy ile tolu taimi ile siosiomaga NH3.
Fa'amautu fa'avela: O le aofa'i o le fa'alauteleina o le vevela (4.5 × 10-6/℃) e fetaui ma le kalafi e 'alofia ai le ta'e o le fa'afuifu e mafua mai i fesuiaiga o le vevela.
Malosi ma La'ei Fa'asagatau: O le Vickers ma'a'a e o'o atu i le 28 GPa, lea e 10 taimi e maualuga atu ai nai lo le kalafi ma e mafai ona fa'aitiitia ai le fa'aletonu o le masaesae.