Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptoro se masini lagolago ma masini fa'avevela ua mamanuina fa'apitoa e fa'aaoga e uu ma fa'avevela ai mea fa'avae semiconductor i le taimi o faiga gaosiga e pei o le Deposition po'o le Epitaxy.

O lona fausaga e masani ona fa'ata'amilomilo pe foliga teisi pei o se paelo, o lo'o i ai le tele o taga po'o ni fa'avae mo le tu'uina o apa, e mafai ona mafiafia pe gaogao fo'i, e fuafua i le auala e fa'avevela ai.

O galuega autu a le epitaxial barrel susceptor:

1. Avega o le Wafer ma le Puleaina o le Vevela
O le fogāeleele susceptor ua mamanuina i ni taga wafer e tele (e pei o le fa'atulagaga hexagonal po'o le octagonal), lea e mafai ona lagolagoina le 6-15 wafers i le taimi e tasi. O le maualuga o le conductivity vevela o le graphite mama maualuga (120-150W/mK) e fa'amautinoa ai le vave o le fesiita'iga o le vevela, fa'atasi ai ma le galuega fa'ata'amilomilo (5-20 RPM), ma i'u ai i le eseesega o le vevela o le fogāeleele wafer e <± 1 ℃ ma le tutusa o le mafiafia o le vaega epitaxial e <1%.

2. Fa'aleleia atili o le itu e tafe ai le kesi o le reactant
E mafai e le fausaga laʻititi o le fogāeleele o le susceptor ona motusia le aafiaga o le vaega tuaoi, ma mafai ai ona tufatufa tutusa ia kasa o tali atu (e pei o le SiH4, NH3) ma faaleleia atili ai le tutusa o le fua faatatau o le teuina.

3. Puipuiga mai le fa'aleagaina ma le 'ele'elea
E faigofie ona pala mea o le graphite ma fa'asa'oloto ai mea leaga o u'amea (e pei o le Fe,Ni) i le vevela maualuga, ae o le ufi CVD SiC e 100μm le mafiafia e mafai ona fausia ai se pa puipui mafiafia e taofia ai le fa'afefeteina o le graphite, ma i'u ai i se fua faatatau o le fa'aletonu o le wafer e <0.1 fa'aletonu/cm².

Talosaga:
-E fa'aaogaina tele mo le tuputupu a'e o le silicon epitaxial
-E talafeagai fo'i mo le epitaxy o isi mea semiconductor e pei o GaAs, InP, ma isi.

E fa'aaogā e le VET Energy le graphite mama maualuga ma le ufiufi CVD-SiC e fa'aleleia atili ai le mautu o vaila'au:

1. Mea fa'akalafi mama maualuga
Maualuga le fa'avevela: o le fa'avevela o le graphite e fa'atolu le silicon, lea e mafai ona vave fa'aliliuina le vevela mai le puna fa'avevela i le wafer ma fa'apu'upu'u le taimi fa'avevela.
Malosi fa'amekanika: Isostatic pressure graphite density ≥ 1.85 g/cm³, e mafai ona tatalia le vevela maualuga e sili atu i le 1200 ℃ e aunoa ma le fa'aleagaina.

2. Ufiufi CVD SiC
O se vaega β-SiC e fausia i luga o le fogāeleele o le graphite e ala i le fa'aputuga o le ausa vaila'au (CVD), fa'atasi ai ma le mama o le ≥ 99.99995%, o le sese tutusa o le mafiafia o le ufiufi e itiiti ifo i le ±5%, ma o le ma'a'a o le fogāeleele e itiiti ifo i le Ra0.5um.

3. Faaleleia atili o le faatinoga:
Tete'e i le 'ele: e mafai ona tatalia kasa 'ele maualuga e pei o le Cl2, HCl, ma isi, e mafai ona fa'alauteleina le umi o le GaN epitaxy i le fa'atolu i le siosiomaga NH3.
Mausali o le vevela: O le fua fa'atatau o le fa'alauteleina o le vevela (4.5 × 10-6/℃) e fetaui ma le karapite e 'alofia ai le māvaevae o le ufiufi e mafua mai i le fesuisuia'i o le vevela.
Ma'a'a ma le Tete'e atu i le Ofu: O le ma'a'a o Vickers e o'o atu i le 28 GPa, lea e 10 taimi e maualuga atu nai lo le karapite ma e mafai ona fa'aitiitia ai le lamatiaga o maosi o le wafer.