Сусептори баррел эпитаксиалии эпи графити

Сусептори баррел эпитаксиалии эпи графити

Сусептори баррел эпитаксиалии эпи графитияк дастгоҳи махсус тарҳрезишуда ва гармидиҳӣ мебошад, ки барои нигоҳдорӣ ва гарм кардани субстратҳои нимноқил ҳангоми равандҳои истеҳсолӣ, ба монанди равандҳои депозитсия ё эпитаксия истифода мешавад.

Сохтори он маъмулан силиндрӣ ё каме бочкашакл буда, дорои хусусиятҳои рӯизаминӣ якчанд ҷайбҳо ё платформаҳо барои ҷойгир кардани вафлиҳо мебошад, вобаста ба усули гармидиҳӣ метавонад тарҳи сахт ё холӣ бошад.

Вазифаҳои асосии ҳассосияти баррел эпитаксиалӣ:

1. Интиқолдиҳанда вафли ва назорати ҳарорат
Сатҳи ҳассос бо ҷайбҳои сершумори вафли тарҳрезӣ шудааст (ба монанди сохтори шашкунҷа ё ҳашткунҷа), ки метавонанд дар як вақт 6-15 вафлиро дастгирӣ кунанд. Кобилияти гармидиҳии баланди графити тозагии баланд (120-150 Вт/мК) интиқоли босуръати гармиро дар якҷоягӣ бо функсияи гардиш (5-20 RPM) таъмин мекунад, ки дар натиҷа инҳирофшавии ҳарорати сатҳи вафли <± 1 ℃ ва якрангии ғафсии қабати эпитаксиалӣ <1% мешавад.

2. Оптимизатсияи самти ҷараёни гази реактивӣ
Микроструктураи сатҳи ҳассосият метавонад таъсири қабати сарҳадиро вайрон кунад, ки барои тақсимоти яксони газҳои реаксия (аз қабили SiH4, NH3) ва беҳтар кардани мутобиқати суръати таҳшиншавӣ имкон медиҳад.

3. Муҳофизати зидди ифлосшавӣ ва зидди зангзанӣ
Субстратҳои графитӣ дар ҳарорати баланд ба таҷзия ва ифлосшавии металлҳо (масалан, Fe, Ni) майл доранд, дар ҳоле ки қабати ғафси CVD SiC 100 мкм метавонад монеаи зичеро барои рафъи ноустувории графит эҷод кунад, ки дар натиҷа сатҳи нуқсони вафли <0,1 нуқсон/см² ба вуҷуд меояд.

Барномаҳо:
-Асосан барои афзоиши эпитаксиали кремний истифода мешавад
-Инчунин барои эпитаксияи дигар маводи нимноқил ба монанди GaAs, InP ва ғайра татбиқ мешавад.

VET Energy барои баланд бардоштани устувории кимиёвӣ графити тозаи баландро бо рӯйпӯши CVD-SiC истифода мебарад:

1. Маводи графити тозагии баланд
Кобилияти гармигузаронии баланд: гармигузаронии графит нисбат ба кремний се маротиба зиёд аст, ки метавонад гармиро аз манбаи гармидиҳӣ ба вафли зуд интиқол диҳад ва вақти гармиро кӯтоҳ кунад.
Қувваи механикӣ: Зичии графити фишори изостатикӣ ≥ 1,85 г/см ³, қодир аст ба ҳарорати баланд аз 1200 ℃ бе деформатсия тоб оварад.

2. Сарпӯши CVD SiC
Дар сатҳи графит дар натиҷаи таҳшиншавии буғи химиявӣ (CVD) қабати β - SiC ба вуҷуд меояд, ки тозагии ≥ 99,99995%, хатогии якрангии ғафсии рӯйпӯш камтар аз ±5% ва ноҳамвории сатҳ камтар аз Ra0,5um аст.

3. Баланд бардоштани самаранокӣ:
Муқовимат ба зангзанӣ: метавонад ба газҳои баланди зангзананда, аз қабили Cl2, HCl ва ғайра тоб оварад, метавонад мӯҳлати умри эпитаксияи GaN-ро дар муҳити NH3 се маротиба дароз кунад.
Устувории гармӣ: Коэффисиенти васеъшавии гармӣ (4,5 × 10-6 / ℃) ба графит мувофиқат мекунад, то аз крекинги рӯйпӯш, ки аз тағирёбии ҳарорат ба вуҷуд омадааст, пешгирӣ кунад.
Сахтӣ ва муқовимат ба фарсудашавӣ: Сахтии Викерс ба 28 GPa мерасад, ки аз графит 10 маротиба зиёдтар аст ва метавонад хатари харошидан вафлиро коҳиш диҳад.