Сусептори баррел эпитаксиалии эпи графити

Сусептори баррел эпитаксиалии эпи графити

Сусептори баррел эпитаксиалии эпи графитияк дастгоҳи махсуси тарроҳишудаи дастгирӣ ва гармкунӣ мебошад, ки барои нигоҳ доштан ва гарм кардани субстратҳои нимноқилҳо ҳангоми равандҳои истеҳсолӣ ба монанди равандҳои таҳшиншавӣ ё эпитаксия истифода мешавад.

Сохтори он одатан шакли силиндрӣ ё каме баррелшаклро дар бар мегирад, сатҳи он дорои ҷайбҳо ё платформаҳои сершумор барои ҷойгир кардани вафлиҳо мебошад ва вобаста ба усули гармкунӣ метавонад яклухт ё холӣ бошад.

Вазифаҳои асосии суссептори баррели эпитаксиалӣ:

1. Интиқолдиҳандаи вафл ва назорати ҳарорат
Сатҳи суссептор бо якчанд ҷайбҳои вафли (масалан, тартиби шашкунҷа ё ҳашткунҷа) тарҳрезӣ шудааст, ки метавонанд ҳамзамон 6-15 вафлиро нигоҳ доранд. Гузаронандагии баланди гармии графити тозаи баланд (120-150Вт/мК) интиқоли босуръати гармиро дар якҷоягӣ бо функсияи гардиш (5-20 RPM) таъмин мекунад, ки дар натиҷа инҳирофи ҳарорати сатҳи вафли <± 1 ℃ ва яксонии ғафсии қабати эпитаксиалӣ <1% мегардад.

2. Беҳтар кардани самти ҷараёни гази реактив
Сохтори микросистемаи сатҳи суссептор метавонад таъсири қабати сарҳадиро вайрон кунад, ки имкон медиҳад, ки газҳои реаксия яксон тақсим шаванд (масалан, SiH4, NH3) ва мувофиқати суръати таҳшиншавӣ беҳтар карда шавад.

3. Муҳофизати зидди ифлосшавӣ ва зидди зангзанӣ
Субстратҳои графит ба таҷзия майл доранд ва дар ҳарорати баланд ифлосҳои металлӣ (ба монанди Fe, Ni)-ро хориҷ мекунанд, дар ҳоле ки рӯйпӯши CVD SiC бо ғафсии 100 мкм метавонад монеаи зичро барои пахш кардани бухоршавии графит ташкил диҳад, ки дар натиҷа суръати нуқсони вафли <0.1 нуқсон/см² ба вуҷуд меояд.

Барномаҳо:
-Асосан барои афзоиши эпитаксиалии кремний истифода мешавад
- Инчунин барои эпитаксияи дигар маводҳои нимноқилӣ ба монанди GaAs, InP ва ғайра татбиқ мешавад.

Ширкати VET Energy барои баланд бардоштани устувории кимиёвӣ аз графити тозагии баланд бо пӯшиши CVD-SiC истифода мебарад:

1. Маводи графити покизагии баланд
Гузаронандагии гармии баланд: Гузаронандагии гармии графит се маротиба аз кремний зиёдтар аст, ки метавонад гармиро аз манбаи гармидиҳӣ ба пластина зуд интиқол диҳад ва вақти гармкуниро кӯтоҳ кунад.
Қувваи механикӣ: Зичии графитии фишори изостатикӣ ≥ 1.85 г/см³, қодир аст ҳарорати баланди аз 1200 ℃ болоро бидуни деформатсия тоб оварад.

2. Пӯшиши CVD SiC
Қабати β-SiC дар сатҳи графит тавассути таҳшиншавии буғи кимиёвӣ (CVD) бо покии ≥ 99.99995% ба вуҷуд меояд, хатогии якхелагии ғафсии рӯйпӯш камтар аз ±5% ва ноҳамвории сатҳ камтар аз Ra0.5um аст.

3. Беҳтар кардани фаъолият:
Муқовимат ба зангзанӣ: метавонад ба газҳои зангзанандаи баланд, ба монанди Cl2, HCl ва ғайра тоб оварад, метавонад мӯҳлати эпитаксии GaN-ро дар муҳити NH3 се маротиба дароз кунад.
Устувории гармӣ: Коэффитсиенти васеъшавии гармӣ (4.5 × 10-6/℃) бо графит мувофиқат мекунад, то аз шикастани рӯйпӯш, ки аз тағирёбии ҳарорат ба вуҷуд меояд, пешгирӣ карда шавад.
Сахтӣ ва муқовимат ба фарсудашавӣ: Сахтии Викерс ба 28 ГПа мерасад, ки аз графит 10 маротиба баландтар аст ва метавонад хатари харошидани вафлро кам кунад.