Эпитаксиалды эпи-графит баррельді қабылдағыш

Эпитаксиалды эпи-графит баррельді қабылдағыш

Эпитаксиалды эпи-графит баррельді қабылдағыштұндыру немесе эпитаксия процестері сияқты өндірістік процестер кезінде жартылай өткізгіш субстраттарды ұстап тұру және жылыту үшін қолданылатын арнайы жасалған тірек және қыздыру құрылғысы.

Оның құрылымы әдетте цилиндрлік немесе аздап бөшке тәрізді, бетінде пластиналарды орналастыруға арналған бірнеше қалталар немесе платформалар бар, қыздыру әдісіне байланысты тұтас немесе қуыс конструкциялы болуы мүмкін.

Эпитаксиалды бөшкелік сусцептордың негізгі функциялары:

1. Вафли тасымалдағышы және температураны бақылау
Сусцептор беті бірнеше пластина қалталарымен (мысалы, алтыбұрышты немесе сегізбұрышты орналасу) жасалған, олар бір уақытта 6-15 пластинаны көтере алады. Жоғары тазалықтағы графиттің жоғары жылу өткізгіштігі (120-150 Вт/мК) айналу функциясымен (5-20 айн/мин) біріктірілгенде жылудың жылдам берілуін қамтамасыз етеді, нәтижесінде пластина бетінің температурасы <± 1 ℃ ауытқуына және эпитаксиалды қабат қалыңдығының біркелкілігін <1% құрайды.

2. Реагент газ ағынының бағытын оңтайландыру
Сусцептор бетінің микроқұрылымы шекаралық қабат әсерін бұзуы мүмкін, бұл реакция газдарының (мысалы, SiH4, NH3) біркелкі таралуына және тұндыру жылдамдығының консистенциясын жақсартуға мүмкіндік береді.

3. Ластануға қарсы және коррозияға қарсы қорғаныс
Графит негіздері ыдырауға бейім және жоғары температурада металл қоспаларын (мысалы, Fe, Ni) бөліп шығарады, ал қалыңдығы 100 мкм CVD SiC жабыны графиттің булануын басу үшін тығыз тосқауыл түзе алады, нәтижесінде пластина ақауларының жылдамдығы <0,1 ақау/см² құрайды.

Қолданбалар:
-Негізінен кремний эпитаксиалды өсуі үшін қолданылады
- GaAs, InP және т.б. сияқты басқа жартылай өткізгіш материалдардың эпитаксиясына да қолданылады.

VET Energy химиялық тұрақтылықты арттыру үшін CVD-SiC жабыны бар жоғары тазалықтағы графитті пайдаланады:

1. Жоғары тазалықтағы графит материалы
Жоғары жылу өткізгіштік: графиттің жылу өткізгіштігі кремнийге қарағанда үш есе жоғары, бұл жылуды қыздыру көзінен пластинаға тез ауыстырып, қыздыру уақытын қысқартады.
Механикалық беріктігі: Изостатикалық қысымдағы графит тығыздығы ≥ 1,85 г/см³, деформациясыз 1200 ℃-тан жоғары жоғары температураға төтеп бере алады.

2. CVD SiC жабыны
Графит бетінде химиялық бу тұндыру (CVD) арқылы β-SiC қабаты түзіледі, оның тазалығы ≥ 99,99995%, жабын қалыңдығының біркелкілік қателігі ±5%-дан аз, ал бетінің кедір-бұдырлығы Ra0,5 мкм-нан аз.

3. Өнімділікті жақсарту:
Коррозияға төзімділік: Cl2, HCl және т.б. сияқты жоғары коррозиялық газдарға төтеп бере алады, NH3 ортасында GaN эпитаксисінің қызмет ету мерзімін үш есеге ұзарта алады.
Термиялық тұрақтылық: Температураның ауытқуынан туындаған жабынның жарылуын болдырмау үшін термиялық кеңею коэффициенті (4,5 × 10-6/℃) графитке сәйкес келеді.
Қаттылық және тозуға төзімділік: Виккерс қаттылығы 28 ГПа-ға жетеді, бұл графиттен 10 есе жоғары және пластина сызаттарының пайда болу қаупін азайта алады.