Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptordia fitaovana fanohanana sy fanafanana natao manokana ampiasaina hihazonana sy hanafanana ireo substrates semiconductor mandritra ny dingana famokarana toy ny dingana Deposition na Epitaxy.

Ny firafiny dia mazàna miendrika boribory na somary barika, ny velarana dia misy paosy na sehatra maromaro hametrahana ireo takelaka, mety ho matevina na poakaty, arakaraka ny fomba fanafanana.

Ny asa lehibe ataon'ny epitaxial barrel susceptor:

1. Mpitatitra Wafer sy Fanaraha-maso ny Mari-pana
Ny velaran'ny susceptor dia natao misy paosy wafer maromaro (toy ny fandaminana hexagonal na octagonal), izay afaka manohana wafer 6-15 miaraka. Ny conductivity mafana avo lenta amin'ny grafita madio avo lenta (120-150W/mK) dia miantoka ny famindrana hafanana haingana, miaraka amin'ny fiasan'ny fihodinana (5-20 RPM), ka miteraka fivilian-dàlana amin'ny mari-pana amin'ny velaran'ny wafer <± 1 ℃ ary fitoviana amin'ny hatevin'ny sosona epitaxial <1%.

2. Fanatsarana ny fikorianan'ny entona mihetsika
Afaka mamaky ny fiantraikan'ny sosona sisintany ny firafitry ny mikrôskôpin'ny velaran'ny susceptor, ka ahafahana mizara mitovy ny entona mihetsika (toy ny SiH4, NH3) ary manatsara ny tsy fitoviana amin'ny tahan'ny fametrahana.

3. Fiarovana amin'ny fahalotoana sy ny harafesina
Mora simba ny akora mandrafitra grafita ary mamoaka loto metaly (toy ny Fe,Ni) amin'ny mari-pana avo, raha toa kosa ka ny sosona CVD SiC 100μm matevina dia afaka mamorona sakana matevina mba hanakanana ny fiovaovan'ny grafita, ka miteraka tahan'ny lesoka amin'ny takelaka <0.1 lesoka/cm².

Fampiharana:
-Ampiasaina indrindra amin'ny fitomboan'ny epitaxial silikônina
-Azo ampiharina ihany koa amin'ny epitaksian'ny fitaovana semiconductor hafa toy ny GaAs, InP, sns.

Mampiasa grafita madio avo lenta misy sosona CVD-SiC ny VET Energy mba hanatsarana ny fahamarinan'ny simika:

1. Akora grafita madio avo lenta
Fitondran-tena mafana avo lenta: ny fitondran-tenan'ny grafita dia avo telo heny noho ny silikônina, izay afaka mamindra haingana ny hafanana avy amin'ny loharanon-fanafanana mankany amin'ny wafer ary mampihena ny fotoana fanafanana.
Tanjaka mekanika: hakitroky ny grafita amin'ny tsindry isostatika ≥ 1.85 g/cm³, mahazaka mari-pana ambony mihoatra ny 1200 ℃ tsy misy fiovàna.

2. Fandrakofana CVD SiC
Misy sosona β-SiC miforona eo amin'ny velaran'ny grafita amin'ny alalan'ny fametrahana etona simika (CVD), miaraka amin'ny fahadiovana ≥ 99.99995%, ny hadisoan'ny fitoviana amin'ny hatevin'ny sosona dia latsaky ny ±5%, ary ny haratoana amin'ny velarany dia latsaky ny Ra0.5um.

3. Fanatsarana ny fahombiazana:
Fanoherana ny harafesina: mahatanty entona manimba be toy ny Cl2, HCl, sns, afaka manalava ny androm-piainan'ny epitaxy GaN intelo ao amin'ny tontolo NH3.
Fahamarinan'ny hafanana: Mifanaraka amin'ny grafita ny coefficient de expansion mafana (4.5 × 10-6/℃) mba hisorohana ny triatra ateraky ny fiovaovan'ny mari-pana.
Hamafin'ny hoditra sy ny fanoherana ny fikikisana: Ny hamafin'ny Vickers dia mahatratra 28 GPa, izay avo 10 heny noho ny grafita ary afaka mampihena ny mety hisian'ny fikikisana amin'ny wafer.