Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptordia fitaovana fanohanana sy fanamafisam-peo natao manokana hitazomana sy hanafana ny substrate semiconductor mandritra ny fizotran'ny famokarana toy ny fizotran'ny Deposition na Epitaxy.

Ny firafiny dia ahitana karazana cylindrical na kely miendrika barika, manasongadina paosy na sehatra maromaro hametrahana ny wafers, mety ho endrika mafy na poakaty, miankina amin'ny fomba fanafanana.

Ny tena asa ny epitaxial barika susceptor:

1. Wafer Carrier sy Fanaraha-maso ny maripana
Ny tampon'ny susceptor dia natao miaraka amin'ny paosy wafer marobe (toy ny fandaharana hexagonal na octagonal), izay afaka manohana ny wafers 6-15 miaraka. Ny conductivity mafana mafana amin'ny grafit madio (120-150W / mK) dia miantoka ny famindrana hafanana haingana, miaraka amin'ny fihodinan'ny asa (5-20 RPM), ka miteraka fivilian'ny mari-pana amin'ny epitaxial <± 1 ℃ sy ny hatevin'ny epitaxial amin'ny <1%.

2. Optimization ny reactant lalan'ny fikorianan'ny
Ny microstructure ny susceptor ambonin'ny dia afaka manapaka ny sisin-tany vokatry sosona, mamela ny fanamiana fizarana entona fanehoan-kevitra (toy ny SiH4, NH3) sy ny fanatsarana ny tsy miovaova ny tahan'ny deposition.

3. Anti fandotoana sy anti-corrosion fiarovana
Ny substrate grafit dia mora simba sy mamoaka loto metaly (toy ny Fe, Ni) amin'ny hafanana avo, raha ny 100μm matevina CVD SiC coating dia afaka manangana sakana matevina mba hanakanana ny fiovaovan'ny graphite, ka miteraka taham-pahakiviana amin'ny <0.1 defects/cm².

Fampiharana:
- Ampiasaina voalohany indrindra amin'ny fitomboan'ny epitaxial silisiôma
- Azo ampiharina ihany koa amin'ny epitaxy amin'ny fitaovana semiconductor hafa toa ny GaAs, InP, sns.

Ny VET Energy dia mampiasa graphite madio tsara miaraka amin'ny coating CVD-SiC hanatsarana ny fahamarinan-toerana simika:

1. Fitaovana grafita madio tsara
Conductivity mafana avo: ny conductivity mafana amin'ny grafit dia avo telo heny noho ny silisiôma, izay afaka mamindra haingana ny hafanana avy amin'ny loharano fanafanana mankany amin'ny wafer ary manafohy ny fotoana fanafanana.
Hery mekanika: Isostatic pressure graphite density ≥ 1.85 g/cm ³, mahazaka hafanana ambony mihoatra ny 1200 ℃ tsy misy deformation.

2. CVD SiC coating
A β - SiC sosona miforona eo ambonin'ny grafit amin'ny simika etona deposition (CVD), amin'ny fahadiovana ny ≥ 99.99995%, ny fahadisoam-panantenana ny coating hatevin'ny latsaky ny ± 5%, ary ny roughness ambonin'ny dia latsaky ny Ra0.5um.

3. Fanatsarana ny fampisehoana:
Ny fanoherana ny harafesina: mahatanty entona mahery vaika toy ny Cl2, HCl, sns, dia afaka manitatra ny androm-piainan'ny GaN epitaxy in-telo ao amin'ny tontolo NH3.
Ny fahamarinan-toerana mafana: Ny coefficient ny fanitarana mafana (4.5 × 10-6 / ℃) dia mifanandrify amin'ny graphite mba hisorohana ny fikorontanan'ny coating vokatry ny fiovaovan'ny mari-pana.
Fahamafisana sy fanoherana: Ny hamafin'ny Vickers dia mahatratra 28 GPa, izay avo 10 heny noho ny graphite ary mety hampihena ny mety hisian'ny scratches wafer.