עפּיטאַקסיאַל עפּי גראַפייט פאַס סאַססעפּטאָר

עפּיטאַקסיאַל עפּי גראַפייט פאַס סאַססעפּטאָר

עפּיטאַקסיאַל עפּי גראַפייט פאַס סאַססעפּטאָראיז אַ ספּעציעל דיזיינד שטיצע און הייצונג מיטל געניצט צו האַלטן און הייצן האַלב-קאָנדוקטאָר סאַבסטראַטן בעשאַס מאַנופאַקטורינג פּראַסעסאַז ווי דעפּאַזישאַן אָדער עפּיטאַקסי פּראַסעסאַז.

איר סטרוקטור כולל טיפּיש צילינדרישע אָדער אַ ביסל פאַס-פאָרעם, די ייבערפלאַך פֿעיִקייטן קייפל טאַשעס אָדער פּלאַטפאָרמעס פֿאַר שטעלן די וועיפערז, קען זיין האַרט אָדער ליידיק פּלאַן, דיפּענדינג אויף די באַהיצונג אופֿן.

די הויפּט פאַנגקשאַנז פון עפּיטאַקסיאַל באַראַל סאַסעפּטאָר:

1. וואַפער טרעגער און טעמפּעראַטור קאָנטראָל
די סוסעפּטאָר ייבערפלאַך איז דיזיינד מיט קייפל וועיפער פּאַקאַץ (אַזאַ ווי העקסאַגאָנאַל אָדער אַכטאַגאָנאַל אָרדענונג), וואָס קענען שטיצן 6-15 וועיפערז סיימאַלטייניאַסלי. די הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוויטי פון הויך-ריינקייַט גראַפיט (120-150W/mK) ענשורז שנעל היץ אַריבערפירן, קאַמביינד מיט ראָוטיישאַן פונקציע (5-20 RPM), ריזאַלטינג אין אַ וועיפער ייבערפלאַך טעמפּעראַטור דיווייישאַן פון <± 1 ℃ און עפּיטאַקסיאַל שיכטע גרעב יונאַפאָרמאַטי פון <1%.

2. אָפּטימיזאַציע פון ​​רעאַקטאַנט גאַז לויפן ריכטונג
די מיקראָסטרוקטור פון דער סאַסעפּטאָר ייבערפלאַך קען צעברעכן דעם גרענעץ שיכט ווירקונג, וואָס ערלויבט אַ מונדיר פאַרשפּרייטונג פון רעאַקציע גאַזן (אַזאַ ווי SiH4, NH3) און פֿאַרבעסערן די קאָנסיסטענסי פון דעפּאָזיציע קורס.

3. אַנטי-פאַרפּעסטיקונג און אַנטי-קעראָוזשאַן שוץ
גראַפיט סאַבסטראַטן זענען אונטערטעניק צו צעפאַל און לאָזן אַרויס מעטאַל פֿאַרפּעסטיקונגען (ווי Fe,Ni) ביי הויכע טעמפּעראַטורן, בשעת אַ 100μm דיק CVD SiC קאָוטינג קען פֿאָרמען אַ געדיכטע באַריער צו אונטערדריקן גראַפיט פֿאַרפֿליכטונג, וואָס רעזולטירט אין אַ וועיפֿער דעפֿעקט קורס פון <0.1 דעפֿעקטן/קמ².

אַפּליקאַציעס:
-בפֿרט געניצט פֿאַר סיליקאָן עפּיטאַקסיאַל וווּקס
אויך אָנווענדלעך פֿאַר עפּיטאַקסי פון אַנדערע האַלב-קאָנדוקטאָר מאַטעריאַלן ווי GaAs, InP, עטק.

וועט ענערגיע ניצט הויך-ריינקייט גראַפיט מיט CVD-SiC קאָוטינג צו פֿאַרבעסערן די כעמישע פעסטקייט:

1. הויך ריינקייט גראַפיט מאַטעריאַל
הויך טערמישע קאַנדאַקטיוויטי: די טערמישע קאַנדאַקטיוויטי פון גראַפיט איז דריי מאָל אַז פון סיליקאָן, וואָס קענען געשווינד אַריבערפירן היץ פון די באַהיצונג מקור צו די ווייפער און פאַרקירצן די באַהיצונג צייט.
מעכאנישע שטאַרקייט: איזאָסטאַטיש דרוק גראַפיט געדיכטקייט ≥ 1.85 ג/קמ³, טויגעוודיק צו וויטשטיין הויך טעמפּעראַטורן העכער 1200 ℃ אָן דעפאָרמאַציע.

2. CVD SiC קאָוטינג
א β-SiC שיכט ווערט געשאפן אויף דער ייבערפלאך פון גראַפיט דורך כעמישע פארע דעפּאַזישאַן (CVD), מיט אַ ריינקייט פון ≥ 99.99995%, די יוניפאָרם טעות פון קאָוטינג גרעב איז ווייניקער ווי ± 5%, און די ייבערפלאך ראַפנאַס איז ווייניקער ווי Ra0.5um.

3. פֿאַרבעסערונג פֿון פאָרשטעלונג:
קעראָוזשאַן קעגנשטעל: קען אַנטקעגנשטעלן הויך קעראָוזיוו גאַזן אַזאַ ווי Cl2, HCl, עטק, קען פאַרלענגערן די לעבן פון GaN עפּיטאַקסי מיט דריי מאָל אין די NH3 סוויווע.
טערמישע פעסטקייט: דער קאעפיציענט פון טערמישער אויסברייטונג (4.5 × 10-6/℃) איז גלייך מיט גראַפיט כדי צו פארמיידן קראַקינג אין די קאָוטינג, געפֿירט דורך טעמפּעראַטור פלוקטואַציעס.
כאַרטקייט און טראָגן קעגנשטעל: די וויקערס כאַרטקייט דערגרייכט 28 GPa, וואָס איז 10 מאָל העכער ווי גראַפיט און קען רעדוצירן דעם ריזיקירן פון וועיפער סקראַטשיז.