એપિટેક્સિયલ એપી ગ્રેફાઇટ બેરલ સસેપ્ટર

એપિટેક્સિયલ એપી ગ્રેફાઇટ બેરલ સસેપ્ટર

એપિટેક્સિયલ એપી ગ્રેફાઇટ બેરલ સસેપ્ટરડિપોઝિશન અથવા એપિટાક્સી પ્રક્રિયાઓ જેવી ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓ દરમિયાન સેમિકન્ડક્ટર સબસ્ટ્રેટને પકડી રાખવા અને ગરમ કરવા માટે ઉપયોગમાં લેવાતું ખાસ ડિઝાઇન કરેલું સપોર્ટ અને હીટિંગ ડિવાઇસ છે.

તેની રચનામાં સામાન્ય રીતે નળાકાર અથવા સહેજ બેરલ આકારનો સમાવેશ થાય છે, સપાટી પર વેફર મૂકવા માટે બહુવિધ ખિસ્સા અથવા પ્લેટફોર્મ હોય છે, ગરમી પદ્ધતિના આધારે, તે ઘન અથવા હોલો ડિઝાઇન હોઈ શકે છે.

એપિટેક્સિયલ બેરલ સસેપ્ટરના મુખ્ય કાર્યો:

1. વેફર કેરિયર અને તાપમાન નિયંત્રણ
સસેપ્ટર સપાટીને બહુવિધ વેફર પોકેટ્સ (જેમ કે ષટ્કોણ અથવા અષ્ટકોણ ગોઠવણી) સાથે ડિઝાઇન કરવામાં આવી છે, જે એકસાથે 6-15 વેફર્સને સપોર્ટ કરી શકે છે. ઉચ્ચ-શુદ્ધતા ગ્રેફાઇટ (120-150W/mK) ની ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા ઝડપી ગરમી ટ્રાન્સફર સુનિશ્ચિત કરે છે, જે પરિભ્રમણ કાર્ય (5-20 RPM) સાથે જોડાયેલી છે, જેના પરિણામે વેફર સપાટીનું તાપમાન <± 1 ℃ વિચલન અને એપિટેક્સિયલ સ્તરની જાડાઈ <1% ની એકરૂપતા થાય છે.

2. રિએક્ટન્ટ ગેસ પ્રવાહ દિશાનું ઑપ્ટિમાઇઝેશન
સસેપ્ટર સપાટીનું સૂક્ષ્મ માળખું સીમા સ્તરની અસરને તોડી શકે છે, જેનાથી પ્રતિક્રિયા વાયુઓ (જેમ કે SiH4, NH3) નું સમાન વિતરણ થાય છે અને નિક્ષેપ દરની સુસંગતતામાં સુધારો થાય છે.

૩. પ્રદૂષણ વિરોધી અને કાટ વિરોધી રક્ષણ
ગ્રેફાઇટ સબસ્ટ્રેટ વિઘટન થવાની સંભાવના ધરાવે છે અને ઊંચા તાપમાને ધાતુની અશુદ્ધિઓ (જેમ કે Fe,Ni) છોડે છે, જ્યારે 100μm જાડા CVD SiC કોટિંગ ગ્રેફાઇટ વોલેટિલાઇઝેશનને દબાવવા માટે ગાઢ અવરોધ બનાવી શકે છે, જેના પરિણામે વેફર ખામી દર <0.1 ખામી/સેમી ² થાય છે.

અરજીઓ:
-મુખ્યત્વે સિલિકોન એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ માટે વપરાય છે.
- GaAs, InP, વગેરે જેવા અન્ય સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલ્સના એપિટાક્સી માટે પણ લાગુ પડે છે.

રાસાયણિક સ્થિરતા વધારવા માટે VET એનર્જી CVD-SiC કોટિંગ સાથે ઉચ્ચ શુદ્ધતાવાળા ગ્રેફાઇટનો ઉપયોગ કરે છે:

1. ઉચ્ચ શુદ્ધતા ગ્રેફાઇટ સામગ્રી
ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા: ગ્રેફાઇટની થર્મલ વાહકતા સિલિકોન કરતા ત્રણ ગણી છે, જે ગરમીના સ્ત્રોતમાંથી વેફરમાં ગરમી ઝડપથી ટ્રાન્સફર કરી શકે છે અને ગરમીનો સમય ઓછો કરી શકે છે.
યાંત્રિક શક્તિ: આઇસોસ્ટેટિક દબાણ ગ્રેફાઇટ ઘનતા ≥ 1.85 ગ્રામ/સેમી ³, 1200 ℃ થી વધુ ઊંચા તાપમાને વિકૃતિ વિના ટકી રહેવા સક્ષમ.

2. CVD SiC કોટિંગ
ગ્રેફાઇટની સપાટી પર રાસાયણિક વરાળ નિક્ષેપ (CVD) દ્વારા β - SiC સ્તર રચાય છે, જેની શુદ્ધતા ≥ 99.99995% છે, કોટિંગની જાડાઈની એકરૂપતા ભૂલ ±5% કરતા ઓછી છે, અને સપાટીની ખરબચડી Ra0.5um કરતા ઓછી છે.

3. કામગીરી સુધારણા:
કાટ પ્રતિકાર: Cl2, HCl, વગેરે જેવા ઉચ્ચ કાટ લાગતા વાયુઓનો સામનો કરી શકે છે, NH3 વાતાવરણમાં GaN એપિટાક્સીનું આયુષ્ય ત્રણ ગણું વધારી શકે છે.
થર્મલ સ્થિરતા: તાપમાનના વધઘટને કારણે કોટિંગ ક્રેકીંગ ટાળવા માટે થર્મલ વિસ્તરણનો ગુણાંક (4.5 × 10-6/℃) ગ્રેફાઇટ સાથે મેળ ખાય છે.
કઠિનતા અને ઘસારો પ્રતિકાર: વિકર્સ કઠિનતા 28 GPa સુધી પહોંચે છે, જે ગ્રેફાઇટ કરતા 10 ગણી વધારે છે અને વેફર સ્ક્રેચનું જોખમ ઘટાડી શકે છે.