Epitaxial Epi Grafit Laras Susceptor

Epitaxial Epi Grafit Laras Susceptor

Epitaxial Epi Grafit Laras Susceptormangrupakeun rojongan dirancang husus sarta alat pemanasan dipaké pikeun nahan jeung panas substrat semikonduktor salila prosés manufaktur kawas déposisi atawa prosés Epitaxy.

Struktur na ngawengku ilaharna cylindrical atawa rada tong ngawangun, beungeut fitur sababaraha kantong atawa platform keur nempatkeun wafers, bisa jadi padet atawa desain kerung, gumantung kana métode pemanasan.

Fungsi utama susceptor laras epitaxial:

1. Wafer Carrier jeung Kontrol Suhu
Beungeut susceptor dirancang kalayan sababaraha kantong wafer (sapertos susunan héksagonal atanapi octagonal), anu tiasa ngadukung 6-15 wafer sakaligus. The konduktivitas termal tinggi grafit-purity tinggi (120-150W / mK) ensures mindahkeun panas gancang, digabungkeun jeung fungsi rotasi (5-20 RPM), hasilna simpangan suhu permukaan wafer <± 1 ℃ sarta ketebalan lapisan epitaxial uniformity <1%.

2. Optimasi arah aliran gas réaktan
Struktur mikro tina permukaan susceptor bisa megatkeun pangaruh lapisan wates, sahingga pikeun distribusi seragam gas réaksi (kayaning SiH4, NH3) jeung ngaronjatkeun konsistensi laju déposisi.

3. Anti polusi jeung panyalindungan anti korosi
Substrat grafit rentan ka dékomposisi sarta ngaleupaskeun pangotor logam (saperti Fe,Ni) dina suhu luhur, sedengkeun palapis CVD SiC kandel 100μm bisa ngabentuk halangan padet pikeun ngurangan volatilization grafit, hasilna laju cacad wafer <0,1 defects/cm².

Aplikasi:
-Utamina dipaké pikeun tumuwuh epitaxial silikon
-Ogé lumaku pikeun epitaxy bahan semikonduktor séjén kawas GaAs, InP, jsb.

VET Energy nganggo grafit kemurnian tinggi sareng palapis CVD-SiC pikeun ningkatkeun stabilitas kimia:

1. bahan grafit purity tinggi
Konduktivitas termal anu luhur: konduktivitas termal grafit tilu kali tina silikon, anu tiasa gancang mindahkeun panas tina sumber pemanasan ka wafer sareng pondok waktos pemanasan.
Kakuatan mékanis: Isostatic tekanan grafit kapadetan ≥ 1,85 g / cm ³, sanggup withstanding suhu luhur di luhur 1200 ℃ tanpa deformasi.

2. palapis CVD SiC
A β - SiC lapisan kabentuk dina beungeut grafit ku déposisi uap kimiawi (CVD), kalawan purity of ≥ 99.99995%, kasalahan uniformity ketebalan palapis kirang ti ± 5%, sarta roughness permukaan kirang ti Ra0.5um.

3. Perbaikan kinerja:
Résistansi korosi: tiasa nahan gas korosif anu luhur sapertos Cl2, HCl, jsb, tiasa manjangkeun umur epitaxy GaN ku tilu kali dina lingkungan NH3.
Stabilitas termal: Koéfisién ékspansi termal (4,5 × 10-6 / ℃) cocog sareng grafit pikeun nyegah palapis retakan disababkeun ku turun naek suhu.
Teu karasa sareng Ketahanan Wear: Karasa Vickers ngahontal 28 GPa, nyaéta 10 kali langkung luhur tibatan grafit sareng tiasa ngirangan résiko goresan wafer.