Epitaxial Epi Grafit Laras Susceptor

Epitaxial Epi Grafit Laras Susceptor

Epitaxial Epi Grafit Laras Susceptornyaéta alat pangrojong sareng pemanasan anu dirancang khusus anu dianggo pikeun nahan sareng manaskeun substrat semikonduktor salami prosés manufaktur sapertos prosés Déposisi atanapi Épitaksi.

Strukturna biasana silinder atanapi rada bentukna tong, permukaanana ngagaduhan sababaraha kantong atanapi platform pikeun nempatkeun wafer, tiasa padet atanapi kosong, gumantung kana metode pemanasan.

Fungsi utama susceptor laras epitaksial:

1. Wafer Carrier sareng Kontrol Suhu
Beungeut susceptor dirancang ku sababaraha kantong wafer (sapertos susunan heksagonal atanapi oktagonal), anu tiasa ngadukung 6-15 wafer sacara simultan. Konduktivitas termal anu luhur tina grafit murni tinggi (120-150W/mK) mastikeun transfer panas anu gancang, digabungkeun sareng fungsi rotasi (5-20 RPM), ngahasilkeun panyimpangan suhu permukaan wafer <± 1 ℃ sareng keseragaman ketebalan lapisan epitaksial <1%.

2. Optimasi arah aliran gas réaktan
Mikrostruktur beungeut susceptor tiasa megatkeun éfék lapisan wates, ngamungkinkeun distribusi gas réaksi anu seragam (sapertos SiH4, NH3) sareng ningkatkeun konsistensi laju déposisi.

3. Anti polusi sareng panyalindungan anti korosi
Substrat grafit rentan ka dekomposisi sareng ngaleupaskeun pangotor logam (sapertos Fe,Ni) dina suhu anu luhur, sedengkeun lapisan CVD SiC kandel 100μm tiasa ngabentuk panghalang anu padet pikeun nyegah penguapan grafit, anu ngahasilkeun tingkat cacad wafer <0,1 cacad/cm².

Aplikasi:
-Utamana dianggo pikeun kamekaran epitaksial silikon
-Ogé lumaku pikeun epitaksi bahan semikonduktor sanés sapertos GaAs, InP, jsb.

VET Energy nganggo grafit anu murni kalayan lapisan CVD-SiC pikeun ningkatkeun stabilitas kimiawi:

1. Bahan grafit kamurnian luhur
Konduktivitas termal anu luhur: konduktivitas termal grafit tilu kali lipat tina silikon, anu tiasa gancang mindahkeun panas tina sumber pemanasan ka wafer sareng ngirangan waktos pemanasan.
Kakuatan mékanis: Kapadetan grafit tekanan isostatik ≥ 1,85 g/cm³, sanggup nahan suhu luhur di luhur 1200 ℃ tanpa deformasi.

2. Lapisan CVD SiC
Lapisan β-SiC kabentuk dina beungeut grafit ku cara déposisi uap kimia (CVD), kalayan kamurnian ≥ 99,99995%, kasalahan keseragaman ketebalan palapis kirang ti ± 5%, sareng karasana permukaan kirang ti Ra0,5um.

3. Peningkatan kinerja:
Tahan korosi: tiasa tahan gas korosif anu luhur sapertos Cl2, HCl, jsb., tiasa manjangkeun umur epitaksi GaN tilu kali dina lingkungan NH3.
Stabilitas termal: Koéfisién ékspansi termal (4,5 × 10-6/℃) cocog sareng grafit pikeun nyingkahan retakan lapisan anu disababkeun ku fluktuasi suhu.
Karasa jeung Résistansi kana Aus: Karasa Vickers ngahontal 28 GPa, anu 10 kali leuwih luhur tibatan grafit sarta bisa ngurangan résiko goresan wafer.