Эпітаксіяльны Epi Graphite Barrel Susceptor

Эпітаксіяльны Epi Graphite Barrel Susceptor

Эпітаксіяльны Epi Graphite Barrel Susceptor— гэта спецыяльна распрацаваная апорная і награвальная прылада, якая выкарыстоўваецца для ўтрымання і нагрэву паўправадніковых падложак падчас вытворчых працэсаў, такіх як працэсы нанясення або эпітаксіі.

Яго структура звычайна мае цыліндрычную або злёгку бочкападобную форму, паверхня мае некалькі кішэняў або платформаў для размяшчэння пласцін, можа быць суцэльнай або полай канструкцыяй у залежнасці ад спосабу нагрэву.

Асноўныя функцыі эпітаксіяльнага ствалападобнага сусцэптара:

1. Носьбіт для вафель і кантроль тэмпературы
Паверхня сусцэптара мае некалькі кішэняў для пласцін (напрыклад, шасцікутнай або васьмікутнай формы), якія могуць адначасова падтрымліваць 6-15 пласцін. Высокая цеплаправоднасць высакаякаснага графіту (120-150 Вт/мК) забяспечвае хуткую перадачу цяпла ў спалучэнні з функцыяй кручэння (5-20 абаротаў у хвіліну), што прыводзіць да адхілення тэмпературы паверхні пласціны <± 1 ℃ і аднастайнасці таўшчыні эпітаксіяльнага пласта <1%.

2. Аптымізацыя кірунку патоку рэагентнага газу
Мікраструктура паверхні сусцэптара можа парушыць эфект памежнага слоя, што дазваляе раўнамерна размеркаваць рэакцыйныя газы (такія як SiH4, NH3) і паляпшае стабільнасць хуткасці нанясення.

3. Абарона ад забруджвання і карозіі
Графітавыя падложкі схільныя да раскладання і вызвалення металічных прымешак (напрыклад, Fe, Ni) пры высокіх тэмпературах, у той час як пакрыццё SiC, атрыманае метадам CVD, таўшчынёй 100 мкм, можа ўтварыць шчыльны бар'ер для падаўлення выпарэння графіту, што прыводзіць да ўзроўню дэфектнасці пласцін <0,1 дэфекту/см².

Прымяненне:
-У асноўным выкарыстоўваецца для эпітаксіяльнага росту крэмнію
-Таксама падыходзіць для эпітаксіі іншых паўправадніковых матэрыялаў, такіх як GaAs, InP і г.д.

VET Energy выкарыстоўвае графіт высокай чысціні з пакрыццём CVD-SiC для павышэння хімічнай стабільнасці:

1. Высокачысты графітавы матэрыял
Высокая цеплаправоднасць: цеплаправоднасць графіту ў тры разы вышэйшая за цеплаправоднасць крэмнію, што дазваляе хутка перадаваць цяпло ад крыніцы нагрэву да пласціны і скарачаць час нагрэву.
Механічная трываласць: шчыльнасць графіту пры ізастатычным ціску ≥ 1,85 г/см³, здольны вытрымліваць высокія тэмпературы вышэй за 1200 ℃ без дэфармацыі.

2. Пакрыццё SiC метадам CVD
На паверхні графіту метадам хімічнага асаджэння з паравой фазы (CVD) утвараецца пласт β-SiC з чысцінёй ≥ 99,99995%, памылка аднастайнасці таўшчыні пакрыцця меншая за ±5%, а шурпатасць паверхні меншая за Ra0,5 мкм.

3. Паляпшэнне прадукцыйнасці:
Устойлівасць да карозіі: можа вытрымліваць уздзеянне высокакаразійных газаў, такіх як Cl2, HCl і г.д., што дазваляе падоўжыць тэрмін службы эпітаксіі GaN у тры разы ў асяроддзі NH3.
Тэрмічная стабільнасць: каэфіцыент цеплавога пашырэння (4,5 × 10⁻⁶/℃) адпавядае графіту, што дазваляе пазбегнуць расколін пакрыцця, выкліканых ваганнямі тэмпературы.
Цвёрдасць і зносаўстойлівасць: цвёрдасць па Вікерсу дасягае 28 ГПа, што ў 10 разоў вышэй, чым у графіту, і можа знізіць рызыку драпін на пласціне.